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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第21页 > IRFH4253DTRPBF
IRFH4253DPbF
HEXFET
功率MOSFET
Q1
V
DSS
R
DS （ ON）
最大
(@V
GS
= 4.5V)
Qg
（典型值）
I
D
(@T
C
= 25°C)
25
4.60
10
45
Q2
25
1.45
31
45
V
m
nC
A
应用
同步降压控制和同步MOSFET
转换器
双PQFN 5X6毫米
特点
控制和在一个封装同步MOSFET
低电荷控制MOSFET （ 10NC典型值）
低R
DSON
同步MOSFET （ <1.45m ）
内在的肖特基二极管具有低正向电压在Q2
符合RoHS ，无卤素
MSL2 ，工业资质
基本零件编号
IRFH4253DPbF
双PQFN 5× 6毫米
套餐类型
好处
增加功率密度
低开关损耗
结果中较低的传导损耗
低开关损耗
环境友好
提高可靠性
订购型号
IRFH4253DTRPbF
Q1最大。
Q2最大。
± 20
64
145
51
116
45
120
31
20
0.25
45
580
50
32
0.40
W
W / ℃，
°C
单位
V
A
标准包装
形式
QUANTITY
磁带和卷轴
4000
绝对最大额定值
V
GS
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 70°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
P
D
@T
C
= 70°C
T
J
T
英镑
热阻
参数
R
θJC
（底部）
R
θJC
（ TOP）
R
θJA
R
θJA
(<10s)
结到外壳
结到外壳
结到环境
结到环境
参数
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 4.5V
连续漏电流， V
GS
@ 4.5V
连续漏电流， V
GS
@ 4.5V
（来源焊接技术有限公司）
漏电流脉冲
功耗
功耗
线性降额因子
工作结
存储温度范围
Q1最大。
4.0
20
34
24
-55到+ 150
Q2最大。
2.5
13
38
24
单位
° C / W
笔记
通过
12页
1
www.irf.com
2013国际整流器
2013年6月10日
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
BV
DSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1/Q2
Q1/Q2
Q1/Q2
Q1/Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
MIN 。 TYP 。
25
–––
25
–––
–––
22
–––
22
––– 2.50
––– 0.90
––– 3.70
––– 1.15
1.1
1.6
1.1
1.6
––– -5.7
––– -8.9
––– –––
––– –––
––– –––
––– –––
131 –––
164 –––
–––
10
–––
31
–––
2.5
–––
4.9
–––
1.6
–––
5.4
–––
3.8
–––
12
–––
2.1
–––
8.7
–––
5.4
––– 17.4
–––
10
–––
31
–––
2.4
–––
1.1
–––
10
–––
16
–––
61
–––
98
–––
13
–––
26
–––
15
–––
65
––– 1314
––– 3756
––– 365
––– 1205
–––
92
––– 286
IRFH4253DPbF
MAX 。单位
条件
–––
V V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
–––
V
GS
= 0V时，我
D
= 1.0毫安
---毫伏/°C基准，以25 ° C，I
D
= 1.0毫安
–––
参考至25℃ ，我
D
= 10毫安
3.20
V
GS
= 10V ，我
D
= 30A
1.10 m V
GS
= 10V ，我
D
= 30A
4.60
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 30A
1.45
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 30A
2.1
V Q1 ： V
DS
= V
GS
, I
D
= 35A
2.1
Q2 ： V
DS
= V
GS
, I
D
= 100A
---毫伏/°C， 1： V
DS
= V
GS
, I
D
= 35A
–––
Q2 ： V
DS
= V
GS
, I
D
= 100A
1.0
μA V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
250
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
100
nA的V
GS
= 20V
-100
V
GS
= -20V
–––
s V
DS
= 10V ，我
D
= 30A
–––
V
DS
= 10V ，我
D
= 30A
15
47
Q1
–––
V
DS
= 13V
–––
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 30A
–––
nC
–––
Q2
–––
V
DS
= 13V
–––
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 30A
–––
–––
–––
–––
–––
NC V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
–––
–––
–––
–––
Q1
V
DS
= 13V V
GS
= 4.5V
–––
–––
I
D
= 30A ， RG = 1.8
ns
–––
Q2
–––
V
DS
= 13V V
GS
= 4.5V
–––
–––
I
D
= 30A ， RG = 1.8
–––
–––
V
GS
= 0V
–––
pF的V
DS
= 13V
–––
= 1.0MHz的
–––
–––
–––
2013年6月10日
R
DS （ ON）
静态漏 - 源极导通电阻
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
I
DSS
I
GSS
政府飞行服务队
Q
g
Q
gs1
Q
gs2
Q
gd
Q
godr
Q
sw
Q
OSS
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
栅极阈值电压系数
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
正向跨导
总栅极电荷
预Vth的栅极 - 源极充电
后Vth的栅极至源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电荷过载
切换电荷（Q
gs2
+ Q
gd
)
输出充电
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
2
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2013国际整流器
IRFH4253DPbF
典型值。
–––
–––
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
–––
–––
–––
–––
–––
16
29
13
41
Q1最大。
61
30
Q2最大。
568
60
单位
mJ
A
雪崩特性
E
AS
I
AR
参数
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
二极管的特性
参数
I
S
连续源电流
（体二极管）
I
SM
脉冲源电流
（体二极管）
V
SD
二极管的正向电压
t
rr
Q
rr
反向恢复时间
反向恢复电荷
MAX 。单位
条件
45
一个MOSFET符号
45
展示
120
一个完整的反
p-n结二极管。
580
1.0
V T，
J
= 25 ° C，I
S
= 30A ，V
GS
= 0V
0.75
T
J
= 25 ° C，I
S
= 30A ，V
GS
= 0V
–––
NS Q1牛逼
J
= 25 ° C，I
F
= 30A
–––
V
DD
= 13V ，的di / dt = 235A / μs的
---数控Q2牛逼
J
= 25 ° C，I
F
= 30A
V
DD
= 13V ，的di / dt = 250A / μs的
–––
3
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2013国际整流器
2013年6月10日
Q1 - 控制用FET
1000
顶部
VGS
10V
5.0V
4.5V
3.5V
3.1V
2.9V
2.7V
2.5V
IRFH4253DPbF
