【高级技术数据HiPerFASTTMIGBT与二极管IXGK 60N60C2D1 VCESIXGX 6】,IC型号IXGX60N60C2D1,IXGX60N60C2D1 PDF资料,IXGX60N60C2D1经销商,ic,电子元器件-51电子网

高级技术数据

HiPerFAST

TM

IGBT与二极管

IXGK 60N60C2D1 V

CES

IXGX 60N60C2D1我

C25

V

CE （ SAT ）

C2级高速的IGBT

t

网络连接（典型值）

= 600 V

= 75 A

= 2.5 V

= 35 ns的

符号

V

CES

V

CGR

V

GES

V

创业板

I

C25

I

C110

I

CM

SSOA

（ RBSOA ）

P

C

T

J

T

JM

T

英镑

M

d

重量

测试条件

T

J

= 25 ℃至150 ℃的

T

J

= 25 ℃至150 ℃;

GE

= 1 M

连续

短暂

T

C

= 25°C （受引线）

T

C

= 110°C

T

C

= 25 ° C， 1毫秒

V

GE

= 15 V ，T

VJ

= 125 ° C，R

G

= 10

钳位感性负载@ V

CE

≤

600 V

T

C

= 25°C

最大额定值

600

±20

±30

75

60

300

I

CM

= 100

480

-55 ... +150

150

-55 ... +150

V

A

TO- 264 AA

（ IXGK ）

（ TAB ）

C

E

G

PLUS247

（ IXGX ）

（ TAB ）

G =门

E =发射器

C =收藏家

TAB =收藏家

W

°C

特点

甚高频IGBT和

反并联FRED在一个封装

广场RBSOA

高电流处理能力

MOS管的栅极导通驱动器的简单

快速恢复外延二极管（ FRED ）

软恢复和低I

RM

应用

开关模式和谐振模

电源

不间断电源（ UPS ）

直流斩波器

交流电机调速

直流伺服和机器人的驱动器

安装扭矩， TO- 264

TO-264

PLUS247

1.13 / 10牛米/ lb.in 。

10

6

300

g

°C

最大无铅焊接温度的

从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）

符号

测试条件

特征值

(T

J

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

3.0

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

5.0

650

5

±100

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

2.1

1.8

2.5

V

A

mA

nA

V

GE （日）

I

CES

I

GES

V

CE （ SAT ）

I

C

= 250

A,

V

CE

= V

GE

V

CE

= V

CES

V

GE

= 0 V

V

CE

= 0 V, V

GE

=

±20

V

I

C

= 50 A，V

GE

= 15 V

注1

优势

节省空间（二合一设备

包）

易与1个螺丝安装

DS99044A(09/03)

