初步
集成
电路
系统公司
ICS840004-11
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-
LVCMOS / LVTTL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
F
EATURES
四LVCMOS / LVTTL输出， 15Ω典型的输出阻抗
ANCE
晶体振荡器接口
输入频率范围： 22.4MHz至28MHz
输出频率范围： 56MHz - 140MHz的
VCO范围：为560MHz - 700MHz的
RMS在125MHz （ 1.875MHz - 为20MHz ）相位抖动：
0.70ps （典型值）
在125MHz RMS相位噪声：
全3.3V供电
0 ° C至70 ° C的环境工作温度
提供标准和无铅符合RoHS标准
套餐
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS840004-11是4输出LVCMOS /
IC
S
LVTTL合成器的优化产生
HiPerClockS
以太网的参考时钟频率，并且是
在HiPerClocks成员
TM
家庭高
高性能时钟解决方案，从ICS 。利用
为25MHz ， 18pF之并联谐振晶体，并为125MHz
的62.5MHz可以基于一个频率选择来生成
销（ F_SEL ） 。该ICS840004-11使用ICS “ 3
rd
代低
VCO的相位噪声的技术，并且可以实现1ps的或低
典型的随机均方根相位抖动，轻松满足以太网抖动
要求。该ICS840004-11被封装在小
20引脚TSSOP封装。
F
Characteristic低频
S
ELECT
F
油膏
T
ABLE
输入
M分频器N分频器
价值
价值
25
10
25
5
为
E
THERNET
F
核率
输出频率
（ 25MHz的参考文献）。
62.5
125
F_SEL
0
1
M / N
比值
2.5
5
B
LOCK
D
IAGRAM
OE上拉
F_SEL上拉
P
IN
A
SSIGNMENT
F_SEL
nc
nc
nc
OE
nc
nc
V
DDA
nc
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
nc
GND
Q0
Q1
V
DDO
Q2
Q3
GND
XTAL_IN
XTAL_OUT
25MHz
XTAL_IN
F_SEL
Q0
OSC
XTAL_OUT
相
探测器
VCO
N
0 ÷10
1 ÷5
Q1
Q2
ICS840004-11
20引脚TSSOP
6.5毫米X 4.4毫米X 0.92毫米
包体
M = 25 ÷ （固定）
Q3
G封装
顶视图
本文提供的初步信息代表了原型或试生产的产物。所提到的特征的基础上
最初的产品特性。集成电路系统公司（ ICS）保留随时更改任何电路或规格的权利
恕不另行通知。
840004AG-11
www.icst.com/products/hiperclocks.html
REV 。一2005年10月3日
1
初步
集成
电路
系统公司
ICS840004-11
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-
LVCMOS / LVTTL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
TYPE
输入
上拉
描述
频率选择引脚。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
无连接。
上拉
输出使能引脚。高电平时，输出有效。当低时，
输出处于高阻抗状态。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
模拟电源引脚。
核心供电引脚。
CR振荡器，石英晶体界面。 XTAL_OUT是输出。
XTAL_IN是输入。
电源接地。
单端时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
15
Ω
典型的输出阻抗。
输出电源引脚。
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
数
1
2, 3, 4, 6,
7, 9, 20
5
8
10
11,
12
13, 19
14, 15
17, 18
16
名字
F_SEL
nc
OE
V
DDA
V
DD
XTAL_OUT ，
XTAL_IN
GND
Q3, Q2,
Q1, Q0
V
DDO
未使用
输入
动力
动力
输入
动力
产量
动力
注意：
上拉
指的是内部的输入电阻。见表2 ，引脚特性，为典型值。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
C
PD
R
上拉
R
OUT
参数
输入电容
功率耗散电容
输入上拉电阻
输出阻抗
V
DD
, V
DDA
, V
DDO
= 3.465V
测试条件
最低
典型
4
待定
51
15
最大
单位
pF
pF
kΩ
Ω
840004AG-11
www.icst.com/products/hiperclocks.html
2
REV 。一2005年10月3日
初步
集成
电路
系统公司
ICS840004-11
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-
LVCMOS / LVTTL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5 V
-0.5V到V
DDO
+ 0.5V
73.2 ℃/ W（ 0 LFPM ）
-65 ℃150 ℃的
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
