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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第543页 > IRF624A
先进的功率MOSFET
特点
雪崩坚固的技术
坚固的门栅氧化层技术
较低的输入电容
改进的栅极电荷
扩展安全工作区
低漏电流: 10
A
(最大值) @ V
DS
= 250V
低R
DS ( ON)
: 0.742
(典型值)。
IRF624A
BV
DSS
= 250 V
R
DS ( ON)
= 1.1
I
D
= 4.1 A
TO-220
1
2
3
1.Gate 2.排水3.源
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
特征
漏极至源极电压
连续漏电流(T
C
=25°C)
连续漏电流(T
C
=100°C)
漏电流脉冲
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散(T
C
=25°C)
线性降额因子
工作结
存储温度范围
最大的铅温度。焊锡
目的, 1/8“案件从5秒
(2)
(1)
(1)
(3)
(1)
价值
250
4.1
2.6
16
±30
84
4.1
4.9
4.8
49
0.39
- 55 + 150
单位
V
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W / ℃,
°C
300
热阻
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
特征
结到外壳
外壳到散热器
结到环境
典型值。
--
0.5
--
马克斯。
2.54
--
62.5
° C / W
单位
1
IRF624A
符号
BV
DSS
BV / ΔT
J
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
特征
漏源击穿电压
击穿电压温度。 COEFF 。
栅极阈值电压
门源泄漏,正向
门源漏,反
漏极至源极漏电流
静态漏源
导通状态电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( “米勒” )费
分钟。典型值。马克斯。单位
250
--
2.0
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
0.30
--
--
--
--
--
--
2.69
335
55
23
11
12
32
15
14
2.8
6.4
--
--
4.0
100
-100
10
100
1.1
--
430
65
28
30
35
75
40
20
--
--
nC
ns
pF
A
V
V /°C的
V
nA
N沟道
功率MOSFET
电气特性
(T
C
=25
°C
除非另有规定编)
测试条件
V
GS
=0V,I
D
=250A
I
D
=250A
V
GS
=30V
V
GS
=-30V
V
DS
=250V
V
DS
=200V,T
C
=125°C
V
GS
=10V,I
D
=2.05A
V
DS
=40V,I
D
=2.05A
(4)
(4)
参见图7
V
DS
=5V,I
D
=250A
V
GS
=0V,V
DS
= 25V , F = 1MHz的
参见图5
V
DD
=125V,I
D
=4.1A,
R
G
=18
见图13
V
DS
=200V,V
GS
=10V,
I
D
=4.1A
参见图6 &图12
(4) (5)
(4) (5)
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
特征
连续源电流
脉冲源电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
(1)
(4)
分钟。典型值。马克斯。单位
--
--
--
--
--
--
--
--
135
0.65
4.1
16
1.5
--
--
A
V
ns
C
测试条件
积分反向PN二极管
在MOSFET
T
J
=25°C,I
S
=4.1A,V
GS
=0V
T
J
=25°C,I
F
=4.1A
di
F
/dt=100A/
s
(4)
注意事项;
( 1 )重复评级:脉冲宽度有限的最高结温
( 2 ) L = 8mH ,我
AS
= 4.1A ,V
DD
= 50V ,R
G
= 27Ω ,起始物为
J
=25°C
(3) I
SD
4.1A , di / dt的
170A / μs的,V
DD
BV
DSS
,起始物为
J
=25°C
( 4 )脉冲测试:脉冲宽度= 250μs,其占空比
2%
( 5 )基本上是独立工作温度
2
N沟道
功率MOSFET
看图1,输出特性
1
1
0
V
GS
15V
10 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5V
5.0 V
下图: 4.5V
上图:
IRF624A
如图2传输特性
1
1
0
I
D
,漏电流[ A]
1
0
0
I
D
,漏电流[ A]
1
0
0
1 0
o
C
5
2
o
C
5
1
-1
0
@Nts :
oe
1 2 0
S·P升(E T) s
. 5
美国东部
2 T = 2
o
C
.
C
5
1
0
0
1
1
0
- 5
o
C
5
1
-1
0
@Nts :
oe
1 V =0V
.
GS
2 V =4 V
.
DS
0
美国东部
3 2 0
S·P升(E T) s
. 5
6
8
1
0
1
-1
0
2
4
V
DS
,漏源电压[V]
V
GS
,栅源电压[V]
图3.导通电阻与漏电流
25
.
1
1
0
图4.源极 - 漏极二极管正向电压
I
DR
,反向漏电流[ A]
R
DS ( ON)
, [
]
漏源导通电阻
20
.
V =1 V
0
GS
15
.
1
0
0
10
.
V =2 V
0
GS
05
.
@ N T: T = 2
o
C
oe
J
5
00
.
0
2
4
6
8
1
0
1
2
1
4
1
6
1
-1
0
@Nts :
oe
1 V =0V
.
GS
2 2 0
S·P升(E T) s
. 5
美国东部
08
.
10
.
12
.
14
.
1 0
o
C
5
2
o
C
5
1
0
-2
02
.
04
.
06
.
I
D
,漏电流[ A]
V
SD
,源极 - 漏极电压[ V]
图5.电容与漏源电压
50
0
C = C + C( C = SOTD )
ISS GS GD
ds
H·R ê
C =C +C
OSS DS GD
C =C
RSS GD
图6.栅极电荷与栅源电压
40
0
C
国际空间站
1
0
V =5 V
0
DS
V =15V
2
DS
V =20V
0
DS
30
0
V
GS
,栅源电压[V]
电容[ pF的]
20
0
C
OSS
@Nts :
oe
1 V =0V
.
