【初步技术信息PolarPTM功率MOSFETP沟道增强模式额定雪崩TO- 263 （ IXTA ）I】,IC型号IXTA26P20P,IXTA26P20P PDF资料,IXTA26P20P经销商,ic,电子元器件-51电子网

初步技术信息

PolarP

功率MOSFET

P沟道增强模式

额定雪崩

TO- 263 （ IXTA ）

IXTA26P20P

IXTH26P20P

IXTP26P20P

IXTQ26P20P

TO- 247 （ IXTH ）

DSS

D25

DS （ ON）

≤

- 200V

- 26A

170mΩ

的TO-220 （ IXTP ）

D（ TAB ）

最大额定值

- 200

±20

±30

- 26

- 70

- 26

1.5

300

-55 ... +175

175

-55 ... +175

V / ns的

°C

纳米/ lb.in 。

D（ TAB ）

符号

DSS

DGR

GSS

GSM

D25

dv / dt的

英镑

出售

重量

测试条件

= 25 ℃至175 ℃的

= 25° C到175 ° C，R

= 1MΩ

连续

短暂

= 25°C

= 25 ° C，脉冲宽度限制T

= 25°C

≤

, V

≤

DSS

, T

≤

175°C

= 25°C

TO-3P （ IXTQ ）

D（ TAB ）

G =门

S =源

D =漏

TAB =漏

产品特点：

国际标准封装

快速内在二极管

动态的dv / dt评分

额定雪崩

坚固PolarP

过程

低Q

和R

DS （ ON）

表征

低漏 - 标签电容

低封装电感

- 易于驾驶和保护

应用范围：

海特侧开关

推挽放大器

直流斩波器

电流调节器

自动测试设备

优点：

低栅极电荷结果简单

驱动要求

改进的门，雪崩和

动态的dv / dt坚固

高功率密度

快速开关

1.6毫米（ 0.062英寸）从案例10秒

塑料机身10秒

安装力矩

TO-247

TO-3P

TO-220

TO-263

(TO-3P,TO-220,TO-247)

300

260

1.13/10

6.0

5.5

3.0

2.5

符号

测试条件

= 25 ° C，除非另有规定编）

DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

DS （ ON）

= 0V时，我

= -250

μA

= V

, I

= -250μA

±20V,

= 0V

= V

DSS

= 0V

= -10V ，我

= 0.5 I

D25

注意1

= 150°C

特征值

分钟。典型值。马克斯。

- 200

- 2.5

- 4.5

±100

- 10

μA

- 250

μA

170 mΩ

DS99913(10/07)

IXTA26P20P IXTP26P20P

IXTP26P20P IXTQ26P20P

符号

测试条件

= 25 ° C，除非另有规定编）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

G（ ON）的

thJC

乡镇卫生院

(TO-3P)(TO-247)

(TO-220)

源极 - 漏极二极管

符号

测试条件

= 25 ° C，除非另有规定编）

= 0V

重复

= -13A ，V

= 0V ，说明1

= -13A ， -di / DT = -100A / μs的

= -100V, V

= 0V

240

2.20

-18.0

特征值

MIN 。 TYP 。

马克斯。

- 26

- 104

- 3.0

μC

0.21

0.25

= -10V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= 0.5 I

D25

电阻开关时间

= -10V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= 0.5 I

D25

= 3.3Ω （外部）

= 0V, V

= -25V ， F = 1MHz的

= -10V ，我

= 0.5 I

D25

（注1 ）

特征值

分钟。

典型值。马克斯。

2920

540

100

0.5

° C / W

注1 ：脉冲检验，t

≤

300μS ;占空比D

≤

2%.

