初步技术信息
耗尽型
MOSFET
IXTA6N50D2
IXTP6N50D2
IXTH6N50D2
V
DSX
I
D（上）
R
DS （ ON）
=
＆ GT ;
≤
500V
6A
Ω
500mΩ
N沟道
TO- 263 AA （ IXTA ）
G
S
D（ TAB ）
符号
V
DSX
V
GSX
V
GSM
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
连续
短暂
T
C
= 25°C
最大额定值
500
±20
±30
300
- 55 ... +150
150
- 55 ... +150
V
V
V
W
°C
°C
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
g
g
g
G
D
G
DS
D（ TAB ）
TO- 220AB （ IXTP ）
TO- 247 （ IXTH ）
1.6毫米（ 0.062英寸）从案例10秒
塑料机身10秒
安装扭矩（ TO- 220 & TO- 247 ）
TO-263
TO-220
TO-247
300
260
1.13 / 10
2.5
3.0
6.0
S
D（ TAB ）
D
=漏
TAB =漏
G =门
S =源
特点
常开模式
国际标准封装
成型环氧符合UL 94 V- 0
易燃性分类科幻阳离子
V
- 4.0
V
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
应用
音频放大器
启动电路
保护电路
斜坡发生器
电流调节器
有源负载
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
BV
DSX
V
GS （ OFF ）
I
GSX
I
DSX （关闭）
R
DS （ ON）
I
D（上）
V
GS
= - 5V ，我
D
= 250μA
V
DS
= 25V ，我
D
= 250μA
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
DS
= V
DSX
, V
GS
= - 5V
V
GS
= 0V时，我
D
= 3A ，注1
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ，注1
T
J
= 125°C
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
500
- 2.0
±100
nA
5
μA
50
μA
500 mΩ
6
A
2009 IXYS公司，版权所有
DS100177A(12/09)
IXTA6N50D2 IXTP6N50D2
IXTH6N50D2
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
TO-220
TO-247
V
GS
= 5V, V
DS
= 250V ，我
D
= 3A
电阻开关时间
V
GS
=
±5V,
V
DS
= 250V ，我
D
= 3A
R
G
= 2.4Ω （外部）
V
GS
= -10V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
DS
= 30V ，我
D
= 3A ，注1
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
2.8
4.5
2800
255
64
28
72
82
43
96
11
48
0.50
0.21
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.41
° C / W
° C / W
° C / W
引脚：
1 - GATE
3 - 来源
2 - 漏极
4 - 漏极
TO- 220 （ IXTP ）大纲
安全工作，规范区
符号
SOA
测试条件
V
DS
= 400V ，我
D
= 0.45A ，T
C
= 75 ° C， TP = 5S
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
180
W
TO- 247 （ IXTH ） AD纲要
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
0.8
350
16
2.8
1.3
V
ns
A
μC
源极 - 漏极二极管
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
V
SD
t
rr
I
RM
Q
RM
I
F
= 6A ，V
GS
= -10V ，注1
I
F
= 3A ， -di / DT = 100A / μs的
V
R
= 100V, V
GS
= -10V
注1.脉冲检验，t
≤
300μS ，占空比D
≤
2%.
TO- 263 （ IXTA ）大纲
DIM 。
A
b
b2
c
c2
D
D1
E
1.
2.
3.
4.
门
漏
来源
漏
E1
e
L
L1
L2
L3
毫米
分钟。
马克斯。
4.06
0.51
1.14
0.40
1.14
8.64
8.00
9.65
4.83
0.99
1.40
0.74
1.40
9.65
8.89
10.41
8.13
BSC
15.88
2.79
1.40
1.78
英寸
分钟。马克斯。
.160
.020
.045
.016
.045
.340
.280
.380
.270
.100
.575
.090
.040
.050
.190
.039
.055
.029
.055
.380
.320
.405
.320
BSC
.625
.110
.055
.070
1 - 门
2 - 漏
3 =来源
6.22
2.54
14.61
2.29
1.02
1.27
初步技术信息
本文中所呈现的产品正在开发中。所提供的技术规格衍生
从过程的初步工程很多客观的刻画收集的数据;但也可能还
包含在预生产设计评价提供了一些信息。 IXYS保留权利
更改限制，试验条件和尺寸，恕不另行通知。
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
7,157,338B2
IXTA6N50D2 IXTP6N50D2
IXTH6N50D2
图。 13.电容
10,000
5
4
3
V
DS
= 250V
I
D
= 3A
I
G
= 10毫安
图。 14.栅极电荷
电容 - 皮法
西塞
1,000
2
科斯
V
GS
- 伏特
1
0
-1
-2
100
CRSS
-3
-4
-5
f
= 1兆赫
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
V
DS
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 15.正向偏置安全工作区
@ T
C
= 25C
100.0
R
DS （ ON）
极限
100s
10.0
10.0
100.0
图。 16.正向偏置安全工作区
@ T
C
= 75C
R
DS （ ON）
极限
25s
100s
I
D
- 安培
1ms
10ms
100ms
T
J
= 150C
T
C
= 25C
单脉冲
0.1
10
100
1,000
DC
I
D
- 安培
1ms
1.0
T
J
= 150C
T
C
= 75C
单脉冲
0.1
10
100
1,000
1.0
10ms
100ms
DC
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
图。 17.最大瞬态热阻抗
1.000
Z
（日） JC
- C / W
0.100
0.010
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度 - 秒
2009 IXYS公司，版权所有
IXYS REF ： T_6N50D2 （ 6C ） 09年8月13日
QQ：2880707522 复制
