【PolarHTTM功率MOSFETN沟道增强模式额定雪崩IXTK 120N25PVDSS= 250 】,IC型号IXTK120N25P,IXTK120N25P PDF资料,IXTK120N25P经销商,ic,电子元器件-51电子网

PolarHT

功率MOSFET

N沟道增强模式

额定雪崩

IXTK 120N25P

DSS

= 250 V

D25

= 120 A

DS （ ON）

≤

24 m

符号

DSS

DGR

GSM

D25

D（ RMS）

dv / dt的

英镑

出售

重量

测试条件

= 25 ℃至175 ℃的

= 25 ℃175 ℃;

= 1 M

连续

短暂

= 25° C

外部引线电流限制

= 25 ℃，脉冲宽度限制T

= 25° C

≤

， di / dt的

≤

100 A / μs的，V

≤

DSS

≤

150℃ ，R

= 4

= 25° C

最大额定值

250

±20

±30

120

300

2.5

700

-55 ... +175

175

-55 ... +150

V / ns的

°C

特点

TO- 264 （ IXTK ）

（ TAB ）

G =门

S =源

D =漏

TAB =漏

从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）

塑料机身10秒

安装力矩

300

260

国际标准套餐

非钳位感应开关（ UIS）

评级

低封装电感

- 易于驾驶和保护

1.13 / 10牛米/ lb.in 。

优势

符号

测试条件

= 25 ℃，除非另有规定）

DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

DS （ ON）

= 0 V，I

= 250

= V

, I

= 500A

±20

, V

= 0

= V

DSS

= 0 V

= 125° C

特征值

MIN 。 TYP 。

马克斯。

250

2.5

5.0

±200

250

易于安装

节省空间

高功率密度

= 10 V，I

= 0.5 I

D25

脉冲测试，T

≤

300

占空比

≤

2 %

2006 IXYS所有权利

DS99175E(12/05)

IXTK 120N25P

符号

测试条件

特征值

= 25 ℃，除非另有规定）

分钟。

典型值。

马克斯。

8000

= 0 V, V

= 25 V ， F = 1兆赫

1300

220

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= 60 A

= 3.3

（外部）

130

185

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= 0.5 I

D25

0.18°C/W

0.15

° C / W

DIM 。

毫米

分钟。

马克斯。

4.82

5.13

2.54

2.89

2.00

2.10

1.12

1.42

2.39

2.69

2.90

3.09

0.53

0.83

25.91 26.16

19.81 19.96

5.46 BSC

0.00

0.25

0.00

0.25

20.32 20.83

2.29

2.59

3.17

3.66

6.07

6.27

8.38

8.69

3.81

4.32

1.78

2.29

6.04

6.30

1.57

1.83

英寸

分钟。

马克斯。

.190

.202

.100

.114

.079

.083

.044

.056

.094

.106

.114

.122

.021

.033

1.020

1.030

.780

.786

0.215 BSC

.000

.010

.000

.010

.800

.820

.090

.102

.125

.144

.239

.247

.330

.342

.150

.170

.070

.090

.238

.248

.062

.072

TO- 264 （ IXTK ）大纲

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

G（ ON）的

thJC

乡镇卫生院

= 10 V ;我

= 0.5 I

D25

，脉冲测试

源极 - 漏极二极管

符号

测试条件

= 0 V

重复

特征值

= 25 ℃，除非另有规定）

分钟。

典型值。

马克斯。

120

300

1.5

200

3.0

= I

, V

= 0 V,

脉冲测试，T

≤

300

占空比

≤

2 %

= 25 A， -di / DT = 100 A / μs的

= 100 V, V

= 0 V

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT均受4835592

一个或moreof以下美国专利： 4850072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,381,025

5,486,715

6,162,665

6,259,123 B1

6,306,728 B1

6,404,065 B1

6,534,343

6,583,505

6,683,344

6,710,405B2

6,710,463

6,727,585

6,759,692

6,771,478 B2

IXTK 120N25P

图。 1.输出特性

@ 25

120

110

100

= 10V

250

225

200

175

= 10V

图。 2.扩展的输出特性

@ 25

- 安培

0.5

1.5

2.5

3.5

150

125

100

- 伏特

图。 3.输出特性

@ 150

120

110

100

= 10V

2.8

2.5

= 10V

- 伏特

图。 4.

DS （上

)

规范alized 0.5我

D25

值与结tem温度

S（O N）

- 归

2.2

1.9

= 120A

1.6

1.3

0.7

0.4

= 60A

- 安培

- 伏特

-50

-25

- 摄氏

100

125

150

图。 5.

DS （ ON）

规范alized 0.5我

D25

值与漏电流

3.8

3.4

= 150

图。 6.漏电流与案例

tem温度

外部引线电流限制

S（O N）

- 归

2.6

2.2

1.8

1.4

0.6

= 15V

= 25

= 10V

- 安培

120

150

180

210

240

270

-50

-25

- 摄氏

100

125

150

2006 IXYS所有权利

IXTK 120N25P

图。 7.输入上将ittance

210

180

150

110

100

= -40

150

图。 8.跨导

- 安培

- 西门子

-40

120

4.5

5.5

6.5

7.5

8.5

= 150

120

150

180

210

的s

- V OLTS

图。 9.酸CE姜黄素重新NT VS 。

来源 - 要漏V oltage

350

300

250

= 125V

= 60A

=一千万

- 一个mperes

图。 10.门戈字符

- 安培

的s

- 伏特

= 150

= 25

200

150

100

0.2

0.4

0.6

S.D。

- V OLTS

0.8

1.2

1.4

1.6

100 120 140 160 180 200

- nanocoulombs

图。 11.电容

10000

C为S

1000

图。 12. FORW AR D-偏置

安全Ope宇宙阿婷氩E A

DS （ ON）

LIM它

电容 - 皮法

25s

- 安培

100

100s

1米s

= 175

10米s

1000

OSS

F = 1MH

100

RS s

= 25

100

1000

- V OLTS

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXTK 120N25P

F IG 。 1 3 。 M IM AX UM牛逼失败者即NT牛逼有源冰箱 ES是tance

1.00

T H， J·C

- C / W

0.10

0.01

0.00

0.1

100

1000

浦LS东西ID日 - 米illis权证 N D s

2006 IXYS所有权利

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