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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第381页 > IXTH50P085
标准功率MOSFET
P沟道增强模式
额定雪崩
IXTH 50P085
V
DSS
I
D25
R
DS ( ON)
= -85 V
= -50 A
= 55 m
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C,脉冲宽度限制T
J
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
最大额定值
-85
-85
±20
±30
-50
-200
-50
30
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
mJ
W
°
C
°
C
°
C
°
C
的TO- 247的AD
D( TAB )
G =门,
S =源,
D =排水,
TAB =漏
最大无铅焊接温度的
从案例10秒1.6毫米( 0.062英寸)
安装力矩
300
特点
国际标准套餐
JEDEC TO- 247 AD
低R
DS ( ON)
HDMOS
TM
过程
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
6
g
坚固的多晶硅栅单元结构
非钳位感应开关( UIS)
评级
低封装电感( <5 NH)
- 易于驾驶和保护
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
-85
-3.0
-5.0
±100
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
-25
-1
55
V
V
nA
A
mA
m
应用
高侧开关
V
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0 V,I
D
= -250
A
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250
A
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= -10 V,I
D
= 0.5 I
D25
推挽放大器
直流斩波器
自动测试设备
优势
易与1个螺丝安装
(隔绝安装螺纹孔)
节省空间
高功率密度
版权所有2004 IXYS所有权利。
DS99140A(10/04)
IXTH 50P085
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
8
16
4200
V
GS
= 0 V, V
DS
= -25 V,F = 1兆赫
1720
750
46
V
GS
= -10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 4.7
(外部)
39
86
38
150
V
GS
= -10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
36
70
0.42
0.25
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
端子: 1 - 门
3 - 来源
2 - 漏极
标签 - 漏
1
2
3
的TO- 247的AD概要
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G( ON)的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
V
DS
= -10 V ;我
D
= I
D25
,脉冲测试
DIM 。
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
测试条件
V
GS
= 0
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
-25
-200
-3
180
A
A
V
ns
毫米
分钟。马克斯。
A
4.7
5.3
2.2
2.54
A
1
A
2
2.2
2.6
b
1.0
1.4
b
1
1.65
2.13
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
重复;脉冲宽度限制T
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试,T
300
s,
占空比
2 %
I
F
= I
S
,的di / dt = 100 A / μs的,V
R
= -50 V
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖
一个或moreof以下美国专利:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
IXTH 50P085
图。 1.输出Characte RIS抽动
@ 25度。
-50
-45
-40
V
GS
= -10V
-9V
-8V
-140
-120
-100
-80
-60
-40
-20
-5V
0
0
-0.5
-1
-1.5
-2
-2.5
0
-2
-4
-6
-8
-7V
-6V
-5V
-10
-12
-14
-16
-18
-20
-9V
图。 2. EXTE nded输出特性
@ 25代克。
V
GS
= -10V
I
D
- 安培
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
-6V
-7V
I
D
- 安培
-35
-8V
V
S
- 伏特
图。 3.输出Characte RIS抽动
@ 125度。
-50
-45
-40
V
GS
= -10V
-9V
2
1.8
V
GS
= -10V
V
S
- 伏特
图。 4.
DS ( ON)
规范艾莉婕d可我
D25
值与
结テ米PE叉涂抹
R
S(上)
- 归
-8V
I
D
- 安培
-35
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
0
-1
-2
-3
-4
-5
-5V
-6V
-7V
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= -50A
I
D
= -25A
V
S
- 伏特
图。 5.
DS ( ON)
规范艾莉婕d可我
D25
价值VS 。我
D
2.4
2.2
V
GS
= -10V
-55
-50
-45
T
J
- 摄氏
图。 6.漏Curre NT与中科院é
TE米PE叉涂抹
R
S(上)
- 归
2
-40
I
D
- 安培
-100
-125
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0
-25
-50
T
J
= 125C
-35
-30
-25
-20
-15
T
J
= 25C
-10
-5
0
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
- 安培
版权所有2004 IXYS所有权利。
T
C
- 摄氏
IXTH 50P085
图。 7.输入上将ittance
-150
40
35
T
J
= -40C
25C
125C
T
J
= -40C
25C
125C
图。 8.跨导
-125
-100
I
D
- 安培
g
F小号
- 西门子
-9
-1
0
-1
1
30
25
20
15
10
-75
-50
-25
0
-4
-5
-6
-7
-8
5
0
0
-25
-50
-75
-100
-125
-150
V
的s
- 伏特
图。 9.源电流和源TO -
漏极电压
-150
-10
-9
-125
-100
-8
-7
V
DS
= -50V
I
D
= -25A
I
G
= -1mA
I
D
- 安培
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
V
的s
- 伏特
T
J
= 25C
-3
-3.5
-4
-6
-5
-4
-3
-2
-1
-75
T
J
= 125C
-50
-25
0
-0.5
-1
-1.5
-2
-2.5
0
0
20
40
60
80
100
120
140
V
S.D。
- 伏特
图。 11.电容
6000
F = 1MHz的
5000
1.00
Q
G
- nanocoulombs
图。 12.马克西姆嗯瞬态千卡人
阻力
电容 - pF的
4000
国际空间站
R
( TH) J·C
- ( C / W)
3000
OSS
0.10
2000
1000
RSS
0
0
-5
-10
-15
0.01
-25
-30
-35
-40
1
10
100
1000
-20
V
S
- 伏特
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
脉冲宽度 - 毫秒
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IXTH50P085
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1316996791 复制

电话:18913062888
联系人:陈先生
地址:江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
IXTH50P085
IXYS
24+
9000
TO-247-3
原装正品现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
IXTH50P085
IXYS
24+
10000
TO-247(IXTH)
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
IXTH50P085
IXYS/艾赛斯
2443+
23000
TO-247
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
IXTH50P085
IXYS
24+
19000
TO-247(IXTH)
全新原装现货,原厂代理。
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电话:171-4729-9698(微信同号)
联系人:周小姐,171-4729-9698微信同号,无线联通更快捷!
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24+
3000
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★体验愉快问购元件!!就找我吧!《停产物料》
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电话:0755-23915992/23140719
联系人:李
地址:深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1709室
IXTH50P085
IXYS
24+
2177
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公司大量 现货随时可以发货
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电话:0755-23915992/23140719
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1709室
IXTH50P085
IXYS
24+
2177
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公司大量 现货随时可以发货
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电话:0755-82789296
联系人:朱先生/公司可以开13%的税
地址:深圳市福田区华强北振兴路华康大厦2栋211室。
IXTH50P085
IXYS
1504+
8600
TO-247
一级代理原装现货热卖!
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电话:021-51872165/51872561
联系人:陈小姐 付先生
地址:上海市黄浦区北京东路668号科技京城西楼
IXTH50P085
IXYS/艾赛斯
20+
26000
TO-247
全新原装 货期两周
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
IXTH50P085
IXYS/艾赛斯
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12300
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