IXGA 20N60B
IXGP 20N60B
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
MIN 。 TYP 。
马克斯。
9
17
1500
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V ， F = 1兆赫
175
40
90
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
11
30
感性负载，T
J
= 25°C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V ， L = 100
mH的，
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 10
W
备注：开关时间可能会增加
对于V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
，更高的温度
J
or
加强研究
G
感性负载，T
J
= 125°C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V ， L = 100
mH
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 10
W
备注：开关时间可能
增加V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
,
更高的温度
J
或加强研究
G
15
35
0.15
150
100
0.7
15
35
0.15
220
140
1.2
200
150
1.0
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.83 K / W
(TO-220)
0.25
K / W
TO- 263 AA （ IXGA ）大纲
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
M
N
Q
R
毫米
分钟。马克斯。
12.70 13.97
14.73 16.00
9.91 10.66
3.54
4.08
5.85
6.85
2.54
3.18
1.15
1.65
2.79
5.84
0.64
1.01
2.54 BSC
4.32
4.82
1.14
1.39
0.35
0.56
2.29
2.79
英寸
分钟。马克斯。
0.500 0.550
0.580 0.630
0.390 0.420
0.139 0.161
0.230 0.270
0.100 0.125
0.045 0.065
0.110 0.230
0.025 0.040
0.100 BSC
0.170 0.190
0.045 0.055
0.014 0.022
0.090 0.110
TO- 220 AB （ IXGP ）大纲
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
thCK
I
C
= I
C90
; V
CE
= 10 V,
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
DIM 。
A
A1
毫米
分钟。
马克斯。
4.06
2.03
0.51
1.14
0.46
1.14
8.64
7.11
9.65
6.86
2.54
14.61
2.29
1.02
1.27
0
0.46
4.83
2.79
0.99
1.40
0.74
1.40
9.65
8.13
10.29
8.13
BSC
15.88
2.79
1.40
1.78
0.38
0.74
英寸
分钟。马克斯。
.160
.080
.020
.045
.018
.045
.340
.280
.380
.270
.100
.575
.090
.040
.050
0
.018
.190
.110
.039
.055
.029
.055
.380
.320
.405
.320
BSC
.625
.110
.055
.070
.015
.029
分钟。推荐足迹
b
b2
c
c2
D
D1
E
E1
e
L
L1
L2
L3
L4
R
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-4
IXGA 20N60B
IXGP 20N60B
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
MIN 。 TYP 。
马克斯。
9
17
1500
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V ， F = 1兆赫
175
40
90
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
11
30
感性负载，T
J
= 25°C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V ， L = 100
mH的，
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 10
W
备注：开关时间可能会增加
对于V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
，更高的温度
J
or
加强研究
G
感性负载，T
J
= 125°C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V ， L = 100
mH
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 10
W
备注：开关时间可能
增加V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
,
更高的温度
J
或加强研究
G
15
35
0.15
150
100
0.7
15
35
0.15
220
140
1.2
200
150
1.0
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.83 K / W
(TO-220)
0.25
K / W
TO- 263 AA （ IXGA ）大纲
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
M
N
Q
R
毫米
分钟。马克斯。
12.70 13.97
14.73 16.00
9.91 10.66
3.54
4.08
5.85
6.85
2.54
3.18
1.15
1.65
2.79
5.84
0.64
1.01
2.54 BSC
4.32
4.82
1.14
1.39
0.35
0.56
2.29
2.79
英寸
分钟。马克斯。
0.500 0.550
0.580 0.630
0.390 0.420
0.139 0.161
0.230 0.270
0.100 0.125
0.045 0.065
0.110 0.230
0.025 0.040
0.100 BSC
0.170 0.190
0.045 0.055
0.014 0.022
0.090 0.110
TO- 220 AB （ IXGP ）大纲
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
thCK
I
C
= I
C90
; V
CE
= 10 V,
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
DIM 。
A
A1
毫米
分钟。
马克斯。
4.06
2.03
0.51
1.14
0.46
1.14
8.64
7.11
9.65
6.86
2.54
14.61
2.29
1.02
1.27
0
0.46
4.83
2.79
0.99
1.40
0.74
1.40
9.65
8.13
10.29
8.13
BSC
15.88
2.79
1.40
1.78
0.38
0.74
英寸
分钟。马克斯。
.160
.080
.020
.045
.018
.045
.340
.280
.380
.270
.100
.575
.090
.040
.050
0
.018
.190
.110
.039
.055
.029
.055
.380
.320
.405
.320
BSC
.625
.110
.055
.070
.015
.029
分钟。推荐足迹
b
b2
c
c2
D
D1
E
E1
e
L
L1
L2
L3
L4
R
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-4
QQ：2880707522 复制
