高速IGBT与二极管
IXSH 30 N60CD1
IXSK 30 N60CD1
IXST 30 N60CD1
短路SOA能力
初步数据
V
CES
I
C25
V
CE （ SAT ）
t
fi
TO-247AD
（ IXSH ）
=
=
=
=
600 V
55 A
2.5 V
70纳秒
符号
V
CES
V
CGR
V
GES
V
创业板
I
C25
I
C90
I
CM
SSOA
（ RBSOA ）
t
SC
（ SCSOA ）
P
C
T
J
T
JM
T
英镑
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GE
= 1兆瓦
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
T
C
= 25 ° C， 1毫秒
V
GE
= 15 V ，T
J
= 125 ° C，R
G
= 10
W
钳位感性负载，V
CL
= 0.8 V
CES
V
GE
= 15 V, V
CE
= 360 V，T
J
= 125°C
R
G
= 33
W,
不重复
T
C
= 25°C
最大额定值
G
600
600
±20
±30
55
30
110
I
CM
= 60
10
200
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
ms
W
°C
°C
°C
TO-264
（ IXSK ）
C
E
的TO- 268 （ D3）的
（ IXST ）
C
G
E
G
C
E
C =收藏家
TAB =收藏家
G =门
E =发射器
特点
国际标准封装：
JEDEC的TO -247 ，TO- 264& TO- 268
短路SOA能力
高freqeuncy IGBT和反
在一个封装平行FRED
新一代HDMOS
TM
过程
应用
安装力矩
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
6
300
g
°C
最大无铅焊接温度的
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
600
4
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
7
200
3
±100
I
C
= I
C90
2.5
V
V
mA
mA
nA
V
BV
CES
V
GE （日）
I
CES
I
GES
V
CE （ SAT ）
I
C
I
C
= 750
毫安，
V
GE
= 0 V
= 2.5毫安， V
CE
= V
GE
交流电机调速
直流伺服和机器人的驱动器
直流斩波器
不间断电源（ UPS ）
开关模式和谐振模
电源
优势
节省空间（在一两个设备
包）
易于使用1个螺丝安装
（隔绝安装螺纹孔）
表面安装，高功率的情况下，
风格
减少装配时间和成本
高功率密度
V
CE
= 0.8 V
CES
V
GE
= 0 V
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±20
V
V
GE
= 15 V
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
98518A (7/00)
版权所有2000 IXYS所有权利。
1-2
IXSH30N60CD1 IXSK30N60CD1 IXST30N60CD1
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
10
3100
240
50
100
30
38
30
30
90
70
0.7
35
35
0.5
150
140
1.2
TO-247
TO-264
0.25
0.15
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.62 K / W
K / W
K / W
暗淡。毫米
分钟。马克斯。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
19.81 20.32
20.80 21.46
15.75 16.26
3.55 3.65
4.32 5.49
5.4
6.2
1.65 2.13
-
4.5
1.0
1.4
10.8 11.0
4.7
0.4
5.3
0.8
英寸
分钟。马克斯。
0.780 0.800
0.819 0.845
0.610 0.640
0.140 0.144
0.170 0.216
0.212 0.244
0.065 0.084
-
0.177
0.040 0.055
0.426 0.433
0.185 0.209
0.016 0.031
0.087 0.102
AD TO- 247 （ IXSH ）大纲
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
thCK
R
thCK
I
C
= I
C90
; V
CE
= 10 V,
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V ， F = 1兆赫
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
感性负载，T
J
= 25°C
I
C
= I
C90
; V
GE
= 15 V
V
CE
= 0.8 V
CES
; R
G
= 4.7
W
注： 1 。
感性负载，T
J
= 125°C
I
C
= I
C90
; V
GE
= 15 V
V
CE
= 0.8 V
CES
; R
G
= 4.7
W
注1
150
120
1.2
1.5 2.49
TO- 264 AA （ IXSK ）大纲
反向二极管（ FRED ）
符号
V
F
I
RM
t
rr
R
thJC
测试条件
I
F
= I
C90
, V
GE
= 0 V
注2
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
T
J
= 150
O
C
T
J
= 150
O
C
2
35
1.7
2.5
2.5
50
V
V
A
ns
DIM 。
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
毫米
分钟。
马克斯。
4.82
2.54
2.00
1.12
2.39
2.90
0.53
25.91
19.81
5.46
0.00
0.00
20.32
2.29
3.17
6.07
8.38
3.81
1.78
6.04
1.57
5.13
2.89
2.10
1.42
2.69
3.09
0.83
26.16
19.96
BSC
0.25
0.25
20.83
2.59
3.66
6.27
8.69
4.32
2.29
6.30
1.83
英寸
分钟。
马克斯。
.190
.202
.100
.114
.079
.083
.044
.056
.094
.106
.114
.122
.021
.033
1.020
1.030
.780
.786
0.215 BSC
.000
.010
.000
.010
.800
.820
.090
.102
.125
.144
.239
.247
.330
.342
.150
.170
.070
.090
.238
.248
.062
.072
I
F
= 100A ; V
GE
= 0 V ;牛逼
J
= 100°C
V
R
= 100V ; - 二
F
/ DT = 100 A / MS
I
F
= 1 ; -di / DT = 100 A / MS; V
R
= 30 V T，
J
= 25°C
1.0 K / W
注：1.切换时间可能会增加V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
，更高的温度
J
或加强研究
G
.
2.脉冲检验，t
300
女士，
占空比
2 %
TO- 268AA （ IXST ） （D
3
PAK ）
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
2
C
D
E
E
1
e
H
L
L1
L2
L3
L4
毫米
分钟。马克斯。
4.9
5.1
2.7
2.9
.02
.25
1.15
1.45
1.9
2.1
.4
.65
13.80 14.00
15.85 16.05
13.3
13.6
5.45 BSC
18.70 19.10
2.40
2.70
1.20
1.40
1.00
1.15
0.25 BSC
3.80
4.10
英寸
分钟。马克斯。
.193 .201
.106 .114
.001 .010
.045 .057
.75
.83
.016 .026
.543 .551
.624 .632
.524 .535
0.215 BSC
.736 .752
.094 .106
.047 .055
.039 .045
0.010 BSC
.150 .161
分钟。推荐足迹
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-2
QQ：2881677436 复制
