INA213-Q1
INA214-Q1
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SBOS475B - 2009年3月 - 修订2010年6月
电压输出，高或低侧测量，双向零漂移
电流分流监控器
检查样品：
INA213 -Q1 ， INA214 -Q1
1
特点
通过汽车应用认证
宽共模范围： -0.3 V至26 V
失调电压： ± 100 μV （最大值）
允许为10 mV的满量程分流滴
准确性
- ± 1 ％增益误差（最大值在整个温度范围）
- 0.5 μV /°C的失调漂移（最大）
- 为10ppm / °C增益漂移（最大）
增益的选择
- INA213 ： 50 V / V
- INA214 ： 100 V / V
静态电流： 100 μA （最大值）
SC70封装
应用
笔记本电脑
手机
电信设备
电源管理
电池充电器
焊接设备
DCK包装
（ TOP VIEW ）
REF
GND
V+
1
2
3
6
5
4
OUT
IN-
IN +
2
描述
该INA213与INA214是电压输出电流分流监测器可以跨分流器在感应滴
共模电压从0.3 V至26 V ，与电源电压无关的。该INA213提供了一个固定增益
的50体积/体积，以及INA214提供的100 V / V的固定增益。低的零漂移架构能够补偿
电流检测用跨越分流低至10 mV的满量程最大滴。
这些器件采用2.7 V至26 V电源供电，绘制最多的电源电流为100μA 。
他们工作在-40 ° C至125°C的工作温度范围，并提供SC70封装。
参考
电压
供应
R
分流
负载
REF
INA21x
OUT
产量
GND
R
1
R
3
IN-
2.7 V至26 V
C
绕行
0.01
m
F
to
0.1
m
F
V+
R
2
R
4
IN +
产品
INA213
INA214
收益
50
100
R
3
和R
4
20千瓦
10千瓦
R
1
和R
2
1兆瓦
1兆瓦
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
版权所有2009-2010，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
INA213-Q1
INA214-Q1
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
(1)
T
J
-40_C到125_C
(1)
(2)
收益
50 V/V
100 V/V
包
(2)
SC70 - DCK
SC70 - DCK
3000卷
3000卷
订购型号
INA213AQDCKRQ1
INA214AQDCKRQ1
顶部端标记
OBX
OFT
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
包装图纸，热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明。
V
S
V
IN +
V
IN-
V
REF
V
OUT
I
IN
q
JA
T
A
T
英镑
T
J
ESD
电源电压
模拟输入电压
REF输入电压
输出电压
(3)
输入电流到任何引脚
(3)
热阻，结到自由的空气
工作温度
储存温度
结温
人体模型（ HBM ）
静电放电额定值
带电器件模型（ CDM）
机器模型（ MM ）
(1)
(2)
(3)
(2)
26 V
差（V
IN +
)–(V
IN-
)
共模
(3)
-26 V至26 V
GND - 0.3 V至26 V
GND - 0.3 V到V + + 0.3 V
GND - 0.3 V到V + + 0.3 V
5毫安
250°C/W
-55_C到150_C
-65_C到150_C
150°C
3000 V
1000 V
150 V
强调以上这些额定值可能会造成永久性的损害。长期在绝对最大条件下工作会
降低设备的可靠性。这些压力额定值只，设备的这些功能操作或以后的任何其他条件
这些规定是不是暗示。
V
IN +
和V
IN-
是分别在IN +和IN-引脚，所述电压。
输入电压在任何引脚可能超过所示的电压，如果当前在该管脚被限制到5毫安。
推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
S
T
J
电源电压
结温
2.7
–40
最大
26
125
单位
V
°C
2
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电气特性
V
SENSE
= V
IN +
– V
IN-
, V
S
= +5 V, V
IN +
= 12 V, V
REF
= V
S
/ 2（除非另有说明）
参数
V
CM
CMRR
V
OS
dV
OS
/ DT
PSR
I
B
I
