【PD - 94434汽车MOSFETIRF2204典型应用●●HEXFET功率MOSFETD电动助力】,IC型号IRF2204,IRF2204 PDF资料,IRF2204经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD - 94434

汽车MOSFET

IRF2204

典型应用

●

HEXFET

功率MOSFET

D

电动助力转向

14伏汽车电气系统

先进的工艺技术

超低导通电阻

动态的dv / dt额定值

175 ° C工作温度

快速开关

重复性雪崩中允许多达TJMAX

V

DSS

= 40V

G

S

特点

●

R

DS （ ON）

= 3.6m

I

D

= 210A

描述

专为汽车应用，这HEXFET

功率MOSFET

利用最新的加工技术，以实现极低的导通电阻

每硅片面积。这种设计的附加功能是175 ° C的结工作

温度，开关速度快，提高了重复性雪崩额定值。

这些功能结合起来，使这个设计非常高效和可靠的

装置，用于在汽车应用中使用，各种其他应用程序。

TO-220AB

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

E

AS

I

AR

E

AR

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量？

雪崩电流？

重复性雪崩能量？

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3螺丝

马克斯。

210

150

850

330

2.2

± 20

460

看到图12a ， 12b中，15，16

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅在（ 1.1N m）的

单位

A

W

W / ℃，

V

mJ

A

mJ

°C

热阻

参数

R

θJC

R

θCS

R

θJA

结到外壳

案件到水槽，平面，脂表面

结到环境

典型值。

–––

0.50

–––

马克斯。

0.45

–––

62

单位

° C / W

www.irf.com

1

08/07/02

IRF2204

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

D

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

OSS

C

OSS

C

OSS

EFF 。

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

输出电容

有效输出电容

分钟。

40

–––

2.0

120

–––

典型值。

–––

0.041

3.0

–––

130

35

39

15

140

62

110

4.5

7.5

5890

1570

130

8000

1370

2380

MAX 。单位

条件

–––

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安

3.6

毫欧V

GS

= 10V ，我

D

= 130A

4.0

V

DS

= 10V ，我

D

= 250A

–––

S

V

DS

= 10V ，我

D

= 130A

20

V

DS

= 40V, V

GS

= 0V

A

250

V

DS

= 32V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

200

V

GS

= 20V

nA

-200

V

GS

= -20V

200

I

D

= 130A

52

NC V

DS

= 32V

59

V

GS

= 10V

–––

V

DD

= 20V

–––

I

D

= 130A

ns

–––

R

G

= 2.5

–––

V

GS

= 10V

D

铅之间，

–––

6毫米（0.25英寸）。

nH

G

从包

–––

而中心的模具接触

S

–––

V

GS

= 0V

–––

pF

V

DS

= 25V

–––

= 1.0MHz的，见图。五

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 1.0V ， = 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 32V ， = 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 0V至32V

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

D

MOSFET符号

––– ––– 210

展示

A

G

整体反转

––– ––– 850

S

p-n结二极管。

––– ––– 1.3

V

T

J

= 25 ° C，I

S

= 130A ，V

GS

= 0V

––– 68 100

ns

T

J

= 25 ° C，I

F

= 130A

––– 120 180

NC的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

2

www.irf.com

IRF2204

10000

顶部

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

4.5V

10000

顶部

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

1000

底部

1000

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

底部

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

4.5V

100

4.5V

10

20μs的脉冲宽度

T

J

= 25

°

C

1

0.1

1

10

100

20μs的脉冲宽度

T

J

= 175

°

C

1

0.1

1

10

100

V

DS

漏极至源极电压（ V）

,

V

DS

漏极至源极电压（ V）

,

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000.00

2.5

I

D

= 210A

ID ，漏 - 源电流

(Α

)

T J = 175℃

2.0

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

1.5

100.00

T J = 25°C

1.0

0.5

10.00

4.0

5.0

6.0

VDS = 25V

20μs的脉冲宽度

7.0

8.0

9.0

10.0

V

GS

= 10V

0.0

-60

-40

-20

0

20

40

60

80

100 120 140 160 180

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温

(

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

www.irf.com

3

IRF2204

100000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞= C + Cgd的，C

gs

DS短路

CRSS = C

gd

COSS = C + C

DS GD

12

I

D

=

130A

V

DS

= 32V

V

DS

= 20V

10

10000

西塞

科斯

1000

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

C，电容（pF ）

8

6

CRSS

100

4

2

10

1

10

100

0

30

60

90

120

150

VDS ，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000

10000

在这一领域

限于由R DS （ ON）

T

J

= 175

°

C

100

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

1000

I

SD

，反向漏电流（ A）

10

100

100sec

1msec

T

J

= 25

°

C

1

10

TC = 25°C

TJ = 175℃

单脉冲

1

10

VDS ，漏toSource电压（V ）

10msec

V

GS

= 0 V

0.1

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

100

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

www.irf.com

IRF2204

250

不限按包

V

DS

V

GS

R

G

R

D

200

D.U.T.

