【HiPerFETTM功率MOSFETQ2-ClassIXFL38N100Q2N沟道增强模式额定雪崩，】,IC型号IXFL38N100Q2,IXFL38N100Q2 PDF资料,IXFL38N100Q2经销商,ic,电子元器件-51电子网

HiPerFET

功率MOSFET

Q2-Class

IXFL38N100Q2

N沟道增强模式

额定雪崩，低Q

，低的固有

高dv / dt ，低吨

符号

DSS

DGR

GSS

GSM

D25

dv / dt的

英镑

出售

ISOL

重量

从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）

塑料机身10秒

安装力

50/60赫兹， RMS

ISOL

≤

1毫安

T = 1分

t=1s

测试条件

= 25 ℃至150 ℃的

= 25° C到150° C，R

= 1MΩ

连续

短暂

= 25°C

= 25 ° C，脉冲宽度限制T

= 25°C

≤

, V

≤

DSS

, T

≤

150°C

= 25°C

最大额定值

1000

152

380

-55 ... +150

150

-55 ... +150

300

260

30..120/6.7..27

2500

3000

V / ns的

°C

N /磅

DSS

D25

DS （ ON）

≤

1000V

29A

280mΩ

300ns

ISOPLUS264

（ IXFL ）

孤立的标签

G =门

S =源

D =漏

特点

电气隔离安装标签

双金属工艺的低门

阻力

非钳位感应开关

（ UIS ）额定

低封装电感

- 易于驾驶和保护

快速内在二极管

应用

DC- DC转换器

开关模式和谐振模

电源

直流斩波器

脉冲产生

激光驱动器

优势

2500 V 电气隔离

ISOPLUS 264

包剪辑或

弹簧安装

节省空间

高功率密度

符号

测试条件

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。

典型值。马克斯。

1000

3.0

5.5

200

= 125°C

DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

DS （ ON）

= 0 V，I

= 1毫安

= V

, I

= 8毫安

±30

V, V

= 0V

= V

DSS

= 0V

= 10V ，我

= 19A ，注1

100

μA

5毫安

280 mΩ

DS99512A(05/08)

IXFL38N100Q2

符号

测试条件

= 25 ° C，除非另有规定编）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

G（ ON）的

thJC

乡镇卫生院

0.13

= 10V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= 19A

电阻开关时间

= 10V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= 19A

= 1Ω （外部）

= 0V, V

= 25V ， F = 1MHz的

= 20V ，我

= 19A ，注1

特征值

分钟。

典型值。

马克斯。

13.5

1035

180

250

105

0.33

° C / W

注：底部散热片满足

ISOPLUS264

（ IXFL ）大纲

源极 - 漏极二极管

符号

测试条件

= 25 ° C，除非另有规定编）

= 0V

重复，脉冲宽度为T有限公司

= I

, V

= 0V ，说明1

= 25A ，V

= 0V

-di / DT = 100 A / μs的

= 100 V

特征值

分钟。

典型值。

马克斯。

152

1.5

300

1.4

9.0

参考文献： IXYS有限公司0128

μC

注： 1.脉冲检验，t

≤

300μS ，占空比D

≤

2 %.

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT覆盖

4,835,592

通过以下一种或多项美国专利： 4850072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,381,025

5,486,715

6,162,665

6,259,123 B1

6,306,728 B1

6,404,065 B1

6,534,343

6,583,505

6,683,344

6,727,585

7,005,734 B2

6,710,405 B2 6,759,692

7,063,975 B2

6,710,463

6,771,478 B2 7,071,537

7,157,338B2

IXFL38N100Q2

图。 1.输出特性

@ 25C

= 1

图。 2.扩展的输出特性

@ 25C

- 安培

- 伏特

0 1

2 1 1

4 6

- 伏特

20 22 24

图。 3.输出特性

@ 125C

= 1

3.2

2.8

图。 4.

DS （ ON）

归到我

= 19A

值与结温

= 1

S（上）

- 归

- 安培

2.4

2.0

0.8

0.4

-50

= 38A

= 1

-25

- 伏特

- 摄氏

图。 5.

DS （ ON）

归到我

= 19A

值与漏电流

2.6

2.4

= 1

= 125

-50

图。 6.漏电流与案例

温度

S（上）

- 归

2.2

2.0

0.8

= 25

- 安培

-25

- 安培

- 摄氏

IXFL38N100Q2

图。 7.输入导纳

= - 40

图。 8.跨导

- 安培

F小号

- 西门子

3.0

3.5

= 1

- 40

4.0

4.5

5.0

5.5

6.0

- 伏特

- 安培

图。 9.源电流和源TO -

漏极电压

图。 10.栅极电荷

= 500V

= 1

0mA

- 安培

的s

- 伏特

= 25

0.2

0.4

0.6

0.8

= 1

200

250

- 伏特

- nanocoulombs

图。 11.电容

00000

f=1

兆赫

国际空间站

图。 12.最大瞬态热

阻抗

电容 - pF的

J·C

- （°C / W

)

（ TH ）

0000

0.1

OSS

000

RSS

0.01

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

- 伏特

脉冲宽度 - 秒

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS REF ： F_38N100Q2 （ 95 ） 08年5月27日-B

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24+

9000

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原装正品现货

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ISOPLUS264?

【原装优势★★★绝对有货】

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IXYS

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原厂一级代理，原装现货

深圳市创芯联盈电子有限公司

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IXYS/艾赛斯

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一级代理专营，原装现货，价格优势

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全新原装现货，原厂代理。

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联系人：李

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24+

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MODULE

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59620

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原装正品华强现货

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联系人：销售部

地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房

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专营IXYS

2024

35910

TO-264

原装现货上海库存，欢迎查询

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