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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第806页 > IXGP16N60C2D1
高级技术信息
HiPerFAST
TM
IGBT
C2级高速
IGBT
IXGA
IXGP
IXGA
IXGP
16N60C2
16N60C2
16N60C2D1
16N60C2D1
V
CES
I
C25
V
CE ( SAT )
t
网络连接(典型值)
= 600 V
= 40 A
= 3.0 V
= 35 ns的
D1
符号
V
CES
V
CGR
V
GES
V
创业板
I
C25
I
C110
I
D110
I
CM
SSOA
( RBSOA )
P
C
T
J
T
JM
T
英镑
M
d
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GE
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 110°C
T
C
= 110 ° C( IXG_16N60C2D1二极管)
T
C
= 25 ° C, 1毫秒
V
GE
= 15 V ,T
J
= 125 ° C,R
G
= 22
钳位感性负载
T
C
= 25°C
最大额定值
600
600
±20
±30
40
16
11
100
I
CM
= 32
@0.8 V
CES
150
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
A
G
G
C
TO- 263 ( IXGA )
C
( TAB )
的TO-220 ( IXGP )
W
°C
°C
°C
特点
°C
°C
g
g
G =门
E =发射器
权证
C
( TAB )
C =收藏家
TAB =收藏家
安装力矩
( M3.5螺丝)
0.55 / 10牛米/ lb.in 。
300
260
4
2
最大无铅焊接温度的
从案例10秒1.6毫米( 0.062英寸)
最高温度标签
10秒贴片焊接设备
重量
TO-220
TO-263
甚高频IGBT
高电流处理能力
MOS栅极导通
- 驱动器的简单
应用
PFC电路
不间断电源( UPS )
开关模式和谐振模
电源
交流电机调速
直流伺服和机器人的驱动器
直流斩波器
优势
高功率密度
非常快的开关速度高
频率的应用
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
2.5
16N60C2
16N60C2D1
5.0
25
50
±100
3.0
T
J
=125°C
2.1
V
A
A
nA
V
V
V
GE (日)
I
CES
I
GES
V
CE ( SAT )
I
C
= 250
A,
V
CE
= V
GE
V
CE
= V
CES
V
GE
= 0 V
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±20
V
I
C
= 12 A
,
V
GE
= 15 V
注2
版权所有2004 IXYS所有权利。
DS99142A(3/04)
IXGP 16N60C2 IXGA 16N60C2D1
IXGA 16N60C2 IXGA 16N60C2D1
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
8
12
720
55
65
19
I
C
= 20A ,V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
32
6
10
感性负载,T
J
= 25°C
°
I
C
= 12 A; V
GE
= 15 V
V
CE
= 400 V ;
G
= R
关闭
= 22
注: 1 。
25
15
60
35
60
°
感性负载,T
J
= 125°C
I
C
= 12A ; V
GE
= 15 V
V
CE
= 400 V ;
G
= R
关闭
= 22
注1
16N60C2D1
25
18
0.38
120
70
150
( IXGP )
0.5
100
120
S
pF
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
J
ns
ns
mJ
ns
ns
J
0.83 K / W
K / W
TO- 263外形
反向二极管( FRED )
符号
V
F
I
RM
t
rr
t
rr
R
thJC
注意事项:
测试条件
I
F
= 10 A,V
GE
= 0 V
T
J
= 125
°C
I
F
= 12 A; - 二
F
/ DT = 100 A / μs的,V
R
= 100 V
V
GE
= 0 V ;牛逼
J
= 125
°C
I
F
= 1 ; - 二
F
/ DT = 100 A / μs的; V
R
= 30 V, V
GE
= 0 V
2.5
110
30
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
2.66
1.66
V
A
ns
ns
2.5 K / W
1.切换时间可能会增加V
CE
(钳) > 0.8 V
CES
,更高的温度
J
,
或加强研究
G
.