初步技术信息

本文中所呈现的产品正在开发中。所提供的技术规格衍生

从过程的初步工程很多客观的刻画收集的数据;但也可能还

包含在预生产设计评价提供了一些信息。 IXYS保留权利

更改限制，试验条件和尺寸，恕不另行通知。

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT覆盖

4,835,592

由一个或moreof以下美国专利： 4850072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,381,025

5,486,715

6,162,665

6,259,123 B1

6,306,728 B1

6,404,065 B1

6,534,343

6,583,505

6,683,344

6,727,585

7,005,734 B2

6,710,405 B2 6,759,692

7,063,975 B2

6,710,463

6,771,478 B2 7,071,537

7,157,338B2

IXTA26P20P IXTP26P20P

IXTP26P20P IXTQ26P20P

TO- 263 （ IXTA ）大纲

TO- 247 （ IXTH ）大纲

端子： 1 - 门

2 - 漏极

DIM 。

毫米

分钟。马克斯。

4.7

5.3

2.2

2.54

2.2

2.6

1.0

1.4

1.65

2.13

2.87

3.12

20.80 21.46

15.75 16.26

5.20

5.72

19.81 20.32

4.50

3.55

3.65

5.89

6.40

4.32

5.49

英寸

分钟。马克斯。

.185 .209

.087 .102

.059 .098

.040 .055

.065 .084

.113 .123

.016 .031

.819 .845

.610 .640

0.205 0.225

.780 .800

.177

.140 .144

0.232 0.252

.170 .216

TO- 220 （ IXTP ）大纲

TO- 3P （ IXTQ ）大纲

引脚：

1 - GATE

2 - 漏极

IXTA26P20P IXTP26P20P

IXTP26P20P IXTQ26P20P

图。 1.输出特性

@ 25C

-28

-24

-20

= -10V

-8V

-90

-80

-70

-7V

= -10V

-9V

图。 2.扩展的输出特性

@ 25C

- 安培

-16

-6V

-12

-8

-5V

-4

0.0

-0.5

-1.0

-1.5

-2.0

-2.5

-3.0

-3.5

-4.0

-4.5

- 安培

-60

-50

-40

-30

-20

-10

-3

-6

-9

-12

-15

-8V

-7V

-6V

-5V

-18

-21

-24

-27

-30

- 伏特

图。 3.输出特性

@ 150C

-28

-24

-20

-16

-12

-8

-5V

-4

-1

-2

-3

-4

-5

-6

-7

-8

-9

-10

-6V

= -10V

-8V

-7V

2.8

2.6

2.4

图。 4.

DS （ ON）

归到我

= -13A与

结温

= -10V

DS （ ON）

- 归

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

-50

-25

100

125

150

175

= -26A

= -13A

- 安培

- 伏特

- 摄氏

图。 5.

DS （ ON）

归到我

= -13A与

漏电流

3.4

3.2

3.0

2.8

= -10V

-15V

-28

-26

= 175C

-24

-22

-20

图。 6，最大漏极电流与

外壳温度

----

DS （ ON）

- 归

- 安培

= 25C

-10

-20

-30

-40

-50

-60

-70

-80

-90

2.6

2.4

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

-18

-16

-14

-12

-10

-8

-6

-4

-2

-50

-25

100

125

150

175

- 安培

- 摄氏

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXTA26P20P IXTP26P20P

IXTP26P20P IXTQ26P20P

图。 7.输入导纳

-45

-40

-35

-30

-25

-20

-15

-10

-5

-3

-3.5

-4

-4.5

-5

-5.5

-6

-6.5

-7

= - 40C

25C

150C

= - 40C

25C

图。 8.跨导

- 安培

F小号

- 西门子

-5

-10

-15

-20

-25

-30

-35

-40

-45

-50

150C

- 伏特

- 安培

图。 9.正向电压降

征二极管

-80

-70

-60

-7

-10

-9

-8

= -100V

= - 13A

= -1mA

图。 10.栅极电荷

- 安培

- 伏特

= 25C

-50

-40

= 150C

-30

-20

-10

-0.5

-6

-5

-4

-3

-2

-1

-1.5

-2

-2.5

-3

-3.5

-4

- 伏特

- nanocoulombs

图。 11.电容

10,000

F = 1 MHz的

-100

图。 12.正向偏置安全工作区

DS （ ON）

极限

25s

电容 - 皮法

西塞

1,000

100s

- 安培

1ms

- 10

10ms

科斯

100

CRSS

= 175C

= 25C

单脉冲

-5

-10

-15

-20

-25

-30

-35

-40

-1

- 10

- 100

100ms

- 1000

- 伏特