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IS62WV10248BLL
1M ×8低电压，
超低功耗CMOS静态RAM
特点
高速存取时间： 55ns ， 70ns的
CMOS低功耗运行：
36毫瓦（典型值）的操作
12 μW （典型值） CMOS待机
TTL兼容接口电平
单电源供电：
2.5V--3.6V V
DD
(IS62WV10248BLL)
全静态操作：无时钟或刷新
需要
三态输出
工业应用温度
无铅可
ISSI
2006年3月
描述
该
ISSI
IS62WV10248BLL是一个高速，8M位的静态
由8位， 1M字的RAM 。它是使用制造
ISSI
的高性能CMOS技术。这种高度
再加上创新的电路设计可靠的工艺
技术，产量的高性能和低功耗
消费设备。
当
CS1
高（取消），或者当CS2为低
（取消）时，器件呈现在待机模式在哪
功耗可与CMOS输入被降低
的水平。
易内存扩展，通过使用芯片使能提供
和输出使能输入。该低电平有效写使能
（WE）
同时控制写入和读取的存储器。
该IS62WV10248BLL打包在JEDEC标准
48针微型BGA （ 7.2毫米X 8.7毫米） 。
功能框图
A0-A19
解码器
1M ×8
存储阵列
V
DD
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CS2
CS1
OE
WE
2006集成芯片解决方案， Inc.保留所有权利。 ISSI公司保留更改本规范及其产品在任何时候，恕不另行通知。 ISSI不承担任何责任
所产生的本文所述的任何信息，产品或服务的使用或应用。建议客户依赖于任何之前获得此设备规范的最新版本
公布的信息及订货产品之前。
控制
电路
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版本C
03/17/06
1
IS62WV10248BLL
ISSI
引脚说明
A0-A19
CS1
CS2
OE
WE
I/O0-I/O7
NC
V
DD
GND
地址输入
芯片使能输入1
芯片使能输入2
输出使能输入
写使能输入
输入/输出
无连接
动力
地
引脚配置
48针微型BGA （B ） （ 7.2毫米X 8.7毫米）
1
A
B
C
D
E
F
G
H
NC
2
OE
3
A
0
4
A
1
5
A
2
6
CS2
NC
NC
A
3
A
4
CS1
NC
I / O
0
NC
A
5
A
6
NC
I / O
4
GND
I / O
1
A
17
A
7
I / O
5
V
DD
V
DD
I / O
2
NC
A
16
I / O
6
GND
I / O
3
NC
A
14
A
15
NC
I / O
7
NC
NC
A
12
A
13
WE
NC
A
18
A
8
A
9
A
10
A
11
A
19
2
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版本C
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IS62WV10248BLL
ISSI
CS1
H
X
L
L
L
CS2
X
L
H
H
H
OE
X
X
H
L
X
I / O操作
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
V
DD
当前
I
SB
1
, I
SB
2
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
I
CC
I
CC
真值表
模式
未选择
（掉电）
输出禁用
读
写
WE
X
X
H
H
L
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
V
DD
T
英镑
P
T
参数
相对于GND端子电压
V
DD
与GND
储存温度
功耗
价值
-0.2到V
DD
+0.3
-0.2到+3.8
-65到+150
1.0
单位
V
V
°C
W
注意：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这是
一个额定值，器件运行在超过或任何其他条件的说明
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间
会影响其可靠性。
工作范围（V
DD
)
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
IS62WV10248BLL
2.5V - 3.6V
2.5V - 3.6V
DC电气特性
（以上经营范围）
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL(1)
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏
输出漏
GND
≤
V
IN
≤
V
DD
GND
≤
V
OUT
≤
V
DD
，输出禁用
测试条件
I
OH
= -1毫安
I
OL
= 2.1毫安
V
DD
2.5-3.6V
2.5-3.6V
2.5-3.6V
2.5-3.6V
分钟。
2.2
—
2.2
–0.2
–1
–1
马克斯。
—
0.4
V
DD
+ 0.3
0.6
1
1
单位
V
V
V
V
A
A
注意事项：
1. V
IL
（分） = -1.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
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3
IS62WV10248BLL
ISSI
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
8
10
单位
pF
pF
电容
(1)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输入/输出电容
注意：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
IS62WV10248BLL
（单元）
0.4到V
DD
-0.3V
5纳秒
V
REF
参见图1和2
IS62WV10248BLL
2.5V - 3.6V
R1(Ω)
R2(Ω)
V
REF
V
TM
1029
1728
1.5V
2.8V
AC测试负载
R1
VTM
VTM
R1
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
图1
图2
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IS62WV10248BLL
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测试条件
V
DD
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
V
DD
=最大，
CS1
= 0.2V
WE
= V
DD
-0.2V
CS2 = V
DD
-0.2V ， F = 1MHz的
V
DD
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CS1
= V
IH
， CS2 = V
IL
,
F = 1 MH
Z
V
DD
=最大，
CS1
≥
V
DD
– 0.2V,
CS2
≤
0.2V,
V
IN
≥
V
DD
- 0.2V ，或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
马克斯。
55
30
35
5
5
0.3
0.3
马克斯。
70
25
30
5
5
0.3
0.3
单位
mA
mA
电源特性
(1)
（以上经营范围）
IS62WV10248BLL
符号参数
I
CC
I
CC
1
V
DD
工作动态
电源电流
工作电源
当前
TTL待机电流
（ TTL输入）
I
SB
1
mA
I
SB
2
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
COM 。
IND 。
典型值。
(1)
20
25
3
20
25
3
A
注意：
1.典型值是在V测
DD
= 3.0V ，T
A
= 25
o
C和不是100 ％测试。
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