IXGK 60N60C2D1

IXGX 60N60C2D1

符号

测试条件

特征值

(T

J

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

40

58

3900

280

97

146

28

50

18

感性负载，T

J

= 25°C

°

I

C

= 50 A，V

GE

= 15 V

V

CE

= 400 V ，R

G

= R

关闭

= 2.0

25

95 150

35

0.48

18

25

0.9

130

80

1.2

S

pF

nC

DIM 。

毫米

分钟。

马克斯。

4.82

5.13

2.54

2.89

2.00

2.10

1.12

1.42

2.39

2.69

2.90

3.09

0.53

0.83

25.91

26.16

19.81

19.96

5.46 BSC

0.00

0.25

0.00

0.25

20.32

20.83

2.29

2.59

3.17

3.66

6.07

6.27

8.38

8.69

3.81

4.32

1.78

2.29

6.04

6.30

1.57

1.83

分钟。

英寸

马克斯。

TO- 264 AA大纲

g

fs

C

IES

C

OES

C

水库

Q

g

Q

ge

Q

gc

t

D（上）

t

ri

t

D（关闭）

t

fi

E

关闭

t

D（上）

t

ri

E

on

t

D（关闭）

t

fi

E

关闭

R

thJC

R

thCK

I

C

= 50 A; V

CE

= 10 V,

注1

V

CE

= 25 V, V

GE

= 0 V ， F = 1兆赫

I

C

= 50 A，V

GE

= 15 V, V

CE

= 0.5 V

CES

ns

0.8兆焦耳

ns

mJ

ns

mJ

感性负载，T

J

= 125°C

°

I

C

= 50 A，V

GE

= 15 V

V

CE

= 400 V ，R

G

= R

关闭

= 2.0

0.26 K / W

0.15

K / W

A

A1

A2

b

b1

b2

c

D

E

e

J

K

L

L1

P

Q

Q1

R

R1

S

T

.190

.202

.100

.114

.079

.083

.044

.056

.094

.106

.114

.122

.021

.033

1.020

1.030

.780

.786

0.215 BSC

.000

.010

.000

.010

.800

.820

.090

.102

.125

.144

.239

.247

.330

.342

.150

.170

.070

.090

.238

.248

.062

.072

PLUS247大纲

反向二极管（ FRED ）

符号

V

F

I

RM

t

rr

R

thJC

测试条件

I

F

= 60 A，V

GE

= 0 V,

注1

特征值

(T

J

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

T

J

= 150°C

2.1

1.4

8.3

35

V

A

ns

0.85 K / W

终端：

1 - GATE

2 - 漏极（集电极）

3 - 源（发射极）

4 - 漏极（集电极）

I

F

= 60 A，V

GE

= 0 V ， - 二

F

/ DT = 100 A / μ牛逼

J

= 100°C

V

R

= 100 V

I

F

= 1 ; -di / DT = 200 A / MS; V

R

= 30 V

注1 ：脉冲检验，t

≤

300

s,

占空比

≤

2 %

DIM 。

A

1

A

2

b

1

b

2

C

D

E

e

L

L1

Q

R

毫米

分钟。

马克斯。

4.83

5.21

2.29

2.54

1.91

2.16

1.14

1.40

1.91

2.13

2.92

3.12

0.61

0.80

20.80 21.34

15.75 16.13

5.45 BSC

19.81 20.32

3.81

4.32

5.59

6.20

4.32

4.83

英寸

分钟。马克斯。

.190 .205

.090 .100

.075 .085

.045 .055

.075 .084

.115 .123

.024 .031

.819 .840

.620 .635

0.215 BSC

.780 .800

.150 .170

.220 0.244

.170 .190

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或多个

：下列美国专利

4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1

4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665

6,534,343

IXGK 60N60C2D1

IXGX 60N60C2D1

图。 1.输出特性

@ 25度。

1

00

90

80

V

摹ê

= 15V

13V

11

V

9V

1

75

1

50

200

V

摹ê

= 15V

13V

11

V

9V

图。 2.扩展的输出特性

@ 25度。

I

C

- 安培

70

60

50

40

30

20

1

0

0.5

1

.5

2

2.5

I

C

- 安培

7V

1

25

1

00

75

50

7V

5V

25

0

5V

1

.5

2

2.5

3

3.5

4

4.5

3

3.5

V

CE

- 伏特

V

CE

- 伏特

图。 3.输出特性

@ 125度。

1

00

90

80

70

V

GE

= 15V

13V

11

V

9V

1

.1

1

.2

图。 V 4.温度依赖性

CE （ SAT ）

V

权证（SAT）

- 归

V

摹ê

= 15V

1

0.9

0.8

0.7

I

C

= 100A

I

C

- 安培

7V

60

50

40

30

20

1

0

0.5

1

.5

2

2.5

