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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第777页 > IXGT50N90B2
高级技术信息
HiPerFAST
TM
IGBT
B2级高速的IGBT
IXGH 50N90B2
IXGT 50N90B2
V
CES
I
C25
V
CE （ SAT ）
t
fi
典型值
= 900 V
= 75 A
= 2.7 V
= 200纳秒
符号
V
CES
V
CGR
V
GES
V
创业板
I
C25
I
C110
I
CM
SSOA
（ RBSOA ）
P
C
T
J
T
JM
T
英镑
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GE
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25°C （受引线）
T
C
= 110°C
T
C
= 25 ° C， 1毫秒
V
GE
= 15 V ，T
VJ
= 125 ° C，R
G
= 10
钳位感性负载@
≤
600V
T
C
= 25°C
最大额定值
900
900
±20
±30
75
50
200
I
CM
= 100
400
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
V
V
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
°C
°C
TO-247
（ IXGH ）
C（ TAB ）
G
C
E
TO-268
（ IXGT ）
G
E
C（ TAB ）
G =门，
E =发射器，
C =收藏家，
TAB =收藏家
特点
高频IGBT
高电流处理能力
MOS栅极导通
- 驱动器的简单
应用
PFC电路
不间断电源（ UPS ）
开关模式和谐振模
电源
交流电机调速
直流伺服和机器人的驱动器
直流斩波器
最大无铅焊接温度的
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
M
d
重量
安装扭矩（ TO- 247 ）
1.13/10Nm/lb.in.
的TO- 247的AD
TO-268
6
4
g
g
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
3.0
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
5.0
50
1
±100
2.2
T
J
= 125°C
2.7
V
A
mA
nA
V
V
V
GE （日）
I
CES
I
GES
V
CE （ SAT ）
I
C
= 250
A,
V
CE
= V
GE
V
CE
= V
CES
V
GE
= 0 V
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±20
V
I
C
= I
C110
, V
GE
= 15 V
优势
高功率密度
非常快的开关速度高
频率的应用
版权所有2004 IXYS所有权利。
DS99377(04/05)
IXGH 50N90B2
IXGT 50N90B2
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
25
40
2500
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V ， F = 1兆赫
180
75
135
I
C
= I
C110
A，V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
23
50
20
感性负载，T
J
= 25°C
°
I
C
= I
C110
A，V
GE
= 15 V
V
CE
= 720 V ，R
G
= R
关闭
= 5
28
350
200
4.7
20
感性负载，T
J
= 125°C
°
I
C
= I
C110
A，V
GE
= 15 V
V
CE
= 720 V ，R
G
= R
关闭
= 5
28
0.7
400
420
8.7
500
S
P
的TO- 247的AD概要
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
thCK
I
C
= I
C110
A; V
CE
= 10 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
7.5兆焦耳
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.31 K / W
TO- 268外形
e
DIM 。
毫米
分钟。马克斯。
A
4.7
5.3
2.2
2.54
A
1
2.2
2.6
A
2
b
1.0
1.4
b
1
1.65
2.13
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
(TO-247)
0.25
K / W
分钟。推荐足迹
（尺寸以英寸毫米）
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或多个
：下列美国专利
4,850,072
4,835,592
4,931,844
4,881,106
5,034,796
5,017,508
5,063,307
5,049,961
5,237,481
5,187,117
5,381,025
5,486,715
6,404,065B1
6,306,728B1
6,162,665
6,534,343
6,583,505
6,259,123B1 6,306,728B1 6,683,344
IXGH 50N90B2
IXGT 50N90B2
图。 1.输出特性
@ 25
C
100
90
80
70
V
GE
=15V
13V
11V
9V
250
200
图。 2.扩展的输出特性
@ 25
C
300
V
GE
= 15V
1
3V
I
C
- 安培
60
50
40
30
20
10
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5V
7V
I
C
- 安培
11V
150
9V
100
7V
50
0
0
3
6
5V
9
12
15
V
权证
- 伏特
图。 3.输出特性
@ 125
C
100
90
80
V
GE
= 15V
13V
11V
9V
1.3
V
GE
= 15V
1.2
V
权证
- 伏特
图。 4.依赖的V
CE （ SAT ）
on
tem温度
I
C
= 100A
I
C
- 安培
70
60
50
40
30
20
10
0
0
0.5
1
1.5
V
权证（SAT）
- 归
1.1
1.0
