IXTH 50P085
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
8
16
4200
V
GS
= 0 V, V
DS
= -25 V,F = 1兆赫
1720
750
46
V
GS
= -10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 4.7
(外部)
39
86
38
150
V
GS
= -10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
36
70
0.42
0.25
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
端子: 1 - 门
3 - 来源
2 - 漏极
标签 - 漏
1
2
3
的TO- 247的AD概要
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G( ON)的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
V
DS
= -10 V ;我
D
= I
D25
,脉冲测试
DIM 。
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
测试条件
V
GS
= 0
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
-25
-200
-3
180
A
A
V
ns
毫米
分钟。马克斯。
A
4.7
5.3
2.2
2.54
A
1
A
2
2.2
2.6
b
1.0
1.4
b
1
1.65
2.13
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
重复;脉冲宽度限制T
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试,T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
I
F
= I
S
,的di / dt = 100 A / μs的,V
R
= -50 V
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖
一个或moreof以下美国专利:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692