【高压IGBTIXSN 55N120AVCES= 1200 VIC25= 110 A4VVCE （ S】,IC型号IXSN55N120A,IXSN55N120A PDF资料,IXSN55N120A经销商,ic,电子元器件-51电子网

高压IGBT

IXSN 55N120A

V

CES

= 1200 V

I

C25

= 110 A

4V

V

CE （ SAT ）

=

3

短路SOA能力

2

初步数据

4

符号

V

CES

V

CGR

V

GES

V

创业板

I

C25

I

C90

I

CM

SSOA

（ RBSOA ）

t

SC

（ SCSOA ）

P

C

V

ISOL

T

J

T

JM

T

英镑

M

d

重量

测试条件

T

J

= 25 ℃至150 ℃的

T

J

= 25 ℃至150 ℃;

GE

= 1兆瓦

连续

短暂

T

C

= 25°C

T

C

= 90°C

T

C

= 25 ° C， 1毫秒

V

GE

= 15 V ，T

VJ

= 125 ° C，R

G

= 22

W

钳位感性负载， L = 30

mH

V

GE

= 15 V, V

CE

= 0.6 V

CES

, T

J

= 125°C

R

G

= 22

W,

不重复

T

C

= 25°C

50/60赫兹

I

ISOL

1毫安

IGBT

T = 1分

t=1s

最大额定值

1200

±20

±30

110

55

160

I

CM

= 110

@ 0.8 V

CES

10

500

2500

3000

-55 ... +150

150

-55 ... +150

V

A

V

A

ms

W

V~

°C

miniBLOC ， SOT- 227 B

1

2

4

3

1 - 发射极

2 - 门

3 - 集电极

4 =辐射源

任一发射极终端可以用作主要或

开尔文射

安装力矩

终端连接力矩（ M4）的

1.5 / 13牛米/ lb.in 。

30

g

特点

国际标准套餐

miniBLOC

铝 - 氮化物隔离

- 高功率耗散

隔离电压3000 V

UL注册的电子153432

低V

CE （ SAT ）

- 最低的通态传导

损失

低集电极到外壳电容

（ <100 pF的）

- 减少RFI

低封装电感（ < 10 NH）

- 易于驾驶和保护

应用

交流电机调速

直流伺服和机器人的驱动器

直流斩波器

不间断电源（ UPS ）

开关模式和谐振模

电源

优势

节省空间

容易用2个螺丝安装

高功率密度

符号

测试条件

特征值

(T

J

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

1200

4

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

8

1

2.5

±200

4

V

mA

nA

V

BV

CES

V

GE （日）

I

CES

I

GES

V

CE （ SAT ）

I

C

I

C

= 6毫安， V

GE

= 0 V

= 8毫安， V

CE

= V

GE

V

CE

= 0.8 V

CES

V

GE

= 0 V

V

CE

= 0 V, V

GE

=

±20

V

I

C

= I

C90

, V

GE

= 15 V

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

95594B(6/97)