GS
2 F = 1MZ
.
H
5
10
0
C
RSS
@Nts : I = 41A
oe
.
D
0
0
3
6
9
1
2
1
5
0
0
1
0
1
1
0
V
DS
,漏源电压[V]
Q
G
,总栅极电荷[ NC ]
3
IRF624A
图7.击穿电压与温度的关系
12
.
30
.
N沟道
功率MOSFET
图8.导通电阻与温度的关系
BV
DSS
(归一化)
漏源击穿电压
11
.
R
DS ( ON)
(归一化)
漏源导通电阻
25
.
20
.
10
.
15
.
10
.
@Nts :
oe
1 V =1 V
.
GS
0
2 I = 20 A
.
D
.5
-0
5
-5
2
0
2
5
5
0
7
5
10
0
15
2
10
5
15
7
09
.
@Nts :
oe
1 V =0V
.
GS
2 I = 2 0
A
.
D
5
-0
5
-5
2
0
2
5
5
0
7
5
10
0
15
2
10
5
15
7
05
.
08
.
-5
7
00
.
-5
7
T
J
,结温[
o
C]
T
J
,结温[
o
C]
图9.最大。安全工作区
1
2
0
Oeaini钛阂
prto HS RA
我L M T d设定B R
DS ( ON)
s IIE
图10.最大。漏电流与外壳温度
5
I
D
,漏电流[ A]
1
1
0
1m
s
1 m
0 s
1
0
0
D
C
1 0
s
0
I
D
,漏电流[ A]
4
3
2
1
-1
0
@Nts :
oe
1 T = 2
o
C
.
C
5
2 T = 1 0
o
C
.
J
5
3 SNL PLE
。 IGE美国
1
1
-2 0
0
1
0
1
1
0
1
2
0
0
2
5
5
0
7
5
10
0
o
15
2
10
5
V
DS
,漏源电压[V]
T
c
,外壳温度[C]
图11.热响应
热响应
10
0
D=0.5
0.2
0.1
0.05
@注意事项:
1. Z
θ
J·C
(t)=2.54
o
C / W最大。
2.占空比,D = T
1
/t
2
3. T
J·M
-T
C
=P
D M
*Z
θ
J·C
(t)
P
DM
t
1
t
2
10
- 1
Z
JC
(t) ,
0.02
0.01
单脉冲
θ
10
- 2 - 5
10
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
10
0
10
1
t
1
,方波脉冲持续时间
[秒]
4
N沟道
功率MOSFET
图12.栅极电荷测试电路波形&
IRF624A
*电流调节器“
50K
12V
200nF
300nF
同一类型
作为DUT
V
GS
Q
g
10V
V
DS
V
GS
DUT
3mA
Q
gs
Q
gd
R
1
电流取样(我
G
)
电阻器
R
2
电流取样(我
D
)
电阻器
收费
图13.电阻开关测试电路波形&
R
L
V
OUT
V
in
R
G
DUT
V
in
10V
t
D(上)
t
on
t
r
t
D(关闭)
t
关闭
t
f
10%
V
OUT
V
DD
( 0.5额定V
DS
)
90%
图14.非钳位感应开关测试电路波形&
L
L
V
DS
异吨
p
获得
所需的峰值I
D
BV
DSS
1
---- L
L
I
AS2
--------------------
E
AS
=
2
BV
DSS
-- V
DD
BV
DSS
I
AS
C
V
DD
V
DD
t
p
I
D
R
G
DUT
10V
t
p
I
D
(t)
V
DS
(t)
时间
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IRF624A
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-82561519
联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
IRF624A
SEC
2401+
5960
TO220
原装正品-现货-绝对有货-实单价可谈
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
IRF624A
IR
2443+
23000
TO-220
一级代理专营,原装现货,价格优势
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
IRF624A
FAIRCHILD/仙童
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12300
TO-220
全新原装现货,原厂代理。
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电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
IRF624A
SEC
21+22+
12600
TO-220
原装正品
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电话:0755-82723761/82772189
联系人:夏先生 朱小姐
地址:深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2(本公司为一般纳税人,可开增票)
IRF624A
SEC
25+
4500
DIP
全新原装现货特价销售!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:565106636 复制 点击这里给我发消息 QQ:414322027 复制
电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
IRF624A
FAIRCHILD/仙童
2024
30475
TO-220
上海原装现货库存,欢迎咨询合作
QQ: 点击这里给我发消息

电话:18926544209/18025435189
联系人:夏小姐/朱先生
地址:深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514
IRF624A
IR
24+
32000
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百分百原装现货,价格优势,欢迎查询!
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联系人:销售部
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IRF624A
FAIRCHILD/仙童
2024
30475
TO-220
原装现货上海库存,欢迎咨询
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电话:0755-83777607/83777708/82799993
联系人:销售部1部
地址:美驻深办公室:广东省深圳市福田区上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼,展销柜:深圳市福田区华强北新亚洲电子城3B047柜,分展销柜:湖南省桂阳和平杉林下展销柜
IRF624A
FSC
25+23+
15847
TO-220
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
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