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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第458页 > IXST24N60B
高速IGBT
短路SOA能力
IXSH
IXST
IXSH
IXST
24N60B
24N60B
24N60BD1
24N60BD1
V
CES
I
C25
V
CE （ SAT ）
t
科幻典型值
= 600 V
= 48 A
= 2.5 V
= 170纳秒
(D1)
符号
V
CES
V
CGR
V
GES
V
创业板
I
C25
I
C90
I
CM
SSOA
（ RBSOA ）
t
SC
（ SCSOA ）
P
C
T
J
T
JM
T
英镑
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GE
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
T
C
= 25 ° C， 1毫秒
V
GE
= 15 V ，T
J
= 125 ° C，R
G
= 33
钳位感性负载，V
CC
= 0.8 V
CES
V
GE
= 15 V, V
CE
= 360 V，T
J
= 125°C
R
G
= 33
,
不重复
T
C
= 25°C
最大额定值
600
600
±20
±30
48
24
96
I
CM
= 48
@ 0.8 V
CES
10
150
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
s
W
°C
°C
°C
AD TO- 247 （ IXSH ）
（ TAB ）
G
C
E
的TO- 268 （ D3）， （ IXST ）
G
E
G =门
E =发射器
（ TAB ）
TAB =收藏家
特点
国际标准封装
保证短路SOA
能力
低V
CE （ SAT ）
- 低通态传导损耗
高电流处理能力
MOS栅极导通
- 驱动器的简单
切换速度快下降时间
高达50千赫
应用
交直流电机调速
不间断电源（ UPS ）
焊接
优势
易与1螺钉安装（ TO- 247 ）
（隔绝安装螺纹孔）
高功率密度
安装力矩
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
6
300
g
°C
最大无铅焊接温度的
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
600
3.5
24N60B
24N60BD1
24N60B
24N60BD1
6.5
25
200
1
2
±100
2.5
V
V
A
A
mA
mA
nA
V
BV
CES
V
GE （日）
I
CES
I
C
I
C
= 250
A,
V
GE
= 0 V
= 1.5毫安， V
CE
= V
GE
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
CE
= 0.8 V
CES
V
GE
= 0 V
I
GES
V
CE （ SAT ）
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±20
V
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
版权所有 2003 IXYS所有权利。
DS98768B(02/03)
IXSH 24N60B
IXST 24N60B
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
9
13
1450
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V ， F = 1兆赫
24N60B
24N60BD1
130
160
37
41
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
18
18
感性负载，T
J
= 25°C
°
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V,
L = 100 μH
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= 33
50
50
150
170
1.3
55
感性负载，T
J
= 125°C
°
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V,
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= 33
75
1.2
190
280
2.4
250
300
2.6
S
pF
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.83 K / W
0.25
K / W
DIM 。
IXSH 24N60BD1
IXST 24N60BD1
的TO- 247的AD概要
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
Q
GE
Q
GC
t
D（上）
t
ri
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
thCK
I
C
= I
C90
; V
CE
= 10 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
毫米
分钟。
马克斯。
A
4.7
5.3
A
1
2.2
2.54
A
2
2.2
2.6
b
1.0
1.4
b
1
1.65
2.13
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
TO- 268外形
反向二极管（ FRED ）
符号
V
F
I
RM
t
rr
R
thJC
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
1.6
2.5
V
V
A
ns
ns
0.9 K / W
I
F
= I
C90
, V
GE
= 0 V,
T
J
= 150°C
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 % T
J
= 25°C
I
F
= I
C90
, V
GE
= 0 V ， - 二
F
/ DT = 100 A / μs的
V
R
= 100 V
I
F
= 1 ; -di / DT = 100 A / μs的; V
R
= 30 V
6
T
J
= 100°C 100
T
J
= 25°C
25
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
2
C
D
E
E
1
e
H
L
L1
L2
L3
L4
毫米
分钟。马克斯。
4.9
5.1
2.7
2.9
.02
.25
1.15
1.45
1.9
2.1
.4
.65
13.80 14.00
15.85 16.05
13.3
13.6
5.45 BSC
18.70 19.10
2.40
2.70
1.20
1.40
1.00
1.15
0.25 BSC
3.80
4.10
英寸
分钟。马克斯。
.193 .201
.106 .114
.001 .010
.045 .057
.75
.83
.016 .026
.543 .551
.624 .632
.524 .535
0.215 BSC
.736 .752
.094 .106
.047 .055
.039 .045
0.010 BSC
.150 .161
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
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IDT72V36100L6PF
IC62LV256L
IRF644NS
IDT74FCT574CSOB
IRKTF81-08GN
IDT54FCT245ASO
IDT54FCT648CTSO
IS42S83200B
IRKTF200-02DK
ICS524MILFT
ICS840AG-125
IC61LV256-15TIG
IRF540PBF
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    联系人：杨小姐
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    IXST24N60B
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