V
CES
低V
CE （ SAT ）
IGBT
高速IGBT
IXGH / IXGM 40 N60
IXGH / IXGM 40 N60A
600 V
600 V
I
C25
75 A
75 A
V
CE （ SAT ）
2.5 V
3.0 V
符号
V
CES
V
CGR
V
GES
V
创业板
I
C25
I
C90
I
CM
SSOA
（ RBSOA ）
P
C
T
J
T
JM
T
英镑
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GE
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25 ° C，受导线
T
C
= 90°C
T
C
= 25 ° C， 1毫秒
V
GE
= 15 V ，T
VJ
= 125 ° C，R
G
= 22
钳位感性负载， L = 30
H
T
C
= 25°C
最大额定值
600
600
±20
±30
75
40
150
I
CM
= 80
@ 0.8 V
CES
250
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
°C
AD TO- 247 （ IXGH ）
G
C
E
TO- 204 AE （ IXGM ）
C
G =门，
E =发射器，
C =收藏家，
TAB =收藏家
安装扭矩（ M3 ）
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
TO- 204 = 18克， TO- 247 = 6克
300
°C
最大无铅焊接温度的
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
600
2.5
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
5
200
1
±100
40N60
40N60A
2.5
3.0
V
V
A
mA
nA
V
V
特点
国际标准封装
第二代HDMOS
TM
过程
低V
CE （ SAT ）
- 低通态传导损耗
高电流处理能力
MOS栅极导通
- 驱动器的简单
额定电压保证在高
温度（125℃ ）
l
l
l
l
l
l
BV
CES
V
GE （日）
I
CES
I
GES
V
CE （ SAT ）
I
C
I
C
= 250
A,
V
GE
= 0 V
= 250
A,
V
CE
= V
GE
V
CE
= 0.8 V
CES
V
GE
= 0 V
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±20
V
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
应用
交流电机调速
直流伺服和机器人的驱动器
直流斩波器
不间断电源（ UPS ）
开关模式和谐振模
电源
l
l
l
l
l
l
l
优势
易与1螺钉安装（ TO- 247 ）
（隔绝安装螺纹孔）
高功率密度
版权所有1996 IXYS所有权利。
91513E (3/96)
IXGH 40N60 40N60 IXGM
IXGH 40N60A IXGM 40N60A
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
25
35
S
的TO- 247的AD概要
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
thCK
I
C
= I
C90
; V
CE
= 10 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
4500
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V ， F = 1兆赫
300
60
200
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
感性负载，T
J
= 25°C
°
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V ， L = 100
H
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 22
切换时间可能会增加
对于V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
， 40N60A
更高的温度
J
或加强研究
G
40N60A
感性负载，T
J
= 125°C
°
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V,
L = 100
H
V
CE
= 0.8 V
CES
,
R
G
= R
关闭
= 22
备注：开关时间
可能会增加V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
，高
T
J
或加强研究
G
40N60
40N60A
40N60
40N60A
45
88
100
200
600
200
3
100
200
4
600
600
300
12
6
1000
2000
800
250
80
120
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
ns
mJ
mJ
0.5 K / W
TO- 204AE大纲
1 - 门
2 =收藏家
3 =发射器
TAB =收藏家
0.25
K / W
1 - 门
2 - 发射极
案例 - 集电极
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXGH 40N60 40N60 IXGM
IXGH 40N60A IXGM 40N60A
图7栅极电荷
15
I
C
= 40A
图8关断安全工作区
100
12
V
CE
= 500V
T
J
= 125°C
10
的dV / dt < 3V / ns的
9
6
3
0
I
C
- 安培
0
50
100
150
200
250
V
GE
- 伏特
1
0.1
0.01
0
100
200
300
400
500
600
700
总栅极电荷 - （ NC ）
V
CE
- 伏特
图9电容曲线
4500
4000
C
IES
电容 - pF的
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
0
5
10
15
20
25
C
水库
C
OES
V
CE
- 伏特
图10瞬态热阻抗
1
D=0.5
Z
thJC
（K / W）
0.1
D=0.2
D=0.1
D=0.05
D=0.02
D =占空比
0.01
D=0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度 - 秒
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
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