【PolarHVTM功率MOSFETN沟道增强模式额定雪崩IXTA 3N50PIXTP 3N50PIX】,IC型号IXTA3N50P,IXTA3N50P PDF资料,IXTA3N50P经销商,ic,电子元器件-51电子网

PolarHV

功率MOSFET

N沟道增强模式

额定雪崩

IXTA 3N50P

IXTP 3N50P

IXTY 3N50P

DSS

D25

DS （ ON）

= 500 V

= 3.6 A

≤

2.0

符号

DSS

DGR

GSS

GSM

D25

dv / dt的

英镑

出售

重量

测试条件

= 25 ℃至150 ℃的

= 25 ℃至150 ℃;

= 1 M

最大额定值

500

±30

±40

V / ns的

°C

的TO-220 （ IXTP ）

= 25° C

= 25 ℃，脉冲宽度限制T

= 25° C

≤

， di / dt的

≤

100 A / μs的，V

≤

DSS

≤

150℃ ，R

= 20

= 25° C

3.6

180

-55 ... +150

150

-55 ... +150

（ TAB ）

TO- 263 （ IXTA ）

（ TAB ）

TO- 252 （ IXTY ）

（ TAB ）

G =门

S =源

D =漏

TAB =漏

从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）

塑料机身10秒

安装力矩

TO-220

TO-263

TO-252

(TO-220)

300

260

1.13 / 10牛米/ lb.in 。

0.8

特点

符号

测试条件

= 25 ℃，除非另有规定）

DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

DS （ ON）

= 0 V，I

= 250

= V

, I

= 50A

30 V

, V

= 0

= V

DSS

= 0 V

= 125° C

特征值

MIN 。 TYP 。

马克斯。

500

3.0

5.5

±100

2.0

国际标准封装

非钳位感应开关（ UIS）

评级

低封装电感

- 易于驾驶和保护

优势

易于安装

节省空间

高功率密度

= 10 V，I

= 0.5 I

D25

脉冲测试，T

≤

300

占空比

≤

2 %

2006 IXYS所有权利

DS99200E(12/05)

IXTA 3N50P IXTP 3N50P

IXTY 3N50P

符号

测试条件

特征值

= 25 ℃，除非另有规定）

分钟。

典型值。

马克斯。

2.5

3.5

409

= 0 V, V

= 25 V ， F = 1兆赫

6.1

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= I

D25

= 20

（外部）

9.3

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= 0.5 I

D25

3.3

3.4

1.8 ° C / W

(TO-220)

0.25

C / W

TO- 263 （ IXTA ）大纲

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

G（ ON）的

thJC

乡镇卫生院

= 10 V ;我

= 0.5 I

D25

，脉冲测试

源极 - 漏极二极管

符号

测试条件

= 0 V

重复

特征值

= 25 ℃，除非另有规定）

分钟。

典型值。

马克斯。

1.5

400

TO- 220 （ IXTP ）大纲

= I

, V

= 0 V,

脉冲测试，T

≤

300

占空比

≤

2 %

= 3 A， -di / DT = 100 A / μs的

= 100 V, V

= 0 V

TO- 252 AA （ IXTY ）大纲

DIM 。

毫米

分钟。马克斯。

2.19

0.89

0.64

0.76

5.21

0.46

5.97

4.32

6.35

4.32

2.38

1.14

0.13

0.89

1.14

5.46

0.58

6.22

5.21

6.73

5.21

英寸

分钟。

0.086

0.035

0.025

0.030

0.205

0.018

0.235

0.170

0.250

0.170

马克斯。

0.094

0.045

0.005

0.035

0.045

0.215

0.023

0.245

0.205

0.265

0.205

销： 1 - 门

3 - 来源

2 - 漏极

4 - 漏极

2.28 BSC

4.57 BSC

9.40 10.42

0.51 1.02

0.64

0.89

2.54

1.02

1.27

2.92

0.090 BSC

0.180 BSC

0.370

0.020

0.025

0.035

0.100

0.410

0.040

0.050

0.115

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT均受4835592

一个或moreof以下美国专利： 4850072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,381,025

5,486,715

6,162,665

6,259,123 B1

6,306,728 B1

6,404,065 B1

6,534,343

6,583,505

6,683,344

6,710,405B2

6,710,463

6,727,585

6,759,692

6,771,478 B2

IXTA 3N50P IXTP 3N50P

IXTY 3N50P

图。 1.输出煤焦ACTE r是抽动

@ 25

2.7

2.4

2.1

= 10V

图。 2. EXTE NDE D输出煤焦ACTE r是抽动

@ 25

- 安培

1.8

1.5

1.2

0.9

0.6

0.3

- 安培

- V OLTS

图。 3.输出煤焦ACTE r是抽动

@ 125

2.7

2.4

= 10V

- V OLTS

图。 4.

S（上

)

也不米aliz E D为0.5升

D 25

价值VS 。结テ米PE ATUR ê

2.50

2.25

= 10V

S（O N）

- 归

2.00

1.75

1.50

1.25

1.00

0.75

0.50

= 1.5A

= 3A

- 安培

2.1

1.8

1.5

1.2

0.9

0.6

0.3

-50

-25

100

125

150

- V OLTS

图。 5.

