【PD - 97050IRF7823PbFHEXFET功率MOSFET应用l高频负载点的同步降压转换器】,IC型号IRF7823PBF,IRF7823PBF PDF资料,IRF7823PBF经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD - 97050

IRF7823PbF

HEXFET

功率MOSFET

应用

l

高频负载点的

同步降压转换器

在网络应用&

计算系统

l

优化控制FET应用

好处

l

非常低R

DS （ ON）

在4.5V V

GS

l

低栅电荷

l

充分界定雪崩电压

和电流

l

100％测试的R

G

V

DSS

30V

R

DS （ ON）

最大

Qg

8.7m

:

@V

GS

= 10V 9.1nC

A

D

S

G

1

2

3

4

8

7

6

5

顶视图

SO-8

绝对最大额定值

参数

V

DS

V

GS

I

D

@ T

A

= 25°C

I

D

@ T

A

= 70°C

I

DM

P

D

@T

A

= 25°C

P

D

@T

A

= 70°C

T

J

T

英镑

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

马克斯。

30

± 20

13

11

100

2.5

1.6

0.02

-55到+ 150

单位

V

f

功耗

f

功耗

c

A

W

W / ℃，

°C

线性降额因子

工作结

存储温度范围

热阻

R

θJL

R

θJA

g

结到环境

fg

结到漏极引线

参数

典型值。

–––

马克斯。

20

50

单位

° C / W

笔记

通过

在第10页

www.irf.com

1

10/06/05

IRF7823PbF

静态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

BV

DSS

ΒV

DSS

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

I

DSS

I

GSS

政府飞行服务队

Q

g

Q

gs1

Q

gs2

Q

gd

Q

godr

Q

sw

Q

OSS

R

g

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

栅极阈值电压系数

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

正向跨导

总栅极电荷

预Vth的栅极 - 源极充电

后Vth的栅极至源电荷

栅极 - 漏极电荷

栅极电荷过载

切换电荷（Q

gs2

+ Q

gd

)

输出充电

栅极电阻

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

参数

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

分钟。典型值。马克斯。单位

30

–––

1.35

–––

27

–––

0.024

6.9

9.3

1.8

-5.1

–––

9.1

2.7

0.84

3.2

2.4

4.0

5.8

2.0

7.2

8.2

10

2.7

1110

240

110

–––

8.7

11.9

2.35

–––

1.0

150

100

-100

–––

14

–––

3.0

–––

典型值。

–––

pF

ns

nC

V

DS

= 15V

V

GS

= 4.5V

I

D

= 10A

S

nA

V

毫伏/°C的

A

V

m

条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

V

GS

= 10V ，我

D

= 13A

V

GS

= 4.5V ，我

D

V / ℃参考至25℃ ，我

D

= 1毫安

V

DS

= V

GS

, I

D

= 25A

V

DS

= 24V, V

GS

= 0V

e

= 10A

e

V

DS

= 24V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

V

GS

= 20V

V

GS

= -20V

V

DS

= 15V ，我

D

= 10A

参见图。 17 & 18

V

DS

= 16V, V

GS

= 0V

V

DD

= 16V, V

GS

= 4.5V

I

D

= 10A

钳位感性负载

参见图。 15

V

GS

= 0V

V

DS

= 15V

= 1.0MHz的

马克斯。

230

10

单位

mJ

A

雪崩特性

E

AS

I

AR

d

二极管的特性

参数

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

7.8

9.0

3.1

A

100

1.0

12

14

V

ns

nC

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

G

S

D

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 10A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= 10A ，V