DD
输入，V
I
产出，V
O
封装的热阻抗，
θ
JA
贮藏温度，T
英镑
T
ABLE
3A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DDD
= V
DDA
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDA
V
DDO
I
DD
I
DDA
I
DDO
参数
核心供电电压
模拟电源电压
输出电源电压
电源电流
模拟电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
3.135
3.135
3.135
典型
3.3
3.3
3.3
90
8
5
最大
3.465
3.465
3.465
单位
V
V
V
mA
mA
mA
T
ABLE
3B 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
DDD
= V
DDA
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号参数
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
OH
V
OL
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
OE ， F_SEL
OE ， F_SEL
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
V
DDO
= 3.3V ± 5%
V
DDO
= 3.3V ± 5%
-150
2.6
0. 5
测试条件
最小典型
2
-0.3
最大
V
DD
+ 0.3
0.8
5
单位
V
V
A
A
V
V
输出高电压;注1
输出低电压;注1
注1 ：输出端接50
Ω
到V
DDO
/ 2 。参见参数测量信息， 3.3V输出负载测试电路。
T
ABLE
4. C
RYSTAL
C
极特
参数
振荡模式
频率
等效串联电阻（ESR ）
旁路电容
驱动电平
注：使用一个18pF之并联谐振CR石英晶体特点。
测试条件
最低
典型
25
50
7
1
最大
单位
兆赫
Ω
pF
mW
基本
840004AG-11
www.icst.com/products/hiperclocks.html
REV 。一2005年10月3日
3
初步
集成
电路
系统公司
ICS840004-11
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-
LVCMOS / LVTTL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
测试条件
最低
56
25
@ 125MHz的积分范围：
1.875MHz - 20MHz的
中的62.5MHz @积分范围：
1.875MHz - 20MHz的
20 ％至80％
0.70
0.54
470
典型
最大
140
单位
兆赫
ps
ps
ps
ps
%
T
ABLE
5A 。 AC - C
极特
,
V
DD
= V
DDA
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
f
OUT
t
SK （ O）
t
JIT （ φ ）
t
R
/ t
F
参数
输出频率范围
输出偏斜;注： 1 ， 2
RMS相位抖动（随机） ;
注3
输出上升/下降时间
ODC
输出占空比
50
注1 ：定义为输出之间的偏移，在相同的电源电压，并以相等的负载条件。
测量V
DDO
/2.
注2 ：此参数定义符合JEDEC标准65 。
注3 ：请参考相位噪声图。
840004AG-11
www.icst.com/products/hiperclocks.html
4
REV 。一2005年10月3日
初步
集成
电路
系统公司
ICS840004-11
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-
LVCMOS / LVTTL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
T
YPICAL
P
HASE
N
OISE
AT
0
-10
-20
-30
-40
-50
62.5MH
Z
@3.3V
1Gb的以太网过滤器
62.5MHz
RMS相位抖动（随机）
1.875MHz到20MHz = 0.54ps
N
OISE
P
OWER
dBc的
Hz
-60
-70
-80
-90
-100
-110
原始相位噪声数据
-120
-130
-140
-150
100
1k
10k
100k
-160
-170
-180
-190
相位噪声加入结果
1Gb的以太网过滤原始数据
1M
10M
100M
O
FFSET
F
Characteristic低频
(H
Z
)
0
-10
-20
-30
-40
-50
T
YPICAL
P
HASE
N
OISE
AT
125MH
Z
@2.5V
1Gb的以太网过滤器
125MHz
RMS相位抖动（随机）
1.875MHz到20MHz = 0.70ps
N
OISE
P
OWER
dBc的
Hz
-60
-70
-80
-90
-100
-110
原始相位噪声数据
-120
-130
-140
-150
-170
-180
-190
100
840004AG-11
相位噪声加入结果
1Gb的以太网过滤原始数据
1k
10k
100k
-160
O
FFSET
F
Characteristic低频
(H
Z
)
5
1M
10M
100M
REV 。一2005年10月3日
www.icst.com/products/hiperclocks.html
初步
集成
电路