1-2

IXSN55N120A

符号

测试条件

特征值

(T

J

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

32

45

S

miniBLOC ， SOT- 227 B

g

fs

I

C（ ON）

C

IES

C

OES

C

水库

Q

g

Q

ge

Q

gc

t

D（上）

t

ri

t

D（关闭）

t

fi

E

关闭

t

D（上）

t

ri

t

D（关闭）

t

si

t

c

E

（上）

E

关闭

R

thJC

R

thCK

I

C

= I

C90

; V

CE

= 10 V

脉冲测试，T

300

女士，

占空比

2 %

V

CE

= 10 V, V

GE

= 15 V

V

CE

= 25 V, V

GE

= 0 V ， F = 1兆赫

340

8000

590

120

300

I

C

= I

C90

, V

GE

= 15 V, V

CE

= 0.5 V

CES

80

140

感性负载，T

J

= 25°C

I

C

= I

C90

, V

GE

= 15 V, V

CE

= 0.8 V

CES

, R

G

= 2.7

W

备注：开关时间可能会增加V

CE

（钳）＆ GT ; 0.8 V

CES

，更高的温度

J

或加强研究

G

140

220

400

700

18

140

感性负载，T

J

= 125°C

I

C

= I

C90

, V

GE

= 15 V, V

CE

= 0.8 V

CES

, R

G

= 2.7

W

备注：开关时间可能会增加V

CE

（钳）＆ GT ; 0.8 V

CES

，更高的温度

J

或加强研究

G

250

600

900

950

6

25

0.05

1000

A

pF

供应M4螺丝（4次）

nC

ns

mJ

ns

mJ

0.25 K / W

K / W

DIM 。

A

B

C

D

E

F

G

H

J

K

L

M

N

O

P

Q

R

S

T

U

毫米

分钟。

马克斯。

31.50

7.80

4.09

14.91

30.12

38.00

11.68

8.92

0.76

12.60

25.15

1.98

4.95

26.54

3.94

4.72

24.59

-0.05

31.88

8.20

4.29

15.11

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12.22

9.60

0.84

12.85

25.42

2.13

5.97

26.90

4.42

4.85

英寸

分钟。

马克斯。

1.240

0.307

0.161

0.587

1.186

1.496

0.460

0.351

0.030

0.496

0.990

0.078

0.195

1.045

0.155

0.186

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0.323

0.169

0.595

1.193

1.505

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0.378

0.033

0.506

1.001

0.084

0.235

1.059

0.174

0.191

0.987

0.004

25.07 0.968

0.1 -0.002

IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：

4,835,592

4,881,106

5,017,508

5,049,961

5,187,117

5,486,715

4,850,072

4,931,844

5,034,796

5,063,307

5,237,481

5,381,025

2-2

高压IGBT

IXSN 55N120A

V

CES

= 1200 V

I

C25

= 110 A

4V

V

CE （ SAT ）

=

3

短路SOA能力

2

初步数据

4

符号

V

CES

V

CGR

V

GES

V

创业板

I

C25

I

C90

I

CM

SSOA

（ RBSOA ）

t

SC

（ SCSOA ）

P

C

V

ISOL

T

J

T

JM

T

英镑

M

d

重量

测试条件

T

J

= 25 ℃至150 ℃的

T

J

= 25 ℃至150 ℃;

GE

= 1兆瓦

连续

短暂

T

C

= 25°C

T

C

= 90°C

T

C

= 25 ° C， 1毫秒

V

GE

= 15 V ，T

VJ

= 125 ° C，R

G

= 22

W

钳位感性负载， L = 30

mH

V

GE

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CE

= 0.6 V

CES

, T

J

= 125°C

R

G

= 22

W,

不重复

T

C

= 25°C

50/60赫兹

I

ISOL

1毫安

IGBT

T = 1分

t=1s

最大额定值

1200

±20

±30

110

55

160

I

CM

= 110

@ 0.8 V

CES

10

500

2500

3000

-55 ... +150

150

-55 ... +150

V

A

V

A

ms

W

V~

°C

miniBLOC ， SOT- 227 B

1

2

4

3

1 - 发射极

2 - 门

3 - 集电极

4 =辐射源

任一发射极终端可以用作主要或

开尔文射

安装力矩

终端连接力矩（ M4）的

1.5 / 13牛米/ lb.in 。

30

g

特点

国际标准套餐

miniBLOC

铝 - 氮化物隔离

- 高功率耗散

隔离电压3000 V

UL注册的电子153432

低V

CE （ SAT ）

- 最低的通态传导

损失

低集电极到外壳电容

（ <100 pF的）

- 减少RFI

低封装电感（ < 10 NH）

- 易于驾驶和保护

应用

交流电机调速

直流伺服和机器人的驱动器

直流斩波器

不间断电源（ UPS ）

开关模式和谐振模

电源

优势

节省空间

容易用2个螺丝安装

高功率密度

符号

测试条件

特征值

(T

J

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

1200

4

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

8

1

2.5

±200

4

V

mA

nA

V

BV

CES

V

GE （日）

I

CES

I

GES

V

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I

C

I

C

= 6毫安， V

GE

= 0 V

= 8毫安， V

CE

= V

GE

V

CE

= 0.8 V

CES

V

GE

= 0 V

V

CE

= 0 V, V

GE

=

±20

V

I

C

= I

C90

, V

GE

= 15 V

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

95594B(6/97)