3

3.5

I

C

= 50A

5V

I

C

= 25A

0.6

0.5

25

50

75

1

00

1

25

1

50

V

CE

- 伏特

T

J

- 摄氏

图。 5.集电极 - 发射极电压

与门极 - 发射极电压

5

4.5

4

T

J

= 25

C

200

1

75

1

50

图。 6.输入导纳

V

CE

- 伏特

3.5

3

2.5

2

1

.5

1

5

6

7

8

9

1

0

1

2

1

3

1

4

1

5

I

C

- 安培

1

25

1

00

75

50

25

0

3.5

4

4.5

5

5.5

6

6.5

7

7.5

8

8.5

T

J

= 125

C

25

C

-40

C

I

C

= 100A

50A

25A

V

GE

- 伏特

V

GE

- 伏特

IXGK 60N60C2D1

IXGX 60N60C2D1

图。 7.跨导

1

00

90

80

T

J

= -40

C

25

C

图。 8.依赖的E

关闭

R上

G

6

5

T

J

= 125

C

V

GE

= 15V

V

CE

= 400V

I

C

= 100A

E

关闭

- 毫焦耳

g

F小号

- 西门子

70

60

50

40

30

20

1

0

25

125

C

4

I

C

= 75A

3

2

1

0

I

C

= 50A

I

C

= 25A

50

75

1

00

1

25

1

50

1

75

200

2

4

6

8

1

0

1

2

1

4

1

6

I

C

- 安培

R

G

- 欧姆

图。 9.依赖的E

关闭

关于我

C

5

R

G

= 2欧姆

R

G

= 10欧姆 - - - - -

4

5

图。 10.依赖的E

关闭

温度

R

G

= 2欧姆

R

G

= 10欧姆 - - - - -

4

I

C

= 100A

E

关闭

- 毫焦耳

3

T

J

= 125

C

E

关闭

- 毫焦耳

V

摹ê

= 15V

V

权证

= 400V

V

摹ê

= 15V

V

权证

= 400V

I

C

= 75A

3

2

T

J

= 25

C

1

2

I

C

= 50A

1

I

C

= 25A

25

50

75

1

00

1

25

0

20

30

40

50

60

70

80

90

1

00

0

I

C

- 安培

T

J

- 摄氏

图。 11.栅极电荷

1

5

V

权证

= 300V

I

C

= 50A

I

G

= 10毫安

1

0000

图。 12.电容

F = 100万赫兹

IES

1

000

OES

1

00

RES

1

2

V

摹ê

- 伏特

9

6

3

0

20

40

60

80

1

00

1

20

1

40

1

60

电容 - pF的

1

0

5

1

0

1

5

20

25

30

35

40

Q

G

- nanocoulombs

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或多个

：下列美国专利

V

CE

- 伏特

4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1

4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665

6,534,343

IXGK 60N60C2D1

IXGX 60N60C2D1

160

A

140

I

F

120

100

80

60

40

20

0

1

V

F

2

V

0

100

A / μs的1000

- 二

F

/ DT

0

200

400

600 A / μs的1000

800

- 二

F

/ DT

4000

nC

T

VJ

= 100°C

V

R

= 300V

80

A

T

VJ

= 100°C

V

R

= 300V

T

VJ

= 25°C

T

VJ

=100°C

3000

Q

r

2000

I

F

=120A

I

F

= 60A

I

F

= 30A

60

I

RM

40

T

VJ

=150°C

1000

20

I

F

=120A

I

F

= 60A

I

F

= 30A

图。 12正向电流I

F

与V

F

图。 13反向恢复电荷Q

r

对 - 二

F

/ DT

140

ns

130

图。 14峰值反向电流I

RM

对 - 二

F

/ DT

20

V

FR

15

1.6

s

t

fr

2.0

T

VJ

= 100°C

V

R

= 300V

1.5

K

f

1.0

t

rr

120

110

I

RM

100

0.5

I

F

=120A

I

F

= 60A

I

F

= 30A

t

fr

10

V

FR

1.2

0.8

Q

r

5

90

80

0

0.4

0.0

T

VJ

= 100°C

I

F

= 60A

0

200

400

0

40

80

120 °C 160

T

VJ

0

200

400

600

- 二

F

/ DT

800

A / μs的1000

0.0

600 A / μs的1000

800

di

F

/ DT

图。 15动态参数Q

r

, I

RM

与牛逼

VJ

1

K / W

0.1

Z

thJC

0.01

图。 16恢复时间t

rr

对 - 二

F

/ DT

图。 17峰值正向电压V

FR

和

t

fr

与迪

F

/ DT

常量Z的

thJC

计算方法：

i

1

2

3

4

R

THI

（K / W）

0.3073

0.3533

0.0887

0.1008

t

i

(s)

0.0055

0.0092

0.0007

0.0399

0.001

0.0001

0.00001

DSEP 2x61-06A

0.0001

0.001

0.01

0.1

s

t

1

图。 18瞬态热阻结到外壳