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高级技术信息
HiPerFET
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
IXTH 60N10
IXTT 60N10
V
DSS
I
D25
R
DS （ ON）
= 100 V
= 60 A
= 20 m
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
D（ RMS）
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1.0 M
连续
短暂
T
C
= 25°C的MOSFET芯片的能力
外部引线电流限制
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
≤
I
DM
， di / dt的
≤
100 A / μs的，V
DD
≤
V
DSS
T
J
≤
150℃ ，R
G
= 2
T
C
= 25°C
最大额定值
100
100
±20
±30
80
75
320
80
45
1.5
5
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
mJ
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
g
AD TO- 247 （ IXTH ）
（ TAB ）
TO- 268 （ IXTT ）机箱样式
G
G =门
S =源
S
D =漏
TAB =漏
（ TAB ）
特点
国际标准封装
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
非钳位感应开关（ UIS）
评级
低封装电感
- 易于驾驶和保护
快速内在整流器
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）
安装力矩
TO-264
300
1.13/10
6
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
=
250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250 A
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
100
2.0
4.0
±100
25
250
20
V
V
nA
A
A
m
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
版权所有 2003 IXYS所有权利。
DS99069(7/03)
IXTH 60N10
IXTT 60N10
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
30
45
3200
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
510
180
20
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 3.3
（外部）
20
70
18
110
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
18
48
0.42
(TO-247)
0.25
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
端子： 1 - 门
3 - 来源
2 - 漏极
标签 - 漏
1
2
3
的TO- 247的AD概要
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
DIM 。
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
V
GS
= 0V
额定值和特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
分钟。
典型值。
马克斯。
60
240
1.5
150
3
A
A
V
ns
C
毫米
分钟。马克斯。
A
4.7
5.3
2.2
2.54
A
1
A
2
2.2
2.6
b
1.0
1.4
b
1
1.65
2.13
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
TO- 268外形
重复;脉冲宽度限制T
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300微秒，占空比
≤
2 %
I
F
= 30A ， -di / DT = 100 A / μs的，V
R
= 100V
闵推荐足迹
端子： 1 - 门
3 - 来源
2 - 漏极
标签 - 漏
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或多个
：下列美国专利
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
6,534,343
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IC42S32400-6B
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IDT54FCT16240CTPAB
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IRLR8729PBF
IRM-3638
IRKT132-16
IDT54FCT162841BTPVB
IDT74FCT162H245ATPFB
IDT71V3576SA133BGI
ICS40004A11L
IS62C1024L-55QI
IXTP230N075T2
IRKUF81-08GM
ISLA110P50IRZ
IDT7142LA100F
IC39-1612-G4
ISPLSI3256-50LM
IDT7134S55L48B
IXTP6N50D2
供货商
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    IXTH60N10
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