1-2

IXSN55N120A

符号

测试条件

特征值

(T

J

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

32

45

S

miniBLOC ， SOT- 227 B

g

fs

I

C（ ON）

C

IES

C

OES

C

水库

Q

g

Q

ge

Q

gc

t

D（上）

t

ri

t

D（关闭）

t

fi

E

关闭

t

D（上）

t

ri

t

D（关闭）

t

si

t

c

E

（上）

E

关闭

R

thJC

R

thCK

I

C

= I

C90

; V

CE

= 10 V

脉冲测试，T

300

女士，

占空比

2 %

V

CE

= 10 V, V

GE

= 15 V

V

CE

= 25 V, V

GE

= 0 V ， F = 1兆赫

340

8000

590

120

300

I

C

= I

C90

, V

GE

= 15 V, V

CE

= 0.5 V

CES

80

140

感性负载，T

J

= 25°C

I

C

= I

C90

, V

GE

= 15 V, V

CE

= 0.8 V

CES

, R

G

= 2.7

W

备注：开关时间可能会增加V

CE

（钳）＆ GT ; 0.8 V

CES

，更高的温度

J

或加强研究

G

140

220

400

700

18

140

感性负载，T

J

= 125°C

I

C

= I

C90

, V

GE

= 15 V, V

CE

= 0.8 V

CES

, R

G

= 2.7

W

备注：开关时间可能会增加V

CE

（钳）＆ GT ; 0.8 V

CES

，更高的温度

J

或加强研究

G

250

600

900

950

6

25

0.05

1000

A

pF

供应M4螺丝（4次）

nC

ns

mJ

ns

mJ

0.25 K / W

K / W

DIM 。

A

B

C

D

E

F

G

H

J

K

L

M

N

O

P

Q

R

S

T

U

毫米

分钟。

马克斯。

31.50

7.80

4.09

14.91

30.12

38.00

11.68

8.92

0.76

12.60

25.15

1.98

4.95

26.54

3.94

4.72

24.59

-0.05

31.88

8.20

4.29

15.11

30.30

38.23

12.22

9.60

0.84

12.85

25.42

2.13

5.97

26.90

4.42

4.85

英寸

分钟。

马克斯。

1.240

0.307

0.161

0.587

1.186

1.496

0.460

0.351

0.030

0.496

0.990

0.078

0.195

1.045

0.155

0.186

1.255

0.323

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0.595

1.193

1.505

0.481

0.378

0.033

0.506

1.001

0.084

0.235

1.059

0.174

0.191

0.987

0.004

25.07 0.968

0.1 -0.002

IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：

4,835,592

4,881,106

5,017,508

5,049,961

5,187,117

5,486,715

4,850,072

4,931,844

5,034,796

5,063,307

5,237,481

5,381,025

2-2

高压IGBT

IXSN 55N120A

V

CES

= 1200 V

I

C25

= 110 A

4V

V

CE （ SAT ）

=

3

短路SOA能力

2

初步数据

4

符号

V

CES

V

CGR

V

GES

V

创业板

I

C25

I

C90

I

CM

SSOA

（ RBSOA ）

t

SC

（ SCSOA ）

P

C

V

ISOL

T

J

T

JM

T

英镑

M

d

重量

测试条件

T

J

= 25 ℃至150 ℃的

T

J

= 25 ℃至150 ℃;