OS
共模输入
范围
共模
抑制比
失调电压
失调电压VS
温度
(3)
失调电压VS
电源
输入偏置电流
输入失调电流
收益
增益误差
增益误差VS
温度
(3)
非线性误差
最大电容
负载
输出电压摆幅
到V +电源
轨
(4)
输出电压摆幅
到GND
BW
SR
带宽
压摆率
电压噪声密度
I
Q
(1)
(2)
(3)
(4)
静态电流
RTI
(2)
V
SENSE
= 0毫伏
C
负载
= 10 pF的
V
SENSE
= -5 mV至5毫伏
没有持续振荡
R
L
= 10 kΩ到GND
V
S
= 2.7 V至18 V ，
V
IN +
= 18 V, V
SENSE
= 0毫伏
V
SENSE
= 0毫伏
V
SENSE
= 0毫伏
INA213
INA214
V
SENSE
= -5 mV至5毫伏
全系列
全系列
25°C
25°C
全系列
全系列
25°C
25°C
25°C
25°C
全系列
V
IN +
= 0 V至26 V ，
V
SENSE
= 0毫伏
RTI
(2)
, V
SENSE
= 0毫伏
INA213
INA214
INA213
INA214
测试条件
T
A
(1)
民
–0.3
100
100
典型值
最大
26
单位
V
dB
全系列
全系列
25°C
全系列
25°C
25°C
25°C
120
140
±5
±1
0.1
±0.1
±100
±60
0.5
±10
35
V
μV/°C
V/V
A
A
V/V
15
28
±0.02
50
100
±0.02
3
±0.01
1
V+ – 0.05
V
GND
+
0.005
14
0.4
25
65
±1
10
%
PPM /°C的
%
nF
V+ – 0.2
V
GND
+
0.05
V
V
千赫
V / μs的
纳伏/赫兹÷
100
115
A
全范围T
A
= -40 ° C至125°C
RTI =折合到输入端
未经生产测试
见典型特征，
输出电压摆幅与输出电流
（图
10).
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典型特征
T
A
= 25 ° C，V
S
= 5 V, V
IN +
= 12 V ，和V
REF
= V
S
/ 2（除非另有说明）
输入失调电压
生产布局
100
80
60
失调电压
与温度
失调电压（
m
V)
40
20
0
-20
-40
-60
-80
人口
-35
-30
-25
-20
-15
-10
-100
-50
0
5
10
15
20
25
-5
30
35
-25
0
25
50
75
100
125
150
失调电压（
m
V)
温度（
°
C)
图1 。
共模抑制
生产布局
5
4
3
图2中。
共模抑制比
与温度
共模抑制比（
m
V/V)
2
1
0
-1
-2
-3
-4
人口
-5.0
-4.5
-4.0
-3.5
-3.0
-2.5
-2.0
-1.5
-1.0
-0.5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
-5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
共模抑制比（
m
V/V)
温度（
°
C)
网络连接gure 3 。
图4中。
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典型特性（续）
T
A
= 25 ° C，V
S
= 5 V, V
IN +
= 12 V ，和V
REF
= V
S
/ 2（除非另有说明）
增益误差
生产布局
1.0
0.8
0.6
增益误差
与温度
20典型单位表示
增益误差（％）
-1.0
-0.9
-0.8
-0.7
-0.6
-0.5
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.4
0.2
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
人口
增益误差（％）
温度（
°
C)
图5中。
收益
与频率
70
60
50
160
140
120
图6 。
电源抑制比
与频率
| PSRR | （ dB）的
增益（dB ）
40
30
20
10
0
-
10
10
V
CM
= 0V
V
DIF
= 15mV的
PP
正弦
100
1k
10k
频率（Hz）
100k
1M
10M
100
80
60
40
20
0
1
V
S
= + 5V + 250mV的正弦波干扰
V
CM
= 0V
V
DIF
=短路
V
REF
= 2.5V
10
100
1k
10k
100k
频率（Hz）
图7 。
网络连接gure 8 。
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