Megamos
TM
FET
IXTH 50N20
IXTM 50N20
V
DSS
= 200 V
= 50 A
I
D25
R
DS （ ON）
= 45 m
N沟道增强模式
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
最大额定值
200
200
±20
±30
50
200
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
W
°C
°C
°C
AD TO- 247 （ IXTH ）
D（ TAB ）
TO- 204 AE （ IXTM ）
D
G =门，
S =源，
G
安装力矩
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
TO- 204 = 18克， TO- 247 = 6克
300
°C
D =排水，
TAB =漏
最大无铅焊接温度的
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
特点
国际标准封装
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
低封装电感（ < 5 NH）
- 易于驾驶和保护
快速开关时间
l
符号
测试条件
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 V
DSS
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
±100
200
1
0.045
nA
A
mA
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
版权所有2000 IXYS所有权利。
l
l
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
l
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
2
4
V
l
V
DSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A
200
V
l
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
应用
开关模式和谐振模
电源
电机控制
不间断电源（ UPS ）
直流斩波器
l
l
l
l
l
l
优势
易与1螺钉安装（ TO- 247 ）
（隔绝安装螺纹孔）
节省空间
高功率密度
91534F(5/97)
1-4
IXTH 50N20
IXTM 50N20
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
20
32
4600
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
800
285
18
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 2
,
（外部）
15
72
16
190
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
35
95
25
20
90
25
220
50
110
0.42
0.25
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
端子： 1 - 门
3 - 来源
2 - 漏极
标签 - 漏
1
2
3
AD TO- 247 （ IXTH ）大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
DIM 。
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
测试条件
V
GS
= 0 V
重复;
脉冲宽度限制T
JM
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
50N20
50
200
1.5
400
A
A
毫米
英寸
分钟。
马克斯。
分钟。马克斯。
A
4.7
5.3
.185 .209
A
1
2.2
2.54
.087 .102
A
2
2.2
2.6
.059 .098
b
1.0
1.4
.040 .055
b
1
1.65
2.13
.065 .084
b
2
2.87
3.12
.113 .123
C
.4
.8
.016 .031
D 20.80 21.46
.819 .845
E
15.75 16.26
.610 .640
e
5.20
5.72 0.205 0.225
L
19.81 20.32
.780 .800
L1
4.50
.177
P 3.55
3.65
.140 .144
Q
5.89
6.40 0.232 0.252
R
4.32
5.49
.170 .216
S
6.15 BSC
242 BSC
TO- 204AE （ IXTM ）大纲
V
ns
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
I
F
= I
S
， -di / DT = 100 A / μs的，V
R
= 100 V
引脚
1 - GATE
2 - 源
案例 - 漏
DIM 。
A
A1
b
D
e
e1
毫米
分钟。
马克斯。
6.4
11.4
1.53
3.42
1.45
1.60
22.22
10.67 11.17
5.21
5.71
英寸
分钟。马克斯。
.250 .450
.060 .135
.057 .063
.875
.420 .440
.205 .225
.440
.151
.151
1.187
.495
.131
.655
.480
.165
.165
BSC
.525
.188
.675
L
11.18 12.19
p 3.84
4.19
p
1 3.84
4.19
q
30.15 BSC
R 12.58 13.33
R1 3.33
4.77
s
16.64 17.14
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-4
QQ：2880707522 复制