GE

= 1兆瓦

连续

短暂

T

C

= 25°C

T

C

= 90°C

T

C

= 25 ° C， 1毫秒

V

GE

= 15 V ，T

VJ

= 125 ° C，R

G

= 22

W

钳位感性负载， L = 30

mH

V

GE

= 15 V, V

CE

= 0.6 V

CES

, T

J

= 125°C

R

G

= 22

W,

不重复

T

C

= 25°C

50/60赫兹

I

ISOL

1毫安

IGBT

T = 1分

t=1s

最大额定值

1200

±20

±30

110

55

160

I

CM

= 110

@ 0.8 V

CES

10

500

2500

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-55 ... +150

150

-55 ... +150

V

A

V

A

ms

W

V~

°C

miniBLOC ， SOT- 227 B

1

2

4

3

1 - 发射极

2 - 门

3 - 集电极

4 =辐射源

任一发射极终端可以用作主要或

开尔文射

安装力矩

终端连接力矩（ M4）的

1.5 / 13牛米/ lb.in 。

30

g

特点

国际标准套餐

miniBLOC

铝 - 氮化物隔离

- 高功率耗散

隔离电压3000 V

UL注册的电子153432

低V

CE （ SAT ）

- 最低的通态传导

损失

低集电极到外壳电容

（ <100 pF的）

- 减少RFI

低封装电感（ < 10 NH）

- 易于驾驶和保护

应用

交流电机调速

直流伺服和机器人的驱动器

直流斩波器

不间断电源（ UPS ）

开关模式和谐振模

电源

优势

节省空间

容易用2个螺丝安装

高功率密度

符号

测试条件

特征值

(T

J

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

1200

4

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

8

1

2.5

±200

4

V

mA

nA

V

BV

CES

V

GE （日）

I

CES

I

GES

V

CE （ SAT ）

I

C

I

C

= 6毫安， V

GE

= 0 V

= 8毫安， V

CE

= V

GE

V

CE

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CES

V

GE

= 0 V

V

CE

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=

±20

V

I

C

= I

C90

, V

GE

= 15 V

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

95594B(6/97)

1-2

IXSN55N120A

符号

测试条件

特征值

(T

J

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

32

45

S

miniBLOC ， SOT- 227 B

g

fs

I

C（ ON）

C

IES

C

OES

C

水库

Q

g

Q

ge

Q

gc

t

D（上）

t

ri

t

D（关闭）

t

fi

E

关闭

t

D（上）

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si

t

c

E

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E

关闭

R

thJC

R

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I

C

= I

C90

; V

CE

= 10 V

脉冲测试，T

300

女士，

占空比

2 %

V

CE

= 10 V, V

GE

= 15 V

V

CE

= 25 V, V

GE

= 0 V ， F = 1兆赫

340

8000

590

120

300

I

C

= I

C90

, V

GE

= 15 V, V

CE

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80

140

感性负载，T

J

= 25°C

I

C

= I

C90

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GE

= 15 V, V

CE

= 0.8 V

CES

, R

G

= 2.7

W

备注：开关时间可能会增加V

CE

（钳）＆ GT ; 0.8 V

CES

，更高的温度

J

或加强研究

G

140

220

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700

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140

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J

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I

C

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C90

, V

GE

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CE

= 0.8 V

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, R

G

= 2.7

W

备注：开关时间可能会增加V

CE

（钳）＆ GT ; 0.8 V

CES

，更高的温度

J

或加强研究

G

250

600

900

950

6

25

0.05

1000

A

pF

供应M4螺丝（4次）

nC

ns

mJ

ns

mJ

0.25 K / W

K / W

DIM 。

A

B

C

D

E

F

G

H

J

K

L

M

N

O

P

Q

R

S

T

U

毫米

分钟。

马克斯。

31.50

7.80

4.09

14.91

30.12

38.00

11.68

8.92

0.76

12.60

25.15

1.98

4.95

26.54

3.94

4.72

24.59

-0.05

31.88

8.20

4.29

15.11

30.30

38.23

12.22

9.60

0.84

12.85

25.42

2.13

5.97

26.90

4.42

4.85

英寸

分钟。

马克斯。

1.240

0.307

0.161

0.587

1.186

1.496

0.460

0.351

0.030

0.496

0.990

0.078

0.195

1.045

0.155

0.186

1.255

0.323

0.169

0.595

1.193

1.505

0.481

0.378

0.033

0.506

1.001

0.084

0.235

1.059

0.174

0.191

0.987

0.004

25.07 0.968

0.1 -0.002

IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：

4,835,592

4,881,106

5,017,508

5,049,961

5,187,117

5,486,715

4,850,072

4,931,844

5,034,796

5,063,307

5,237,481

5,381,025

2-2