S（上）

也不米aliz E D以

0.5 I

D 25

价值VS 。我

3.2

= 10V

2.8

- 摄氏

图。 6.艾因币种博士鄂西北VS 。 CAS ê

TE米PE ATURE

3.5

3.0

= 125

S（O N）

- 归

- 安培

= 25

2.4

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

2.0

1.6

1.2

0.8

- 一个mperes

2006 IXYS所有权利

-50

-25

100

125

150

- 摄氏

IXTA 3N50P IXTP 3N50P

IXTY 3N50P

图。 7.输入上将ittance

图。 8.跨导

= -40

125

= 125

-40

F小号

- 西门子

6.5

- 安培

4.5

5.5

的s

- V OLTS

图。 9.嗖 CE铜R R鄂西北VS 。

酸味CE以诚医生艾因V oltage

- 安培

图。 10.门戈字符

= 250V

= 1.5A

=一千万

- 安培

的s

- 伏特

= 25

0.5

0.55

0.6

0.65

0.7 0.75

0.8

0.85

0.9

0.95

= 125

S.D。

- V OLTS

- nanocoulombs

图。 11.电容

1000

图。 12.瓦特AR D-偏置

安全Ope宇宙阿婷氩E A

S（上）

LIM它

电容 - 皮法

C为S

25s

- 安培

100

100s

1米s

10米s

OS s

F = 1MH

= 150C

= 25C

0.1

100

1000

- V OLTS

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

- V OLTS

IXTA 3N50P IXTP 3N50P

IXTY 3N50P

图。 13.最大瞬态热阻

10.0

T H， J·C

- C / W

1.0

0.1

100

1000

ulse宽度 - 米

illiseconds

2006 IXYS所有权利

查看更多IXTA3N50PPDF信息

供货商

型号

厂家

批号

数量

封装

单价/备注

操作

深圳市壹芯创科技有限公司

QQ：

QQ：2880707522 复制

QQ：2369405325 复制

电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

IXTA3N50P

终端采购配单精选

柒号芯城电子商务（深圳）有限公司

QQ：

QQ：2881677436 复制

QQ：2881620402 复制

电话：18922805453

联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

IXTA3N50P

终端采购配单精选

更多配单专家

江苏芯钻时代电子科技有限公司

QQ：

QQ：1316996791 复制

电话：18913062888

联系人：陈先生

地址：江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号

IXTA3N50P

IXYS

24+

9000

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

原装正品现货

深圳市芯泽盛世科技有限公司

QQ：

QQ：2881147140 复制

电话：0755-89697985

联系人：李

地址：深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822

IXTA3N50P

IXYS

24+

10000

TO-263AA

原厂一级代理，原装现货

深圳市创芯联盈电子有限公司

QQ：

QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559

联系人：陈泽强

地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318

IXTA3N50P

IXYS/艾赛斯

2443+

23000

TO-263

一级代理专营，原装现货，价格优势

深圳市诺洋电子科技有限公司

QQ：

QQ：2881501652 复制

QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003

联系人：朱

地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316

IXTA3N50P

IXYS

24+

19000

TO-263AA

全新原装现货，原厂代理。

深圳市深科创科技有限公司

QQ：

QQ：3350142453 复制

QQ：2885393564 复制

电话：0755-83247290

联系人：吴先生/吴小姐/李小姐

地址：深圳市福田区航都大厦17F1

IXTA3N50P

IXYS

23+

1980

TO-263AB

绝对进口原装，公司现货

深圳市科雨电子有限公司

QQ：

QQ：97877807 复制

电话：171-4755-1968（微信同号）

联系人：周小姐171-4755-1968微信同号，无线联通更快捷！

地址：体验愉快问购元件！帮您做大生意！！深圳市福田区3037号南光捷佳大厦2418室

IXTA3N50P

IXYS

24+

174570

TO-263

体验愉快问购元件！！就找我吧!

深圳市科雨电子有限公司

QQ：

QQ：97877805 复制

电话：171-4729-0036（微信同号）

联系人：卢小姐，171-4729-0036微信同号，无线联通更快捷

地址：体验愉快问购元件！帮您做大生意！！深圳市福田区3037号南光捷佳大厦2418室

IXTA3N50P

IXYS

24+

3675

TO-263

18￥/片,★体验愉快问购元件！！就找我吧!单价:18元

上海熠富电子科技有限公司

QQ：

QQ：892174007 复制

QQ：2300949663 复制

QQ：2719079875 复制

电话：15821228847 // 13764057178 // 15026993318

联系人：销售部

地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房

IXTA3N50P

IXYS

2024

22700

TO-263

原装现货上海库存，欢迎查询

北京元坤国际科技有限公司

QQ：

QQ：1584878981 复制

QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791

联系人：何小姐

地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

IXTA3N50P

IXYS/艾赛斯

21+

15360

TO-263

全新原装正品/质量有保证

深圳市金泽顺电子有限公司

QQ：

QQ：1101329890 复制

QQ：1803862608 复制

电话：0755-８２７８９２９６

联系人：朱先生／公司可以开13％的税

地址：深圳市福田区华强北振兴路华康大厦2栋211室。

IXTA3N50P

IXYS

1504+

8600

TO-263

一级代理原装现货热卖!

查询更多IXTA3N50P供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司