Q2 - 同步FET
1000
顶部
VGS
10V
5.0V
4.5V
3.5V
3.0V
2.7V
2.5V
2.3V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
10
10
1
1
2.3V
2.5V
0.1
0.1
1
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
0.1
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
0.1
1
10
100
10
100
V DS ，漏极至源极电压（ V）
V DS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
1000
顶部
VGS
10V
5.0V
4.5V
3.5V
3.1V
2.9V
2.7V
2.5V
图2 。
典型的输出特性
1000
顶部
VGS
10V
5.0V
4.5V
3.5V
3.0V
2.7V
2.5V
2.3V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
100
底部
10
10
2.3V
2.5V
1
0.1
1
在60μs脉冲宽度
TJ = 150℃
10
100
1
0.1
1
在60μs脉冲宽度
TJ = 150℃
10
100
V DS ，漏极至源极电压（ V）
V DS ，漏极至源极电压（ V）
图3 。
典型的输出特性
1000
1000
图4 。
典型的输出特性
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
T J = 150℃
10
T J = 25°C
1
VDS = 15V
60s
脉冲宽度
0.1
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
100
T J = 150℃
10
T J = 25°C
1
VDS = 15V
60s
脉冲宽度
0.1
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
图5 。
典型的传输特性
4
www.irf.com
2013国际整流器
图6 。
典型的传输特性
2013年6月10日
Q1 - 控制用FET
100000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞= C GS + Cgd的，C DS短路
CRSS = C GD
COSS =硫化镉+ Cgd的
IRFH4253DPbF
Q2 - 同步FET
100000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
10000
C，电容（pF ）
C，电容（pF ）
10000
西塞
科斯
1000
CRSS
1000
西塞
科斯
CRSS
100
10
1
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
100
100
1
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
100
图7 。
典型的电容与漏 - 源极电压
14.0
ID = 30A
图8 。
典型的电容与漏 - 源极电压
14.0
ID = 30A
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
VDS = 20V
VDS = 13V
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
0
5
VDS = 20V
VDS = 13V
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
12.0
10
15
20
25
30
0
10
20
30
40
50
60
70
80
QG ，总栅极电荷（ NC）
QG ，总栅极电荷（ NC）
图9 。
典型栅极电荷与栅极至源极电压
1000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
图10 。
典型栅极电荷与栅极至源极电压
10000
1000
100
10
1
0.1
0.01
TC = 25°C
TJ = 150℃
单脉冲
0.1
1
10
在这一领域
限于由R DS （ ON）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
100sec
10
不限按包
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100sec
不限按包
1
1msec
10msec
1msec
10msec
DC
0.1
TC = 25°C
TJ = 150℃
单脉冲
0.1
1
10
DC
0.01
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图11 。
最大安全工作区
5
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2013国际整流器
图12 。
最大安全工作区
2013年6月10日
查看更多IRFH4253DTRPBFPDF信息
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IRKLF81-04FL
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IC41LV16257S-60T
IS61LPS51236A-250B2I
IDT7015S25PF
IXTA26P20P
IMX8-7
ISO7640FM
IXLD427IJA
ICS93735F-T
ICS93V857YG-130T
IS28F004BVT
ISD1612BSY
ISL6526ACBZ
IDT7202SA80P
IRKN27-06S90
IH5144CDE
IDT72245LB25G
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IRFH4253DTRPBF
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市创芯联盈电子有限公司
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电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
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IRFH4253DTRPBF
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2415+
27230
PQFN-8
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北京元坤国际科技有限公司
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
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电话：0755-23915992/23140719
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INFINEON
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68500
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电话：19129493510
联系人：李
地址：福田区上步工业区101栋4楼
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INFINEON
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PG-TISON-8
原装正品
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电话：13410941925
联系人：李先生【原装正品,可开发票】
地址：深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋1511A12
IRFH4253DTRPBF
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IR
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电话：0755-82561519
联系人：李先生
地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
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IR
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