IRFZ46Z/S/LPbF
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
ΒV
DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
政府飞行服务队
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。典型值。马克斯。单位
55
–––
–––
2.0
45
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.053 –––
10.9 13.6
–––
4.0
–––
–––
–––
20
–––
250
–––
200
––– -200
31
46
7.6
11
12
18
13
–––
63
–––
37
–––
39
–––
4.5
–––
7.5
1460
250
130
860
190
310
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
V
V /°C的
m
V
S
A
nA
nC
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 31A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 25V ，我
D
= 31A
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
I
D
= 31A
V
DS
= 44V
V
GS
= 10V
V
DD
= 28V
I
D
= 31A
R
G
= 15
V
GS
= 10V
D
铅之间，
f
f
f
ns
nH
6毫米（0.25英寸）。
从包
G
S
而中心的模具接触
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz的，见图。五
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 44V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至44V
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
21
16
51
A
200
1.3
31
24
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
G
D
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 31A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 31A ，V
DD
= 28V
的di / dt = 100A / μs的
f
S
f
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （见图11）。
限制T
JMAX
，起始物为
J
= 25 ° C，L = 0.13mH ，
R
G
= 25, I
AS
= 31A ，V
GS
= 10V 。不属于
推荐使用高于此值。
I
SD
≤
31A ， di / dt的
≤
1070A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C.
脉冲宽度
≤
1.0ms的;占空比
≤
2%.
C
OSS
EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间
为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
限制T
JMAX
，参见图12a和12b ，15，16为典型的重复
雪崩性能。
从样品失效人口这个值来决定。 100 ％
测试，在生产该值。
这个被施加到D
2
白，装在1"方形PCB时
（FR-4或G- 10材料） 。对于推荐的足迹，
焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
2
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10000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞= C GS + C GD ，C DS短路
CRSS = C GD
COSS = C DS + C GD
12.0
ID = 31A
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
10.0
VDS = 44V
VDS = 28V
VDS = 11V
C，电容（pF ）
8.0
6.0
西塞
1000
科斯
CRSS
100
1
10
100
4.0
2.0
0.0
0
5
10
15
20
25
30
35
VDS ，漏极至源极电压（ V）
QG总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000.00
1000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
100.00
T J = 175℃
10.00
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
100
10
100sec
1.00
T J = 25°C
1msec
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
0.1
1
10
10msec
VGS = 0V
0.10
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
VSD ，源极到漏极电压（V ）
100
1000
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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55
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
2.5
50
45
ID ，漏电流（ A）
ID = 31A
VGS = 10V
2.0
40
35
30
25
20
15
10
5
0
25
50
75
100
125
150
175
T C ，外壳温度（ ° C）
1.5
1.0
0.5
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
T J ，结温（ ° C）
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
10
热响应（Z thJC ）
1
D = 0.50
0.20
0.1
0.10
0.05
0.02
0.01
τ
J
R
1
R
1
τ
J
τ
1
τ
2
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
3
τ
C
τ
τ
3
RI（ ° C / W）
τi
（秒）
0.9322 0.000357
0.5533
0.3545
0.001133
0.004091
τ
1
τ
2
0.01
CI-
τi /日
CI = I /日
单脉冲
（热反应）
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝
0.001
0.01
0.1
1
0.001
1E-006
1E-005
0.0001
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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5
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