系统公司
ICS840004-11
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-
LVCMOS / LVTTL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
F
EATURES
四LVCMOS / LVTTL输出， 15Ω典型的输出阻抗
ANCE
晶体振荡器接口
输入频率范围： 22.4MHz至28MHz
输出频率范围： 56MHz - 140MHz的
VCO范围：为560MHz - 700MHz的
RMS在125MHz （ 1.875MHz - 为20MHz ）相位抖动：
0.70ps （典型值）
在125MHz RMS相位噪声：
全3.3V供电
0 ° C至70 ° C的环境工作温度
提供标准和无铅符合RoHS标准
套餐
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS840004-11是4输出LVCMOS /
IC
S
LVTTL合成器的优化产生
HiPerClockS
以太网的参考时钟频率，并且是
在HiPerClocks成员
TM
家庭高
高性能时钟解决方案，从ICS 。利用
为25MHz ， 18pF之并联谐振晶体，并为125MHz
的62.5MHz可以基于一个频率选择来生成
销（ F_SEL ） 。该ICS840004-11使用ICS “ 3
rd
代低
VCO的相位噪声的技术，并且可以实现1ps的或低
典型的随机均方根相位抖动，轻松满足以太网抖动
要求。该ICS840004-11被封装在小
20引脚TSSOP封装。
F
Characteristic低频
S
ELECT
F
油膏
T
ABLE
输入
M分频器N分频器
价值
价值
25
10
25
5
为
E
THERNET
F
核率
输出频率
（ 25MHz的参考文献）。
62.5
125
F_SEL
0
1
M / N
比值
2.5
5
B
LOCK
D
IAGRAM
OE上拉
F_SEL上拉
P
IN
A
SSIGNMENT
F_SEL
nc
nc
nc
OE
nc
nc
V
DDA
nc
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
nc
GND
Q0
Q1
V
DDO
Q2
Q3
GND
XTAL_IN
XTAL_OUT
25MHz
XTAL_IN
F_SEL
Q0
OSC
XTAL_OUT
相
探测器
VCO
N
0 ÷10
1 ÷5
Q1
Q2
ICS840004-11
20引脚TSSOP
6.5毫米X 4.4毫米X 0.92毫米
包体
M = 25 ÷ （固定）
Q3
G封装
顶视图
本文提供的初步信息代表了原型或试生产的产物。所提到的特征的基础上
最初的产品特性。集成电路系统公司（ ICS）保留随时更改任何电路或规格的权利
恕不另行通知。
840004AG-11
www.icst.com/products/hiperclocks.html
REV 。一2005年10月3日
1
初步
集成
电路
系统公司
ICS840004-11
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-
LVCMOS / LVTTL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
TYPE
输入
上拉
描述
频率选择引脚。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
无连接。
上拉
输出使能引脚。高电平时，输出有效。当低时，
输出处于高阻抗状态。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
模拟电源引脚。
核心供电引脚。
CR振荡器，石英晶体界面。 XTAL_OUT是输出。
XTAL_IN是输入。
电源接地。
单端时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
15
Ω
典型的输出阻抗。
输出电源引脚。
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
数
1
2, 3, 4, 6,
7, 9, 20
5
8
10
11,
12
13, 19
14, 15
17, 18
16
名字
F_SEL
nc
OE
V
DDA
V
DD
XTAL_OUT ，
XTAL_IN
GND
Q3, Q2,
Q1, Q0
V
DDO
未使用
输入
动力
动力
输入
动力
产量
动力
注意：
上拉
指的是内部的输入电阻。见表2 ，引脚特性，为典型值。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
C
PD
R
上拉
R
OUT
参数
输入电容
功率耗散电容
输入上拉电阻
输出阻抗
V
DD
, V
DDA
, V
DDO
= 3.465V
测试条件
最低
典型
4
待定
51
15
最大
单位
pF
pF
kΩ
Ω
840004AG-11
www.icst.com/products/hiperclocks.html
2
REV 。一2005年10月3日
初步
集成
电路
系统公司
ICS840004-11
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-
LVCMOS / LVTTL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5 V
-0.5V到V
DDO
+ 0.5V
73.2 ℃/ W（ 0 LFPM ）
-65 ℃150 ℃的
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
