IDT54/74FCT574/A/C
快速CMOS八路D寄存器（三态）
军用和商用温度范围
快速CMOS八路
d个寄存器（三态）
IDT54/74FCT574/A/C
产品特点：
IDT54 / 74FCT574相当于FAST 速度和驱动
IDT54 / 74FCT574A比快速快达30％
IDT54 / 74FCT574C达比FAST快50 ％
I
OL
= 48毫安（商业）和32毫安（军事）
CMOS功率级（ 1毫瓦典型值静态）
边沿触发主/从， D型触发器
缓冲的公共时钟和缓存常用的三态控制
军工产品符合MIL -STD - 883 ， B类
达到或超过JEDEC标准规格18
提供以下套餐：
商业： SOIC
军事：陶瓷浸渍， LCC ， CERPACK
描述：
该FCT574是使用一种先进的双金属的CMOS 8位寄存器建
技术。这些寄存器包括8 D型双稳态多谐振荡器具有一个缓冲
公共时钟和缓冲三态输出控制。当输出使能
（OE）为低电平时， 8输出被使能。当
OE
输入为高时，
输出处于高阻抗状态。
输入数据满足的建立和保持的D输入时间要求
被传向O输出的时钟输入的低到高的转变。
该FCT574具有非反相输出相对于在D中的数据
输入。
功能框图
D
0
CP
CP
D
CP
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
D
CP
D
CP
D
CP
D
CP
D
CP
D
CP
D
Q
Q
Q
Q
Q
Q
Q
Q
OE
O
0
O
1
O
2
O
3
O
4
O
5
O
6
O
7
军用和商用温度范围
1
c
1999集成设备技术有限公司
2000年6月
DSC-5428/-
IDT54/74FCT574/A/C
快速CMOS八路D寄存器（三态）
军用和商用温度范围
直流电气在整个工作范围特性
下列条件适用，除非另有规定： V
LC
= 0.2V; V
HC
= V
CC
- 0.2V
商业：T已
A
= 0 ° C至+ 70 ° C，V
CC
= 5.0V ±5％ ;军事：T已
A
= -55℃ + 125°C ，V
CC
= 5.0V ± 10%
符号
V
IH
V
IL
I
I H
I
I L
I
OZH
I
OZL
V
IK
I
OS
V
OH
钳位二极管电压
短路电流
输出高电压
V
CC
=最小值，我
N
= -18mA
V
CC
=最大。
(3)
, V
O
= GND
V
CC
= 3V, V
IN
= V
LC
或V
HC
, I
OH
= –32 A
V
CC
=最小值。
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
OL
输出低电压
I
OH
= –300 A
I
OH
= -12mA MIL 。
I
OH
= -15mA COM'L 。
V
CC
= 3V, V
IN
= V
LC
或V
HC
, I
OL
= 300 A
V
CC
=最小值。
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 300 A
I
OL
= 32毫安MIL 。
I
OL
= 48毫安COM'L 。
参数
输入高电平
输入低电平
输入高电流
输入低电平电流
关闭状态（高阻）
输出电流
V
CC
=最大。
测试条件
(1)
确保逻辑高电平
保证逻辑低电平
V
CC
=最大。
V
I
= V
CC
V
I
= 2.7V
V
I
= 0.5V
V
I
= GND
V
O
= V
CC
V
O
= 2.7V
V
O
= 0.5V
V
O
= GND
分钟。
2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
–60
V
HC
V
HC
2.4
2.4
—
—
—
—
典型值。
(2)
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
–0.7
–120
V
CC
V
CC
4.3
4.3
GND
GND
0.3
0.3
马克斯。
—
0.8
5
5
(4)
–5
(4)
–5
10
10
(4)
–10
(4)
–10
–1.2
—
—
—
—
—
V
LC
V
LC(4)
0.5
0.5
V
V
mA
V
A
单位
V
V
A
注意事项：
1.对于显示为最大的条件。或最小，使用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在V
CC
= 5.0V ， + 25°C的环境温度和最大负荷。
3.不能有多于一个的输出应在同一时间被短路。短路试验的持续时间应不超过一秒钟。
4.此参数是保证，但未经测试。
3
IDT54/74FCT574/A/C
快速CMOS八路D寄存器（三态）
军用和商用温度范围
电源特性
V
LC
= 0.2V; V
HC
= V
CC
- 0.2V
符号
I
CC
I
CC
I
CCD
参数
静态电源电流
静态电源电流
TTL输入高电平
动态电源
当前
(4)
测试条件
(1)
V
CC
=最大。
V
IN
≥
V
HC ;
V
IN
≤
V
LC
V
CC
=最大。
V
IN
= 3.4V
(3)
V
CC
=最大。
输出打开
OE
= GND
一个输入切换
占空比为50％
V
CC
=最大。
输出打开
f
CP
= 10MHz时
占空比为50％
OE
= GND