I
C
= 50A
0.9
7V
0.8
5V
0.7
I
C
= 25A
V
CE
- 伏特
2
2.5
3
3.5
4
4.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 摄氏
图。 5.收集到EM伊特尔电压
与门到EM伊特尔电压
6.5
6.0
5.5
50A
25A
T
J
= 25
C
I
C
= 100A
250
225
200
图。 6.输入上将ittance
T
J
= -40
C
25
C
125
C
I
C
- 安培
5.0
175
150
125
100
75
50
25
0
V
权证
- 伏特
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
5
6
7
8
V
摹ê
- 伏特
9
10
11
12
13
14
15
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
V
摹ê
- 伏特
版权所有2004 IXYS所有权利。
IXGH 50N90B2
IXGT 50N90B2
图。 8.依赖性关断
图。 7.跨导
55
50
45
40
35
30
25
20
1
5
1
0
5
I
C
= 25A
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
0
30
I
C
= 50A
T
J
= 125
C
V
GE
= 15V
I
C
= 100A
R上的能量损失
G
35
30
25
20
15
10
5
0
T
J
= -40
C
25
C
125
C
E
F F
- 毫焦耳
40
V
CE
= 720V
g
F小号
- 西门子
I
C
- 安培
图。 9.依赖的导通关
在我的能量损失
C
20
18
16
R
G
= 5
V
GE
= 15V
T
J
= 125
C
20
18
16
R
G
- 欧姆
60
90
1
20
1
50
图。 10.依赖性的Turn-关闭
在tem温度能量损失
I
C
= 100A
E
F F
- 毫焦耳
E
F F
- 毫焦耳
14
12
10
8
6
4
2
0
20
V
CE
= 720V
14
12
10
8
6
4
2
0
I
C
= 25A
25
35
45
55
65
75
85
95
105 115 125
R
G
= 5
V
GE
= 15V
V
CE
= 720V
I
C
= 50A
T
J
= 25
C
30
40
I
C
- 安培
50
60
70
80
90
100
T
J
- 摄氏
图。 11.依赖的关断
1300
1200
图。 12.依赖性的Turn-关闭
SW痒蒂姆E在我
C
600
550
500
450
400
350
300
250
200
150
T
J
= 25
C
T
J
= 125
C
SW瘙痒添ê R上
G
t
D（关闭）
切换时间 - 纳秒
t
fi
- - - - - -
T
J
= 125C
V
GE
= 15V
V
CE
= 720V
I
C
= 100A
50A
25A
I
C
= 25A
50A
100A
t
D（关闭）
V
CE
= 720V
t
fi
- - - - -
切换时间 - 纳秒
1100
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
5
R
G
= 5, V
GE
= 15V
10
15
20
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或多个
：下列美国专利
4,850,072
4,835,592
4,931,844
4,881,106
5,034,796
5,017,508
5,063,307
5,049,961
5,237,481
5,187,117
5,381,025
5,486,715
R
G
- 欧姆
25
30
35
40
45
50
20
30
40
50
60
70
80
90
100
I
C
- 安培
6,404,065B1
6,306,728B1
6,162,665
6,534,343
6,583,505
6,259,123B1 6,306,728B1 6,683,344
IXGH 50N90B2
IXGT 50N90B2
图。 13.依赖的关断
SW瘙痒添E在tem温度
600
15
550
500
450
400
350
300
250
200
150
25
35
45
55
65
75
85
95
I
C
= 100A
50A
25A
105 115 125
图。 14.栅极电荷
t
D（关闭）
t
fi
- - - - - -
R
G
=
5
V
GE
=
1
5V
V
CE
=
720V
I
C
= 25A
50A
100A
切换时间 - 纳秒
13.5
12
10.5
V
CE
= 450V
I
C
= 50A
I
G
= 1
0mA
V
摹ê
- 伏特
9
7.5
6
4.5
3
1.5
0
T
J
- 摄氏
图。 15.电容
10000
F = 1 MHz的
110
100
90
0
20
40
Q
G
- nanocoulombs
60
80
100
120
140
图。 16.反向偏置安全
工作区
电容 - P F
I
C
- 安培
1000
C
IES
80
70
60
50
40
30
T
J
= 125
C
R
G
= 10
的dv / dt < 10V / ns的
C
OES
100
C
水库
10
0
5
10
15
20
10
V
权证
- 伏特
20
25
30
35
40
0
100
200
300
400
V
权证
- 伏特
500
600
700
800
900
图。 17.马克西姆嗯瞬态千卡人抵抗
1
R
T H， J·C
- C / W
0.1
0.01
0.1
1
脉冲宽度 - 毫秒
10
100
1000
版权所有2004 IXYS所有权利。
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推荐型号
I24DB05NOV
IC61SF25632D-9.5B
IDT7142LA20L48I
IRS4428SPBF
IRKKF82-06EL
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ICL7631DMJE
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IXTH12N50MB
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    IXGT50N90B2
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    -
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