HiPerFAST
TM
IGBT
ISOPLUS247
TM
光速2
TM
系列
IXGR 60N60C2
IXGR 60N60C2D1
（电隔离背面）
初步数据表
IXGR_C2
IXGR_C2D1
V
CES
I
C25
V
CE （ SAT ）
t
网络连接（典型值）
= 600 V
= 75 A
= 2.7 V
= 35 ns的
符号
V
CES
V
CGR
V
GES
V
创业板
I
C25
I
C110
I
F110
I
CM
SSOA
（ RBSOA ）
P
C
T
J
T
JM
T
英镑
V
ISOL
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GE
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25°C （受引线）
T
C
= 110°C
T
C
= 110 ° C（ IXGR60N60C2D1 ）
T
C
= 25 ° C， 1毫秒
V
GE
= 15 V ，T
VJ
= 125 ° C，R
G
= 10
钳位感性负载@ V
CE
≤
600 V
T
C
= 25°C
最大额定值
600
600
±20
±30
75
48
39
300
I
CM
= 100
250
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
A
ISOPLUS247
（ IXGR ）
C
E
（隔离TAB ）
G =门
E =发射器
特点
C =收藏家
W
°C
°C
°C
V
g
°C
DCB隔离安装标签
会见TO- 247AD封装外形
高电流处理能力
最新一代HDMOS
TM
过程
MOS栅极导通
- 驱动器的简单
应用
不间断电源（ UPS ）
开关模式和谐振模
电源
交流电机调速
直流伺服和机器人的驱动器
直流斩波器
优势
50/60赫兹RMS ， T = 1米
2500
5
300
最大无铅焊接温度的
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
600
3.0
GR60N60C2
GR60N60C2D1
5.0
50
650
±100
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
2.3
2.0
2.7
V
V
A
A
nA
V
V
BV
CES
V
GE （日）
I
CES
I
GES
V
CE （ SAT ）
I
C
I
C
= 1毫安， V
GE
= 0 V
= 250
A,
V
CE
= V
GE
组装方便
高功率密度
非常快的开关速度高
频率的应用
V
CE
= V
CES
V
GE
= 0 V
V
CE
= 0 V, V
GE
= ±20 V
I
C
= 50 A，V
GE
= 15 V
注1
版权所有2004 IXYS所有权利。
DS99051D(05/04)
IXGR 60N60C2
IXGR 60N60C2D1
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
40
55
3900
280
320
97
140
I
C
= 50 A，V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
28
35
18
25
95 150
35
0.49
感性负载，T
J
= 125°C
I
C
= 50 A，V
GE
= 15 V
V
CE
= 400 V ，R
G
= R
关闭
= 2.0
18
25
1.6
130
80
0.92
0.25
0.8
S
pF
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ISOPLUS 247外形
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
THJ - DCB
R
thJC
R
乡镇卫生院
I
C
= 50 A; V
CE
= 10 V,
注1
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V ， F = 1兆赫
60N60C2
60N60C2D1
感性负载，T
J
= 25°C
I
C
= 50 A，V
GE
= 15 V
V
CE
= 400 V ，R
G
= R
关闭
= 2.0
（注2 ）
（注3）
K / W
0.50 K / W
0.15
K / W
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
T
J
= 150°C
2.0
1.39
8.3
35
V
A
ns
0.85 K / W
反向二极管（ FRED ）
符号
V
F
I
RM
t
rr
R
thJC
测试条件
I
F
= 60 A，V
GE
= 0 V,
注1
I
F
= 60 A，V
GE
= 0 V ， - 二
F
/ DT = 100 A / μ牛逼
J
= 100°C
V
R
= 100 V
I
F
= 1 ; -di / DT = 200 A / MS; V
R
= 30 V
注1 ：脉冲检验，t
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
2: R
THJ - DCB
是DCB基板的热阻结到内侧
3: R
thJC
是DCB衬底的热阻结到外部侧
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或多个
：下列美国专利
4,850,072
4,835,592
4,931,844
4,881,106
5,034,796
5,017,508
5,063,307
5,049,961
5,237,481
5,187,117
5,381,025
5,486,715
6,404,065B1
6,306,728B1
6,162,665
6,534,343
6,583,505
6,259,123B1 6,306,728B1 6,683,344
QQ：2881677436 复制
