IXTH 14N100
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
10
5650
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
400
150
24
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 2
,
（外部）
21
80
36
195
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
28
85
0.35
0.25
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
端子： 1 - 门
3 - 来源
2 - 漏极
标签 - 漏
1
2
3
的TO- 247的AD概要
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 7 A，脉冲测试
DIM 。
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
测试条件
V
GS
= 0 V
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
14
56
1.5
850
A
A
V
ns
毫米
英寸
分钟。
马克斯。
分钟。马克斯。
A
4.7
5.3
.185 .209
A
1
2.2
2.54
.087 .102
A
2
2.2
2.6
.059 .098
b
1.0
1.4
.040 .055
b
1
1.65
2.13
.065 .084
b
2
2.87
3.12
.113 .123
C
.4
.8
.016 .031
D 20.80 21.46
.819 .845
E
15.75 16.26
.610 .640
e
5.20
5.72 0.205 0.225
L
19.81 20.32
.780 .800
L1
4.50
.177
P 3.55
3.65
.140 .144
Q
5.89
6.40 0.232 0.252
R
4.32
5.49
.170 .216
S
6.15 BSC
242 BSC
重复;脉冲宽度限制T
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
I
F
= I
S
， -di / DT = 100 A / μs的，V
R
= 100 V
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-2
IXTH 14N100
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
10
5650
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
400
150
24
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 2
,
（外部）
21
80
36
195
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
28
85
0.35
0.25
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
端子： 1 - 门
3 - 来源
2 - 漏极
标签 - 漏
1
2
3
的TO- 247的AD概要
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 7 A，脉冲测试
DIM 。
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
测试条件
V
GS
= 0 V
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
14
56
1.5
850
A
A
V
ns
毫米
英寸
分钟。
马克斯。
分钟。马克斯。
A
4.7
5.3
.185 .209
A
1
2.2
2.54
.087 .102
A
2
2.2
2.6
.059 .098
b
1.0
1.4
.040 .055
b
1
1.65
2.13
.065 .084
b
2
2.87
3.12
.113 .123
C
.4
.8
.016 .031
D 20.80 21.46
.819 .845
E
15.75 16.26
.610 .640
e
5.20
5.72 0.205 0.225
L
19.81 20.32
.780 .800
L1
4.50
.177
P 3.55
3.65
.140 .144
Q
5.89
6.40 0.232 0.252
R
4.32
5.49
.170 .216
S
6.15 BSC
242 BSC
重复;脉冲宽度限制T
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
I
F
= I
S
， -di / DT = 100 A / μs的，V
R
= 100 V
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-2
QQ：2881677436 复制
