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MOSFET
金属氧化物半导体场效应晶体管
的CoolMOS C6
600V的CoolMOS C6功率晶体管
IPx60R190C6
数据表
2.1版, 2010-02-09
最终科幻
工业&多元化
600V的CoolMOS C6功率晶体管
IPA60R190C6 , IPB60R190C6
IPI60R190C6 , IPP60R190C6
IPW60R190C6
1
描述
的CoolMOS 是一项革命性的技术,用于高压功率
的MOSFET ,根据超结( SJ )原理而设计
并率先通过英飞凌科技。的CoolMOS C6系列
结合了领先SJ MOSFET供应商与经验
高级的创新。所提供的设备提供的所有好处
快速开关SJ MOSFET ,同时不牺牲易用性。
极低的开关损耗和传导损耗使开关
应用更高效,更紧凑,更轻,冷却。
特点
极低造成的损失非常低的FOM
DSON
*Q
g
与ê
OSS
极高的耐用性减刑
易于使用/驱动器
JEDEC
1)
合格的无铅电镀,无卤素
销2
应用
PFC级,硬开关PWM阶段,谐振开关
PWM级的如PC Silverbox ,适配器, LCD & PDP电视,
灯光,服务器,电信, UPS和太阳能。
请注意:对于并联的MOSFET上使用铁氧体磁珠
栅或单独的图腾柱通常建议。
表1
参数
主要性能参数
价值
650
0.19
63
59
5.2
500
PG-TO247
PG-TO263
PG-TO262
PG-TO220
PG- TO220 FULLPAK
6R190C6
单位
V
nC
A
J
A / μs的
记号
销1
来源
3脚
V
DS
@
T
, MAX
R
DS ( ON) ,最大
Q
克,典型值
I
D,脉冲
E
OSS
@ 400V
体二极管D
i
/d
t
类型/订货代码
IPW60R190C6
IPB60R190C6
IPI60R190C6
IPP60R190C6
IPA60R190C6
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IFX C6投资组合
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1 ) J- STD20和JESD22
最终数据手册
2
2.1版, 2010-02-09
600V的CoolMOS C6功率晶体管
IPx60R190C6
目录
目录
1
2
3
4
5
6
7
8
描述
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
目录
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
最大额定值
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
热特性
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
电气特性
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
电气特性图
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
测试电路
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
包装纲要
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
修订历史
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
最终数据手册
3
2.1版, 2010-02-09
600V的CoolMOS C6功率晶体管
IPx60R190C6
最大额定值
2
最大额定值
at
T
j
= 25℃,除非另有规定。
表2
参数
连续漏电流
1)
漏电流脉冲
2)
雪崩能量,单脉冲
雪崩能量,重复
雪崩电流,重复性
MOSFET的dv / dt坚固
门源电压
功耗
的TO-220 ,TO- 247 ,TO- 262 ,TO- 263
功耗
的TO-220 FULLPAK
工作和存储温度
安装力矩
的TO-220 ,TO- 247
安装力矩
的TO-220 FULLPAK
连续二极管的正向电流
二极管脉冲电流
2)
反向二极管的dv / dt
3)
I
S
I
S,脉冲
dv / dt的
-
-
-
-
-
-
最大额定值
符号
分钟。
I
D
I
D,脉冲
E
AS
E
AR
I
AR
dv / dt的
V
GS
P
合计
P
合计
T
j
,T
英镑
-
-
-
-
-
-
-20
-30
-
-
-55
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
马克斯。
20.2
12.8
59
418
0.63
3.4
50
20
30
151
34
150
60
50
17.5
59
15
500
A
A
V / ns的
A / μs的
°C
NCM
M3和M3.5螺丝
M2.5螺丝
T
C
=25 °C
T
C
=25 °C
V
DS
= 0 ... 400 V,I
SD
I
D
,
T
j
=25 °C
(见表22 )
W
A
V / ns的
V
V
DS
=0...480 V
STATIC
AC( f>1赫兹)
T
C
=25 °C
A
mJ
A
T
C
= 25 °C
T
C
= 100°C
T
C
=25 °C
I
D
= 3.4 A,V
DD
=50 V
(见表21)
I
D
= 3.4 A,V
DD
=50 V
单位
注/测试条件
最大的二极管整流
di
f
/ DT
速度
3)
1 )通过有限
T
,最大值
最大占空比D = 0.75
2 )脉冲宽度
t
p
T
, MAX
3 )相同的偏低和具有相同的高边开关
R
G
最终数据手册
4
2.1版, 2010-02-09
600V的CoolMOS C6功率晶体管
IPx60R190C6
热特性
3
热特性
表3
参数
TO- 220 ( IPP60R190C6 )热特性, TO- 247 ( IPW60R190C6 ) , TO- 262 ( IPI60R190C6 )
符号
分钟。
-
-
-
-
-
-
典型值。
马克斯。
0.83
62
260
°C
° C / W
含铅
1.6毫米( 0.063英寸)
从案例10秒
单位
注意: /
测试条件
热阻,结 - 案
R
thJC
热阻,结 -
环境
焊接温度,
波峰焊只允许在
LEADS
表4
参数
R
thJA
T
出售
热特性TO- 220 FULLPAK ( IPA60R190C6 )
符号
分钟。
-
-
-
-
-
-
典型值。
马克斯。
3.7
80
260
°C
° C / W
含铅
1.6毫米( 0.063英寸)
从案例10秒
单位
注意: /
测试条件
热阻,结 - 案
R
thJC
热阻,结 -
环境
焊接温度,
波峰焊只允许在
LEADS
表5
参数
R
thJA
T
出售
TO- 263热特性( IPB60R190C6 )
符号
分钟。
-
-
-
-
典型值。
马克斯。
0.83
62
° C / W
SMD版本,设备
在PCB上,最小的
脚印
SMD版本,设备
在PCB上, 6厘米
2
冷却
区域
1)
260
°C
回流焊MSL1
单位
注意: /
测试条件
热阻,结 - 案
R
thJC
热阻,结 -
环境
R
thJA
35
焊接温度,
波&回流焊允许
T
出售
-
-
1 )设备上40毫米* 40毫米* 1.5毫米一层环氧树脂FR4 PCB与6厘米
2
铜面积(厚度为70μm )的漏极连接点。
PCB是垂直的无气流冷却。
最终数据手册
5
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    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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