2.脉冲检验,t
300
s,
占空比
2 %
DIM 。
A
A1
b
b2
c
c2
D
D1
E
E1
e
L
L1
L2
L3
L4
毫米
分钟。
马克斯。
4.06
2.03
0.51
1.14
0.46
1.14
8.64
7.11
9.65
6.86
2.54
14.61
2.29
1.02
1.27
0
4.83
2.79
0.99
1.40
0.74
1.40
9.65
8.13
10.29
8.13
BSC
15.88
2.79
1.40
1.78
0.38
英寸
分钟。马克斯。
.160
.080
.020
.045
.018
.045
.340
.280
.380
.270
.100
.575
.090
.040
.050
0
.190
.110
.039
.055
.029
.055
.380
.320
.405
.320
BSC
.625
.110
.055
.070
.015
的TO-220概要
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D(上)
t
ri
t
D(关闭)
t
fi
E
关闭
t
D(上)
t
ri
E
on
t
D(关闭)
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
thCK
I
C
= 12A ; V
CE
= 10 V,
注2 。
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V , F = 1兆赫
16N60C2
16N60C2D1
销: 1 - 门
3极 - 发射极
2 - 集电极
4 - 集电极
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或多个
:下列美国专利
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
6,534,343
=
HiPerFAST
TM
IGBT的
C2级高速
W /二极管
IXGA16N60C2D1
IXGP16N60C2D1
IXGH16N60C2D1
V
CES
=
I
C110
=
V
CE ( SAT )
t
网络连接(典型值)
=
600V
16A
3.0V
33ns
TO- 263 AA ( IXGA )
G
E
C( TAB )
符号
V
CES
V
CGR
V
GES
V
创业板
I
C25
I
C110
I
F110
I
CM
SSOA
( RBSOA )
P
C
T
J
T
JM
T
英镑
M
d
F
C
T
L
T
出售
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25° C到150° C,R
GE
= 1MΩ
连续
短暂
T
C
T
C
T
C
T
C
= 25°C
= 110°C
= 110°C
= 25 ° C, 1毫秒
最大额定值
600
600
±20
±30
40
16
11
100
I
CM
= 32
V
CE
V
CES
150
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
A
W
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
N /磅。
°C
°C
g
g
g
TO- 220AB ( IXGP )
G
CE
C( TAB )
TO- 247 ( IXGH )
V
GE
= 15V ,T
J
= 125 ° C,R
G
= 22Ω
钳位感性负载
T
C
= 25°C
G
C
D
E
S
C( TAB )
安装扭矩( TO- 220 & TO- 247 )
安装力( TO- 263 )
1.13/10
10..65 / 2.2..14.6
300
260
2.5
3.0
6.0
G =门
E =发射器
特点
C =收藏家
TAB =收藏家
最大无铅焊接温度的
1.6毫米( 0.062英寸)从案例10秒
TO-263
TO-220
TO-247
优化的低开关损耗
广场RBSOA
反并联超快二极管
国际标准封装
优势
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
V
GE (日)
I
CES
I
GES
V
CE ( SAT )
I
C
= 250μA ,V
CE
= V
GE
T
J
= 125°C
V
CE
= 0V, V
GE
=
±20V
I
C
= 12A ,V
GE
= 15V ,注1
T
J
= 125°C
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
3.0
5.5
V
25
μA
1毫安
±100
nA
3.0
1.8
V
V
高功率密度
低栅极驱动要求
应用
电源逆变器
UPS
电机驱动
SMPS
PFC电路
电池充电器
焊接机
灯镇流器
2010 IXYS公司,版权所有
DS99179B(08/10)
IXGA16N60C2D1
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G( ON)的
Q
ge
Q
gc
t
D(上)
t
ri
E
on
t
D(关闭)
t
fi
E
关闭
t
D(上)
t
ri
E
on
t
D(关闭)
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
thCK
感性负载,T
J
= 125°C
I
C
= 12A ,V
GE
= 15V
V
CE
= 400V ,R
G
= 22Ω
注2
感性负载,T
J
= 25°C
I
C
= 12A ,V
GE
= 15V
V
CE
= 400V ,R
G
= 22Ω
注2
I
C
= 12A ,V
GE
= 15V, V
CE
= 0.5
V
CES
I
C
= 12A ,V
CE
= 10V ,注1
V
CE
= 25V, V
GE
= 0V , F = 1MHz的
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
8
657
72
22
25
5
13
16
17
0.16
75
33
0.09
16
18
0.27
115
100
0.27
0.50
0.21
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
mJ
ns
ns
0.16兆焦耳
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.83
° C / W
° C / W
° C / W
IXGP16N60C2D1
IXGH16N60C2D1
TO-220
TO-247
反向二极管( FRED )
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
V
F
I
RM
t
rr
t
rr
R
thJC
I
F
= 10A ,V
GE
= 0V ,说明1
T
J
= 125°C
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
3.0
1.7
2.5
110
30
V
V
A
ns
ns
2.5 ° C / W
I
F
= 12A ,V
GE
= 0V,
- 二
F
/ DT = 100A / μs的,V
R
= 100V ,T
J
= 125°C
I
F
= 1A ,V
GE
= 0V , - 二
F
/ DT = 100A / μs的,V
R
= 30V
注意事项:
1.脉冲检验,t
300μS ,占空比D
2%.