DD
输入，V
I
产出，V
O
封装的热阻抗，
θ
JA
贮藏温度，T
英镑
T
ABLE
3A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DDD
= V
DDA
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDA
V
DDO
I
DD
I
DDA
I
DDO
参数
核心供电电压
模拟电源电压
输出电源电压
电源电流
模拟电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
3.135
3.135
3.135
典型
3.3
3.3
3.3
90
8
5
最大
3.465
3.465
3.465
单位
V
V
V
mA
mA
mA
T
ABLE
3B 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
DDD
= V
DDA
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号参数
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
OH
V
OL
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
OE ， F_SEL
OE ， F_SEL
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
V
DDO
= 3.3V ± 5%
V
DDO
= 3.3V ± 5%
-150
2.6
0. 5
测试条件
最小典型
2
-0.3
最大
V
DD
+ 0.3
0.8
5
单位
V
V
A
A
V
V
输出高电压;注1
输出低电压;注1
注1 ：输出端接50
Ω
到V
DDO
/ 2 。参见参数测量信息， 3.3V输出负载测试电路。
T
ABLE
4. C
RYSTAL
C
极特
参数
振荡模式
频率
等效串联电阻（ESR ）
旁路电容
驱动电平
注：使用一个18pF之并联谐振CR石英晶体特点。
测试条件
最低
典型
25
50
7
1
最大
单位
兆赫
Ω
pF
mW
基本
840004AG-11
www.icst.com/products/hiperclocks.html
REV 。一2005年10月3日
3
初步
集成
电路
系统公司
ICS840004-11
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-
LVCMOS / LVTTL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
测试条件
最低
56
25
@ 125MHz的积分范围：
1.875MHz - 20MHz的
中的62.5MHz @积分范围：
1.875MHz - 20MHz的
20 ％至80％
0.70
0.54
470
典型
最大
140
单位
兆赫
ps
ps
ps
ps
%
T
ABLE
5A 。 AC - C
极特
,
V
DD
= V
DDA
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
f
OUT
t
SK （ O）
t
JIT （ φ ）
t
R
/ t
F
参数
输出频率范围
输出偏斜;注： 1 ， 2
RMS相位抖动（随机） ;
注3
输出上升/下降时间
ODC
输出占空比
50
注1 ：定义为输出之间的偏移，在相同的电源电压，并以相等的负载条件。
测量V
DDO
/2.
注2 ：此参数定义符合JEDEC标准65 。
注3 ：请参考相位噪声图。
840004AG-11
www.icst.com/products/hiperclocks.html
4
REV 。一2005年10月3日
初步
集成
电路
系统公司
ICS840004-11
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-
LVCMOS / LVTTL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
T
YPICAL
P
HASE
N
OISE
AT
0
-10
-20
-30
-40
-50
62.5MH
Z
@3.3V
1Gb的以太网过滤器
62.5MHz
RMS相位抖动（随机）
1.875MHz到20MHz = 0.54ps
N
OISE
P
OWER
dBc的
Hz
-60
-70
-80
-90
-100
-110
原始相位噪声数据
-120
-130
-140
-150
100
1k
10k
100k
-160
-170
-180
-190
相位噪声加入结果
1Gb的以太网过滤原始数据
1M
10M
100M
O
FFSET
F
Characteristic低频
(H
Z
)
0
-10
-20
-30
-40
-50
T
YPICAL
P
HASE
N
OISE
AT
125MH
Z
@2.5V
1Gb的以太网过滤器
125MHz
RMS相位抖动（随机）
1.875MHz到20MHz = 0.70ps
N
OISE
P
OWER
dBc的
Hz
-60
-70
-80
-90
-100
-110
原始相位噪声数据
-120
-130
-140
-150
-170
-180
-190
100
840004AG-11
相位噪声加入结果
1Gb的以太网过滤原始数据
1k
10k
100k
-160
O
FFSET
F
Characteristic低频
(H
Z
)
5
1M
10M
100M
REV 。一2005年10月3日
www.icst.com/products/hiperclocks.html
QQ：2881677436 复制