科幻= 5MHz时，
占空比为50％
一位切换
V
CC
=最大。
输出打开
f
CP
= 10MHz时
占空比为50％
OE
= GND
八位切换
科幻= 2.5MHz的
占空比为50％
V
IN
≥
V
HC
V
IN
≤
V
LC
分钟。
—
—
—
典型值。
(2)
0.2
0.5
0.15
马克斯。
1.5
2
0.25
单位
mA
mA
毫安/
兆赫
I
C
总电源电流
(6)
V
IN
≥
V
HC
V
IN
≤
V
LC
（ FCT ）
V
IN
= 3.4V
V
IN
= GND
—
1.7
4
mA
—
2.2
6
V
IN
≥
V
HC
V
IN
≤
V
LC
（ FCT ）
V
IN
= 3.4V
V
IN
= GND
—
4
7.8
(5)
—
6.2
16.8
(5)
注意事项：
1.对于显示为最大的条件。或最小，使用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在V
CC
= 5.0V ， + 25 ° C的环境。
3.每TTL驱动输入（V
IN
= 3.4V ） ;所有其他输入在V
CC
或GND 。
4.此参数是不能直接检验的，但导出的总电源计算中使用。
5.值这些条件是我的例子
CC
公式。这些限制保证，但未经测试。
6. I
C
= I
静
+ I
输入
+ I
动态
I
C
= I
CC
+
I
CC
D
H
N
T
+ I
CCD
(f
CP
/2 + f
i
N
i
)
I
CC
·静态电流
I
CC
=电源电流为TTL高电平输入（V
IN
= 3.4V)
D
H
=占空比为TTL输入高电平
N
T
=的TTL输入的D号
H
I
CCD
=动态电流通过输出转换对（ HLH或LHL ）引起的
f
CP
=时钟频率为注册设备（零非注册设备）
f
i
=输入频率
N
i
输入数=在f
i
所有电流都毫安，所有频率在兆赫。
4
快速CMOS八路D
寄存器（三态）
IDT54/74FCT374/A/C
IDT54/74FCT534/A/C
IDT54/74FCT574/A/C
集成设备技术有限公司
产品特点：
IDT54 / 74FCT374 / 574分之534相当于FAST 速
和驱动
IDT54 / 74FCT374A / 534A / 574A高达30％的速度比
快
IDT54 / 74FCT374C / 534C / 574C的速度比高达50 ％
快
I
OL
= 48毫安（商业）和32毫安（军事）
CMOS功率水平（ 1mW的典型值。静）
边沿触发主/从， D型触发器
缓冲公共时钟和缓存常用的三
国家控制
- 产品在耐辐射和辐射提供
增强版
- 军工产品符合MIL -STD - 883 ， B类
- 符合或超过JEDEC标准规格18
描述：
在IDT54 / 74FCT374 / A / C ， IDT54 / 74FCT534 / A / C和
IDT54 / 74FCT574 / A / C的8位寄存器使用AD-建
vanced双金属CMOS工艺。这些寄存器包括
八D型触发器具有缓冲公共时钟和
缓冲三态输出控制。当输出使能（
OE
)
为低电平， 8个输出使能。当
OE
输入
高电平时，输出处于高阻抗状态。
输入数据满足的建立和保持时间的要求
的D输入被转移向O输出端上的低到
时钟输入的高电平跳变。
在IDT54 / 74FCT374 / A / C和IDT54 / 74FCT574 / A / C有
非反相输出相对于在D输入端的数据。
在IDT54 / 74FCT534 / A / C已经反转输出。
功能框图IDT54 / 74FCT374和IDT54 / 74FCT574
D
0
CP
CP
Q
CP
Q
CP
Q
CP
Q
CP
Q
CP
Q
CP
Q
CP
Q
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
OE
O
0
O
1
O
2
O
3
O
4
O
5
O
6
O
7
2603 CNV * 01
功能框图IDT54 / 74FCT534
D
0
CP
CP
Q
CP
Q
CP
Q
CP
Q
CP
Q
CP
Q
CP
Q
CP
Q
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
OE
O
0
O
1
O
2
O
3
O
4
O
5
O
6
O
7
2603 CNV * 02
IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
FAST是美国国家半导体公司的商标。
军用和商用温度范围
1992
集成设备技术有限公司
1992年5月
DSC-4622/2
7.13
1
IDT54/74FCT374/534/574/A/C
快速CMOS八路D寄存器（三态）
军用和商用温度范围
销刀豆网络gurations
IDT54/74FCT374
OE
O
0
D
0
D
1
O
1
O
2
D
2
D
3
O
3
GND
D
0
3
2
3
4
5
6
7
8
9
10
P20-1
D20-1
SO20-2
＆放大器;
E20-1
19
18
17
16
15
14
13
12
11
O
7
D
7
D
6
O
6
O
5
D
5
D
4
O
4
CP
2603 CNV * 03
O
0
2
1
20
V
CC
OE
V
CC
O
7
1
20 19
18