2.切换时间&能量损失可能会增加更高的V
CE
(钳) ,T
J
或R
G
.
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利: 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
7,157,338B2
IXGA16N60C2D1
IXGP16N60C2D1
IXGH16N60C2D1
TO- 263 ( IXGA )大纲
TO- 220 ( IXGP )大纲
TO- 247 ( IXGH ) AD纲要
1.
2.
3.
4.
集热器
辐射源
集热器
底侧
DIM 。
A
b
b2
c
c2
D
D1
E
E1
e
L
L1
L2
L3
L4
毫米
分钟。
马克斯。
4.06
0.51
1.14
0.40
1.14
8.64
8.00
9.65
6.22
2.54
14.61
2.29
1.02
1.27
0
4.83
0.99
1.40
0.74
1.40
9.65
8.89
10.41
8.13
BSC
15.88
2.79
1.40
1.78
0.13
英寸
分钟。马克斯。
.160
.020
.045
.016
.045
.340
.280
.380
.270
.100
.575
.090
.040
.050
0
.190
.039
.055
.029
.055
.380
.320
.405
.320
BSC
.625
.110
.055
.070
.005
引脚:
1 - GATE
3极 - 发射极
2 - 集电极
1 - 门
2 =收藏家
3 =发射器
2010 IXYS公司,版权所有
IXGA16N60C2D1
IXGP16N60C2D1
IXGH16N60C2D1
图。 1.输出特性@ T
J
= 25C
24
V
GE
= 15V
13V
12V
11V
110
100
90
10V
80
图。 2.扩展的输出特性@ T
J
= 25C
V
GE
= 15V
20
I
C
- 安培
16
14V
13V
12V
11V
10V
9V
8V
7V
0
5
10
15
20
25
30
I
C
-
安培
3.5
70
60
50
40
30
20
12
9V
8
8V
4
7V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
6V
3.0
10
0
V
CE
- 伏特
V
CE
- 伏特
图。 3.输出特性@ T
J
= 125C
24
V
GE
= 15V
13V
12V
11V
1.4
1.3
10V
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
4
7V
0.7
6V
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
0.6
0
25
V
GE
= 15V
图。 4.依赖的V
CE ( SAT )
on
结温
20
I
C
= 24A
I
C
- 安培
16
9V
12
V
CE ( SAT )
- 归
I
C
= 12A
8
8V
I
C
= 6A
50
75
100
125
150
V
CE
- 伏特
T
J
- 摄氏
图。 5.集电极 - 发射极电压 -
门极 - 发射极电压
6.0
5.5
5.0
25
4.5
T
J
= 25C
35
30
图。 6.输入导纳
I
C
-
安培
V
CE
- 伏特
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
7
8
9
10
11
12
13
14
15
12A
I
= 24A
20
15
10
5
T
J
= - 40C
25C
125C
C
6A
0
4
5
6
7
8
9
10
11
V
GE
- 伏特
V
GE
- 伏特
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXGA16N60C2D1
IXGP16N60C2D1
IXGH16N60C2D1
图。 7.跨导
16
T
J
= - 40C
14
12
25C
14
12
16
V
CE
= 300V
I
C
= 12A
I
G
= 10毫安
图。 8.栅极电荷
g
F小号
-
SIEMENS
8
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
V
GE
- 伏特
10
125C
10
8
6
4
2
0
0
4
8
12
16
20
24
28
I
C
- 安培
Q
G
- nanocoulombs
图。 9.电容
10,000
35
图。 10.反向偏置安全工作区
f
= 1兆赫
30
25
电容 - 皮法
I
C
- 安培
1,000
资本投资者入境计划
20
15
10
T
J
= 125C
5
R
G
= 22
的dV / dt < 10V / ns的
卓越中心
100
CRES
10
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5
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450
500
550
600
650
V
CE
- 伏特
V
CE
- 伏特
图。 11.最大瞬态热阻抗
1
Z
(日) JC
- C / W
0.1
0.01
0.00001
0.0001
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1
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脉冲宽度 - 秒
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