+

I

D

，漏电流（ A）

-

V

DD

150

10V

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

100

图10A 。

开关时间测试电路

50

V

DS

90%

0

25

50

75

100

125

150

175

T

C

，外壳温度（ ° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图10B 。

开关时间波形

1

(Z

thJC

)

D = 0.50

0.1

0.20

0.10

热响应

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

P

DM

t

1

t

2

注意事项：

1.占空比系数D =

2.峰值牛逼

t

1

/ t

2

+T

C

1

J

= P

DM

X Z

thJC

0.001

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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PD - 94434

汽车MOSFET

IRF2204

典型应用

●

HEXFET

功率MOSFET

D

电动助力转向

14伏汽车电气系统

先进的工艺技术

超低导通电阻

动态的dv / dt额定值

175 ° C工作温度

快速开关

重复性雪崩中允许多达TJMAX

V

DSS

= 40V

G

S

特点

●

R

DS （ ON）

= 3.6m

I

D

= 210A

描述

专为汽车应用，这HEXFET

功率MOSFET

利用最新的加工技术，以实现极低的导通电阻

每硅片面积。这种设计的附加功能是175 ° C的结工作

温度，开关速度快，提高了重复性雪崩额定值。

这些功能结合起来，使这个设计非常高效和可靠的

装置，用于在汽车应用中使用，各种其他应用程序。

TO-220AB

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

E

AS

I

AR

E

AR

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量？

雪崩电流？

重复性雪崩能量？

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3螺丝

马克斯。

210

150

850

330

2.2

± 20

460

看到图12a ， 12b中，15，16

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅在（ 1.1N m）的

单位

A

W

W / ℃，

V

mJ

A

mJ

°C

热阻

参数

R

θJC

R

θCS

R

θJA

结到外壳

案件到水槽，平面，脂表面

结到环境

典型值。

–––

0.50

–––

马克斯。

0.45

–––

62

单位

° C / W

www.irf.com

1

08/07/02

IRF2204

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

D

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

OSS

C

OSS

C

OSS

EFF 。

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

输出电容

有效输出电容

分钟。

40

–––

2.0

120

–––

典型值。

–––

0.041

3.0

–––

130

35

39

15

140

62

110

4.5

7.5

5890

1570

130

8000

1370

2380

MAX 。单位

条件

–––

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安

3.6

毫欧V

GS

= 10V ，我

D

= 130A

4.0

V

DS

= 10V ，我

D

= 250A

–––

S

V

DS

= 10V ，我

D

= 130A

20

V

DS

= 40V, V

GS

= 0V

A

250

V

DS

= 32V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

200

V

GS

= 20V

nA

-200

V

GS

= -20V

200

I

D

= 130A

52

NC V

DS

= 32V

59

V

GS

= 10V

–––

V

DD

= 20V

–––

I

D

= 130A

ns

–––

R

G

= 2.5

–––

V

GS

= 10V

D

铅之间，

–––

6毫米（0.25英寸）。

nH

G

从包

–––

而中心的模具接触

S

–––

V

GS

= 0V

–––

pF

V

DS

= 25V

–––

= 1.0MHz的，见图。五

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 1.0V ， = 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 32V ， = 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 0V至32V

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

D

MOSFET符号

––– ––– 210

展示

A

G

整体反转

––– ––– 850

S

p-n结二极管。

––– ––– 1.3

V

T

J

= 25 ° C，I

S

= 130A ，V

GS

= 0V

––– 68 100

ns

T

J

= 25 ° C，I

F

= 130A

––– 120 180

NC的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

2

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IRF2204

10000

顶部

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

4.5V

10000

顶部

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

1000

底部

1000

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

底部

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

4.5V

100

4.5V

10

20μs的脉冲宽度

T

J

= 25

°

C

1

0.1

1

10

100

20μs的脉冲宽度

T

J

= 175

°

C

1

0.1

1

10

100

V

DS

漏极至源极电压（ V）

,

V

DS

漏极至源极电压（ V）

,

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000.00

2.5

I

D

= 210A

ID ，漏 - 源电流

(Α

)

T J = 175℃

2.0

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

1.5

100.00

T J = 25°C

1.0

0.5

10.00

4.0

5.0

6.0

VDS = 25V

20μs的脉冲宽度

7.0

8.0

9.0

10.0

V

GS

= 10V

0.0

-60

-40

-20

0

20

40

60

80

100 120 140 160 180

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温

(

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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3

IRF2204

100000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞= C + Cgd的，C

gs

DS短路

CRSS = C

gd

COSS = C + C

DS GD

12

I

D

=

130A

V

DS

= 32V

V

DS

= 20V

10

10000

西塞

科斯

1000

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

C，电容（pF ）

8

6

CRSS

100

4

2

10

1

10

100

0

30

60

90

120

150

VDS ，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000

10000

在这一领域

限于由R DS （ ON）

T

J

= 175

°

C

100

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

1000

I

SD

，反向漏电流（ A）

10

100

100sec

1msec

T

J

= 25

°

C

1

10

TC = 25°C

TJ = 175℃

单脉冲

1

10

VDS ，漏toSource电压（V ）

10msec

V

GS

= 0 V

0.1

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

100

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

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IRF2204

250

不限按包

V

DS

V

GS

R

G

R

D

200

D.U.T.

+

I

D

，漏电流（ A）

-

V

DD

150

10V

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

100

图10A 。

开关时间测试电路

50

V

DS

90%

0

25

50

75

100

125

150

175

T

C

，外壳温度（ ° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图10B 。

开关时间波形

1

(Z

thJC

)

D = 0.50

0.1

0.20

0.10

热响应

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

P

DM

t

1

t

2

注意事项：

1.占空比系数D =

2.峰值牛逼

t

1

/ t

2

+T

C

1

J

= P

DM

X Z

thJC

0.001

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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