17
16
15
14
指数
D
1
O
1
O
2
D
2
D
3
4
5
6
7
8
D
7
D
6
O
6
O
5
D
5
L20-2
9 10 11 12 13
GND
CP
O
3
DIP / SOIC / CERPACK
顶视图
LCC
顶视图
OE
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
P20-1
D20-1
SO20-2
＆放大器;
E20-1
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
O
0
O
1
O
2
O
3
O
4
O
5
O
6
O
7
CP
2603 CNV * 05
3 2
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
4
5
6
7
8
D
0
OE
1
2 1
1
1
1
1
1
O
1
O
2
O
3
O
4
O
5
L20-2
9 1 1 1 1
D
7
GND
CP
O
7
O
6
V
CC
O
0
IDT54/74FCT574
D
1
指数
O
4
D
4
2603 CNV * 04
2603 CNV * 06
DIP / SOIC / CERPACK
顶视图
LCC
顶视图
IDT54/74FCT534
OE
O
0
D
0
D
1
O
1
O
2
D
2
D
3
O
3
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
P20-1
D20-1
SO20-2
＆放大器;
E20-1
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
O
7
D
7
D
6
O
6
O
5
D
5
D
4
O
4
CP
2603 CNV * 07
3 2
D
1
O
1
O
2
D
2
D
3
4
5
6
7
8
1
20 19
18
17
16
15
14
V
CC
O
7
OE
O
0
D
0
指数
D
7
D
6
O
6
O
5
D
5
L20-2
9 10 11 12 13
O
3
GND
CP
O
4
D
4
2603 CNV * 08
DIP / SOIC / CERPACK
顶视图
LCC
顶视图
7.13
2
IDT54/74FCT374/534/574/A/C
快速CMOS八路D寄存器（三态）
军用和商用温度范围
引脚说明
引脚名称
D
N
CP
O
N
描述
D触发器的数据输入端。
时钟脉冲的寄存器。输入数据
低到高的转变。
三态输出， （真正的） 。
三态输出， （倒） 。
低电平有效三态输出使能输入。
2603 TBL 06
O
N
OE
功能表
(1)
输入
功能
高阻
装入寄存器
FCT534
输出
国内
D
N
X
X
L
H
L
H
FCT374/574
输出
国内
O
N
Z
Z
L
H
Z
Z
OE
H
H
L
L
H
H
CP
O
N
Z
Z
H
L
Z
Z
Q
N
NC
NC
L
H
L
H
Q
N
NC
NC
H
L
H
L
2603 TBL 05
注意：
1. H =高电压电平
L =低电压等级
X =无关
u
u
u
u
L
H
u
军事
-0.5到+7.0
单位
V
Z =高阻抗
NC =无变化
=低到高的转变
绝对最大额定值
(1)
符号
等级
广告
(2)
端电压
V
TERM
-0.5到+7.0
关于
GND
(3)
端电压
V
TERM
-0.5到V
CC
关于
GND
T
A
操作
0至+70
温度
T
BIAS
温度
-55到+125
在偏置
T
英镑
存储
-55到+125
温度
P
T
功耗
0.5
I
OUT
DC输出
当前
120
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
参数
(1)
C
IN
输入
电容
C
OUT
产量
电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
典型值。
6
8
马克斯。
10
12
单位
pF
pF
-0.5到V
CC
V
°C
°C
°C
W
mA
-55到+125
-65到+135
-65到+150
0.5
120
注意：
2603 TBL 02
1.此参数的测量是在表征，但未经测试。
注意事项：
2603 TBL 01
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个应力
值仅为器件在这些或任何其他功能操作
以上这些条件在此业务部门所标明
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值CON-
ditions长时间会影响其可靠性。没有端电压可
超过V
CC
以+ 0.5V ，除非另有说明。
2.输入和V
CC
只有终端。
3.输出和仅I / O端子。
7.13
3
IDT54/74FCT374/534/574/A/C
快速CMOS八路D寄存器（三态）
军用和商用温度范围
直流电气在整个工作范围特性
下列条件适用，除非另有规定： V
LC
= 0.2V; V
HC
= V
CC
– 0.2V
商业：T已
A
= 0 ° C至+ 70 ° C，V
CC
= 5.0V
±
5％ ;军事：T已
A
= -55℃ + 125°C ，V
CC
= 5.0V
±
10%
