IXTA 110N055P IXTP 110N055P
IXTQ 110N055P
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。
马克斯。
23
36
2210
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
1400
550
27
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
D25
R
G
= 10
Ω
（外部）
53
66
45
76
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
17
33
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.38 K / W
(TO-3P)
(TO-220)
0.21
0.25
K / W
K / W
TO- 3P （ IXTQ ）大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。
马克斯。
110
250
1.5
A
A
V
TO- 220 （ IXTP ）大纲
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300
μs,
占空比
≤
2 %
I
F
= 25 A
-di / DT = 100 A / μs的
V
R
= 25 V
120
1.4
ns
μC
TO- 263 （ IXTA ）大纲
DIM 。
A
A1
b
b2
c
c2
D
D1
E
E1
e
L
L1
L2
L3
L4
R
毫米
分钟。
马克斯。
4.06
2.03
0.51
1.14
0.46
1.14
8.64
7.11
9.65
6.86
2.54
14.61
2.29
1.02
1.27
0
0.46
4.83
2.79
0.99
1.40
0.74
1.40
9.65
8.13
10.29
8.13
BSC
15.88
2.79
1.40
1.78
0.38
0.74
英寸
分钟。马克斯。
.160
.080
.020
.045
.018
.045
.340
.280
.380
.270
.100
.575
.090
.040
.050
0
.018
.190
.110
.039
.055
.029
.055
.380
.320
.405
.320
BSC
.625
.110
.055
.070
.015
.029
引脚：
1 - GATE
2 - 漏极
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖
一个或moreof以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
IXTA 110N055P IXTP 110N055P
IXTQ 110N055P
图。 1.输出特性
@ 25
C
110
100
90
80
V
GS
= 10V
9V
220
200
180
160
9V
V
GS
= 10V
图。 2.扩展的输出特性
@ 25
C
I
D
- 安培
60
50
40
30
20
10
5V
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
6V
7V
I
D
- 安培
70
8V
140
120
100
80
60
40
20
0
0
1
2
3
4
5
6
7
5V
8
9
10
6V
7V
8V
V
S
- 伏特
图。 3.输出特性
@ 150
C
110
100
90
80
V
GS
= 10V
9V
2.2
2
V
GS
= 10V
V
S
- 伏特
图。 4.
DS （上
)
规范alized 0.5我
D25
值与结tem温度
R
S（O N）
- 归
I
D
- 安培
70
60
50
40
30
20
10
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
8V
1.8
1.6
1.4
I
D
= 55A
1.2
1
0.8
I
D
= 110A
7V
6V
5V
2.4
2.8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
V
S
- 伏特
图。 5.
DS （ ON）
规范alized 0.5我
D25
值与漏电流
2.8
2.6
2.4
100
120
T
J
- 摄氏
图。 6.漏电流与案例
tem温度
R
S（O N）
- 归
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0
25
50
75
100 125 150 175 200 225 250
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
V
GS
= 15V
T
J
= 25
C
20
V
GS
= 10V
T
J
= 175
C
I
D
- 安培
80
60
40
I
D
- 安培
T
C
- 摄氏
版权所有2005 IXYS所有权利
IXTA 110N055P IXTP 110N055P
IXTQ 110N055P
图。 7.输入上将ittance
250
225
200
175
T
J
= -40
C
25
C
150
C
50
45
40
T
J
= -40
C
25
C
150
C
图。 8.跨导
g
F小号
- 西门子
35
30
25
20
15
10
5
0
I
D
- 安培
150
125
100
75
50
25
0
2
3
4
5
6
7
8
9
1
0
1
1
0
50
100
150
200
250
300
V
的s
- 伏特
图。 9.源电流和
源 - 漏电压
300
10
9
250
8
7
V
DS
= 22.5V
I
D
= 55A
I
G
= 10毫安
I
D
- 安培
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
200
V
的s
- 伏特
T
J
= 150
C
T
J
= 25
C
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
6
5
4
3
2
1
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
150
100
50
0
V
S.D。
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 12. FORW ARD偏置
安全工作区
1000
图。 11.电容
10000
电容 - 皮法
国际空间站
R
DS （ ON）
极限
25s
100s
I
D
- 安培
100
1000
OSS
1ms
10ms
DC
T
J
= 175
C
T
C
= 25
C
1
10
RSS
F = 1MHz的
100
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
V
DS
- 伏特
V
S
- 伏特
IXTA 110N055P IXTP 110N055P
IXTQ 110N055P
图。 13.最大瞬态热阻
1.00
R
T H， J·C
- C / W
0.10
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度 - 毫秒
版权所有2005 IXYS所有权利
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