DD

= 15V

参照图16

的di / dt = 500A / μs的

e

固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的

2

www.irf.com

IRF7823PbF

1000

顶部

VGS

10V

5.0V

4.5V

3.5V

3.0V

2.7V

2.5V

2.3V

1000

顶部

VGS

10V

5.0V

4.5V

3.5V

3.0V

2.7V

2.5V

2.3V

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

底部

100

底部

10

1

2.3V

0.1

2.3V

0.01

0.1

1

≤

在60μs脉冲宽度

TJ = 25°C

0.1

100

0.1

1

10

≤

在60μs脉冲宽度

TJ = 150℃

10

100

V DS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

2.0

RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻

（归一化）

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

ID = 13A

VGS = 10V

100

1.5

10

T J = 150℃

1

VDS = 15V

≤60s

脉冲宽度

0.1

1

2

3

4

5

T J = 25°C

1.0

0.5

-60 -40 -20 0

20 40 60 80 100 120 140 160

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

T J ，结温（ ° C）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

www.irf.com

3

IRF7823PbF

10000

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞= C GS + Cgd的，C DS短路

CRSS = C GD

COSS =硫化镉+ Cgd的

12.0

ID = 10A

10.0

8.0

6.0

4.0

2.0

0.0

VDS = 24V

VDS = 15V

C，电容（pF ）

1000

西塞

科斯

100

CRSS

10

1

10

VDS ，漏极至源极电压（ V）

100

0

2

4

6

8

10 12 14 16 18 20

QG ，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000

在这一领域

限于由R DS （ ON）

ISD ，反向漏电流（ A）

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

T J = 150℃

10

T J = 25°C

100

100sec

10

1msec

1

10msec

1

VGS = 0V

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

VSD ，源极到漏极电压（V ）

0.1

T A = 25°C

TJ = 150℃

单脉冲

0

1

10

100

0.01

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

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14

12

ID ，漏电流（ A）

VGS （ th）时，栅极阈值电压（ V）

2.5

10

8

6

4

2

0

25

50

75

100

125

150

T A ，环境温度（ ° C）

2.0

1.5

ID = 50μA

1.0

0.5

-75 -50 -25

0

25

50

75 100 125 150

T J ，温度（° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10 。

阈值电压与温度的关系

100

10

热响应（Z thJA ）

1

0.1

0.01

0.001

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

τ

J

τ

J

τ

1

τ

1

R

1

R

1

τ

2

R

2

R

2

R

3

R

3

τ

A

τ

3

τ

A

τ

2

τ

3

C I =

τi / R

i

C I =

τi / R

i

RI（ ° C / W）

τi

（秒）

7.520 0.013427

25.573

1.1097

16.913

36.9

单脉冲

（热反应）

注意事项：

1.占空比D = T1 / T2

2.峰值TJ = P DM X Zthja +钽

0.0001

1E-006

1E-005

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

100

1000

T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结到环境

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HEXFET

功率MOSFET

应用

l

高频负载点的

同步降压转换器

在网络应用&

计算系统

l

优化控制FET应用

好处

l

非常低R

DS （ ON）

在4.5V V

GS

l

低栅电荷

l

充分界定雪崩电压

和电流

l

100％测试的R

G

V

DSS

30V

R

DS （ ON）

最大

Qg

8.7m

:

@V

GS

= 10V 9.1nC

A

D

S

G

1

2

3

4

8

7

6

5

顶视图

SO-8

绝对最大额定值

参数

V

DS

V

GS

I

D

@ T

A

= 25°C

I

D

@ T

A

= 70°C

I

DM

P

D

@T

A

= 25°C

P

D

@T

A

= 70°C

T

J

T

英镑

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

马克斯。

30

± 20

13

11

100

2.5

1.6

0.02

-55到+ 150

单位

V

f

功耗

f

功耗

c

A

W

W / ℃，

°C

线性降额因子

工作结

存储温度范围

热阻

R

θJL

R

θJA

g

结到环境

fg

结到漏极引线

参数

典型值。

–––

马克斯。

20

50

单位

° C / W

笔记

通过

在第10页

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1

10/06/05

IRF7823PbF

静态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

BV

DSS

ΒV

DSS

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

I

DSS

I

GSS

政府飞行服务队

Q

g

Q

gs1

Q

gs2

Q

gd

Q

godr

Q

sw

Q

OSS

R

g

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

栅极阈值电压系数

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

正向跨导

总栅极电荷

预Vth的栅极 - 源极充电

后Vth的栅极至源电荷

栅极 - 漏极电荷

栅极电荷过载

切换电荷（Q

gs2

+ Q

gd

)