符号
V
IH
V
IL
I
I H
I
I L
I
OZH
I
OZL
V
IK
I
OS
V
OH
钳位二极管电压
短路电流
输出高电压
V
CC
=最小值，我
N
= -18mA
V
CC
=最大。
(3)
, V
O
= GND
V
CC
= 3V, V
IN
= V
LC
或V
HC
, I
OH
= –32
A
V
CC
=最小值。
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
OL
输出低电压
I
OH
= –300
A
I
OH
= -12mA MIL 。
I
OH
= -15mA COM'L 。
V
CC
= 3V, V
IN
= V
LC
或V
HC
, I
OL
= 300
A
V
CC
=最小值。
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 300
A
I
OL
= 32毫安MIL 。
I
OL
= 48毫安COM'L 。
参数
输入高电平
输入低电平
输入高电流
输入低电平电流
关闭状态（高阻）
输出电流
V
CC
=最大。
测试条件
(1)
确保逻辑高电平
保证逻辑低电平
V
CC
=最大。
V
I
= V
CC
V
I
= 2.7V
V
I
= 0.5V
V
I
= GND
V
O
= V
CC
V
O
= 2.7V
V
O
= 0.5V
V
O
= GND
分钟。
2.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
–60
V
HC
V
HC
2.4
2.4
—
—
—
—
典型值。
(2)
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
–0.7
–120
V
CC
V
CC
4.3
4.3
GND
GND
0.3
0.3
马克斯。
—
0.8
5
5
(4)
–5
(4)
–5
10
10
(4)
–10
(4)
–10
–1.2
—
—
—
—
—
V
LC
V
LC(4)
0.5
0.5
2603 TBL 03
单位
V
V
A
A
V
mA
V
V
注意事项：
1.对于显示为最大的条件。或最小，使用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在V
CC
= 5.0V ， + 25°C的环境温度和最大负荷。
3.不能有多于一个的输出应在同一时间被短路。短路试验的持续时间应不超过一秒钟。
4.此参数是保证，但未经测试。
7.13
4
IDT54/74FCT374/534/574/A/C
快速CMOS八路D寄存器（三态）
军用和商用温度范围
电源特性
V
LC
= 0.2V; V
HC
= V
CC
– 0.2V
符号
I
CC
I
CC
I
CCD
参数
静态电源电流
静态电源电流
TTL输入高电平
动态电源
当前
(4)
V
CC
=最大。
V
IN
≥
V
HC
; V
V
CC
=最大。
V
IN
= 3.4V
(3)
V
CC
=最大。
输出打开
OE
= GND
一个输入切换
占空比为50％
V
CC
=最大。
输出打开
f
CP
= 10MHz时
占空比为50％
OE
= GND
科幻= 5MHz时，
占空比为50％
一位切换
V
CC
=最大。
输出打开
f
CP
= 10MHz时
占空比为50％
OE
= GND
八位切换
科幻= 2.5MHz的
占空比为50％
V
IN
≥
V
HC
V
IN
≤
V
LC
测试条件
(1)
IN
分钟。
—
—
—
典型值。
(2)
0.2
0.5
0.15
马克斯。
1.5
2.0
0.25
单位
mA
mA
毫安/
兆赫
≤
V
LC
I
C
总电源电流
(6)
V
IN
≥
V
HC
V
IN
≤
V
LC
（ FCT ）
V
IN
= 3.4V
V
IN
= GND
—
1.7
4.0
mA
—
2.2
6.0
V
IN
≥
V
HC
V
IN
≤
V
LC
（ FCT ）
V
IN
= 3.4V
V
IN
= GND
—
4.0
7.8
(5)
—
6.2
16.8
(5)
注意事项：
1.对于显示为最大的条件。或最小，使用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在V
CC
= 5.0V ， + 25 ° C的环境。
3.每TTL驱动输入（V
IN
= 3.4V ） ;所有其他输入在V
CC
或GND 。
4.此参数是不能直接检验的，但导出的总电源计算中使用。
5.值这些条件是我的例子
CC
公式。这些限制保证，但未经测试。
6. I
C
= I
静
+ I
输入
+ I
动态
I
C
= I
CC
+
I
CC
D
H
N
T
+ I
CCD
(f
CP
/2 + f
i
N
i
)
I
CC
·静态电流
I
CC
=电源电流为TTL高电平输入（V
IN
= 3.4V)
D
H
=占空比为TTL输入高电平
N
T
=的TTL输入的D号
H
I
CCD
=动态所造成的输入转换对（ HLH或LHL ）电流
f
CP
=时钟频率为注册设备（零非注册设备）
F1 =输入频率
N
i
输入数=在f
i
所有电流都毫安，所有频率在兆赫。
2603 TBL 04
7.13
5
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