IXGA24N120C3 IXGH24N120C3
IXGP24N120C3
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
thCK
注意事项：
1.
2.
感性负载，T
J
= 125°C
°
I
C
= 20A ，V
GE
= 15V
V
CE
= 600V ，R
G
= 5Ω
注1
感性负载，T
J
= 25°C
°
I
C
= 20A ，V
GE
= 15V
V
CE
= 600V ，R
G
= 5Ω
注1
I
C
= 24A ，V
GE
= 15V, V
CE
= 0.5
V
CES
I
C
= 24A ，V
CE
= 10V ，注意2
V
CE
= 25V, V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
10
17
1900
125
52
79
12
36
16
27
1.16
93
110
0.47
16
35
2.18
125
305
1.18
0.85
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
TO- 247 （ IXGH ） AD纲要
1 - 门
2 =收藏家
3 =发射器
TAB =收藏家
2.00
TO-220
TO-247
0.50
0.21
0.50
° C / W
° C / W
° C / W
TO- 220 （ IXGP ）大纲
切换时间可能会增加V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
,
更高的温度
J
或加强研究
G
.
脉冲测试，T
≤
300μS ;占空比D
≤
2%.
TO- 263 （ IXGA ）大纲
引脚：
1 - GATE
3 - 来源
2 - 漏极
4 - 漏极
初步技术信息
本文中所呈现的产品正在开发中。所提供的技术规格衍生
从过程的初步工程很多客观的刻画收集的数据;但也可能还
包含在预生产设计评价提供了一些信息。 IXYS保留权利
更改限制，试验条件和尺寸，恕不另行通知。
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
7,157,338B2
IXGA24N120C3 IXGH24N120C3
IXGP24N120C3
图。 1.输出特性
@ 25C
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
5V
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
7V
V
GE
= 15V
13V
11V
180
V
GE
= 15V
160
140
13V
图。 2.扩展的输出特性
@ 25C
I
C
-
安培
I
C
- 安培
9V
120
100
80
60
40
20
7V
9V
11V
V
CE
- 伏特
V
CE
- 伏特
图。 3.输出特性
@ 125C
50
45
40
35
V
GE
= 15V
13V
11V
1.4
1.3
图。 4.依赖的V
CE （ SAT ）
on
结温
V
GE
= 15V
I
9V
C
= 48A
V
CE （ SAT ）
- 归
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
I
C
I
C
- 安培
30
25
20
15
10
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
5V
7V
= 24A
0.7
0.6
-50
-25
0
25
50
I
C
= 12A
75
100
125
150
V
CE
- 伏特
T
J
- 摄氏
图。 5.集电极 - 发射极电压
与门极 - 发射极电压
8.0
7.5
7.0
6.5
I
= 48A
24A
12A
T
J
= 25C
60
55
50
C
图。 6.输入导纳
45
T
J
= - 40C
25C
125C
6.0
5.5
5.0
4.5
I
C
-
安培
40
35
30
25
20
15
V
CE
- 伏特
4.0
3.5
3.0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
10
5
0
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
V
GE
- 伏特
V
GE
- 伏特
2008 IXYS公司，保留所有权利。
IXGA24N120C3 IXGH24N120C3
IXGP24N120C3
图。 7.跨导
26
24
22
20
25C
T
J
= - 40C
14
12
16
V
CE
= 600V
I
C
= 24A
I
G
= 10毫安
图。 8.栅极电荷
g
F小号
-
SIEMENS
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
60
125C
V
GE
- 伏特
70
80
10
8
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
I
C
- 安培
Q
G
- nanocoulombs
图。 9.电容
10,000
55
图。 10.反向偏置安全工作区
50
45
f
= 1兆赫
电容 - 皮法
I
C
- 安培
1,000
资本投资者入境计划
40
35
30
25
20
15
10
T
J
= 125C
R
G
= 5
Ω
的dV / dt < 10V / ns的
卓越中心
100
CRES
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
5
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
V
CE
- 伏特
V
CE
- 伏特
图。 11.最大瞬态热阻抗
1.00
Z
（日） JC
- C / W
0.10
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度 - 秒
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS REF ： G_24N120C3 （ 4N ） 01-15-08C
IXGA24N120C3 IXGH24N120C3
IXGP24N120C3
图。 12.感应开关
能量损耗与栅极电阻
1.4
1.3
1.2
I
E
关闭
V
CE
= 600V
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I
C
= 10A
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
E
on
-
C
图。 13.感应开关
能量损失与集电极电流
2.6
2.4
1.8
1.6
1.4
E
关闭
V
CE
= 600V
E
on
2.2
----
2.0
1.8
R
G
= 5
Ω
,
V
GE
= 15V
= 20A
2.2
E
E
关闭
- 毫焦耳
E
关闭
- 毫焦耳
1.1
1.0
---
2.0
1.8
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
T
J
= 25C
T
J
= 125C
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
E
on
on
- 毫焦耳
T
J
= 125℃ ，V
GE
= 15V
- 毫焦耳
R
G
- 欧姆
I
C
- 安培
图。 14.感应开关
能量损失与结温
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
I
C
= 10A
0.2
0.0
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
0.4
0.0
125
E
关闭
V
CE
= 600V
E
on
2.8
360
340
320
图。 15.感应开启关闭
开关时间与栅极电阻
400
----
I
C
= 20A
R
G
= 5
Ω
,
V
GE
= 15V
2.4
2.0
t
f
V
CE
= 600V
t
D（关
)
- - - -
360
320
280
T
J
= 125°C ，V
GE
= 15V
t
D（关闭）
- 纳秒
E
关闭
- 毫焦耳
t
f
- 纳秒
E
- 毫焦耳
300
280
260
I
240
220
200
4
6
8
10
12
14
16
18
20
C
on
1.6
1.2
0.8
I
C
= 20A
240
200
= 10A
160
120
80
T
J
- 摄氏
R
G
- 欧姆
图。 16.感应开启关闭
开关时间与集电极电流
380
340
300
130
125
300
120
350
图。 17.感应开启关闭
开关时间与结温
140
t
f
V
CE
= 600V
t
D（关闭）
- - - -
130
R
G
= 5
Ω
, V
GE
= 15V
t
t
D（关闭）
- 纳秒
t
f
- 纳秒
t
f
- 纳秒
T
J
= 125C
260
220
180
140
100
60
20
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
T
J
= 25C
115
D（关闭）
250
I
200
C
120
= 20A
110
- 纳秒
t
f
V
CE
= 600V
t
D（关
)
- - - -
110
105
100
95
R
G
= 5
Ω
, V
GE
= 15V
150
I
C
= 10A
100
100
90
85
50
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
90
80
125
I
C
- 安培
T
J
- 摄氏
2008 IXYS公司，保留所有权利。
QQ：2880707522 复制