输出充电

栅极电阻

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

参数

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

分钟。典型值。马克斯。单位

30

–––

1.35

–––

27

–––

0.024

6.9

9.3

1.8

-5.1

–––

9.1

2.7

0.84

3.2

2.4

4.0

5.8

2.0

7.2

8.2

10

2.7

1110

240

110

–––

8.7

11.9

2.35

–––

1.0

150

100

-100

–––

14

–––

3.0

–––

典型值。

–––

pF

ns

nC

V

DS

= 15V

V

GS

= 4.5V

I

D

= 10A

S

nA

V

毫伏/°C的

A

V

m

条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

V

GS

= 10V ，我

D

= 13A

V

GS

= 4.5V ，我

D

V / ℃参考至25℃ ，我

D

= 1毫安

V

DS

= V

GS

, I

D

= 25A

V

DS

= 24V, V

GS

= 0V

e

= 10A

e

V

DS

= 24V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

V

GS

= 20V

V

GS

= -20V

V

DS

= 15V ，我

D

= 10A

参见图。 17 & 18

V

DS

= 16V, V

GS

= 0V

V

DD

= 16V, V

GS

= 4.5V

I

D

= 10A

钳位感性负载

参见图。 15

V

GS

= 0V

V

DS

= 15V

= 1.0MHz的

马克斯。

230

10

单位

mJ

A

雪崩特性

E

AS

I

AR

d

二极管的特性

参数

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

7.8

9.0

3.1

A

100

1.0

12

14

V

ns

nC

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

G

S

D

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 10A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= 10A ，V

DD

= 15V

参照图16

的di / dt = 500A / μs的

e

固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的

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1000

顶部

VGS

10V

5.0V

4.5V

3.5V

3.0V

2.7V

2.5V

2.3V

1000

顶部

VGS

10V

5.0V

4.5V

3.5V

3.0V

2.7V

2.5V

2.3V

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

底部

100

底部

10

1

2.3V

0.1

2.3V

0.01

0.1

1

≤

在60μs脉冲宽度

TJ = 25°C

0.1

100

0.1

1

10

≤

在60μs脉冲宽度

TJ = 150℃

10

100

V DS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

2.0

RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻

（归一化）

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

ID = 13A

VGS = 10V

100

1.5

10

T J = 150℃

1

VDS = 15V

≤60s

脉冲宽度

0.1

1

2

3

4

5

T J = 25°C

1.0

0.5

-60 -40 -20 0

20 40 60 80 100 120 140 160

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

T J ，结温（ ° C）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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10000

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞= C GS + Cgd的，C DS短路

CRSS = C GD

COSS =硫化镉+ Cgd的

12.0

ID = 10A

10.0

8.0

6.0

4.0

2.0

0.0

VDS = 24V

VDS = 15V

C，电容（pF ）

1000

西塞

科斯

100

CRSS

10

1

10

VDS ，漏极至源极电压（ V）

100

0

2

4

6

8

10 12 14 16 18 20

QG ，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000

在这一领域

限于由R DS （ ON）

ISD ，反向漏电流（ A）

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

T J = 150℃

10

T J = 25°C

100

100sec

10

1msec

1

10msec

1

VGS = 0V

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

VSD ，源极到漏极电压（V ）

0.1

T A = 25°C

TJ = 150℃

单脉冲

0

1

10

100

0.01

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

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14

12

ID ，漏电流（ A）

VGS （ th）时，栅极阈值电压（ V）

2.5

10

8

6

4

2

0

25

50

75

100

125

150

T A ，环境温度（ ° C）

2.0

1.5

ID = 50μA

1.0

0.5

-75 -50 -25

0

25

50

75 100 125 150

T J ，温度（° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10 。

阈值电压与温度的关系

100

10

热响应（Z thJA ）

1

0.1

0.01

0.001

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

τ

J

τ

J

τ

1

τ

1

R

1

R

1

τ

2

R

2

R

2

R

3

R

3

τ

A

τ

3

τ

A

τ

2

τ

3

C I =

τi / R

i

C I =

τi / R

i

RI（ ° C / W）

τi

（秒）

7.520 0.013427

25.573

1.1097

16.913

36.9

单脉冲

（热反应）

注意事项：

1.占空比D = T1 / T2

2.峰值TJ = P DM X Zthja +钽

0.0001

1E-006

1E-005

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

100

1000

T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结到环境

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