IS61LV2568L
256K ×8高速CMOS静态RAM
特点
高速存取时间：8， 10纳秒
工作电流：50mA （典型值）。
待机电流： 700μA （典型值）。
多中心的电源和接地引脚
更大的噪声抗扰度
易内存扩展与
CE
和
OE
选项
CE
掉电
TTL兼容的输入和输出
单3.3V电源
可用的软件包：
- 36引脚400密耳SOJ
- 44引脚TSOP （ II型）
无铅可用
ISSI
2005年7月
描述
该
ISSI
IS61LV2568L是一个非常高速，低功耗，
262,144字由8位CMOS静态RAM 。该IS61LV2568L
使用被制造
ISSI
的高性能CMOS技
术。这再加上创新高可靠的工艺
略去电路设计技术，得到更高的性能
和低功耗的器件。
当
CE
为高（取消） ，器件处于
待机模式下，在该功耗可
降低至36MW （最大）与CMOS输入电平。
该IS61LV2568L采用3.3V单电源工作
电源和所有输入是TTL兼容的。
该IS61LV2568L可在36引脚400密耳SOJ和
44针TSOP （ II型）封装。
功能框图
A0-A17
解码器
256K ×8
存储阵列
V
DD
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE
OE
WE
控制
电路
2005集成芯片解决方案， Inc.保留所有权利。 ISSI公司保留更改本规范及其产品随时权
恕不另行通知。 ISSI承担因本文所述的任何信息，产品或服务的应用或使用不承担任何责任。建议客户
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版本C
07/25/05
1
IS61LV2568L
引脚配置
36引脚SOJ
44针TSOP （ II型）
ISSI
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
NC
A5
A6
A7
A8
OE
I/O7
I/O6
GND
V
DD
I/O5
I/O4
A9
A10
A11
A12
NC
NC
NC
NC
A4
A3
A2
A1
A0
CE
I/O0
I/O1
V
DD
GND
I/O2
I/O3
WE
A17
A16
A15
A14
A13
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
NC
NC
NC
A5
A6
A7
A8
OE
I/O7
I/O6
GND
V
DD
I/O5
I/O4
A9
A10
A11
A12
NC
NC
NC
NC
A4
A3
A2
A1
A0
CE
I/O0
I/O1
V
DD
GND
I/O2
I/O3
WE
A17
A16
A15
A14
A13
引脚说明
A0-A17
CE
OE
WE
I/O0-I/O7
V
DD
GND
NC
地址输入
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
双向端口
动力
地
无连接
2
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版本C
07/25/05
IS61LV2568L
真值表
模式
未选择
（掉电）
输出禁用
读
写
WE
X
H
H
L
CE
H
L
L
L
OE
X
H
L
X
I / O操作
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
V
DD
当前
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
I
CC
I
CC
ISSI
绝对最大额定值
(1)
符号
V
DD
V
TERM
T
英镑
P
D
参数
电源电压相对于GND
相对于GND端子电压
储存温度
功耗
价值
-0.5到+4.0
-0.5到V
DD
+ 0.5
-65到+150
1.0
单位
V
V
°C
W
注意事项：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这是一个
值仅为器件在这些或以上的任何其他条件的功能操作在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
DD
(8ns)
3.3V +10%,-5%
V
DD
（ 10纳秒）
3.3V + 10%
3.3V + 10%
DC电气特性
（以上经营范围）
符号参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
输出高电压
输出低电压
输入高电压
(1)
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
GND
≤
V
IN
≤
V
DD
GND
≤
V
OUT
≤
V
DD
，输出禁用
测试条件
V
DD
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
DD
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
分钟。
2.4
—
2.0
–0.3
–1
–1
马克斯。
—
0.4
V
DD
+ 0.3
0.8
1
1
单位
V
V
V
V
A
A
注意：
1. V
IL
（分钟） = -0.3V （DC） ; V
IL
（分钟） = -2.0V （脉冲宽度 - 2.0纳秒） 。
V
IH
（MAX） = V
DD
+ 0.3V （DC） ; V
IH
（MAX） = V
DD
+ 2.0V （脉冲宽度 - 2.0纳秒） 。
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版本C
07/25/05
3
IS61LV2568L
电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号
I
CC
参数
V
DD
操作
电源电流
TTL待机
当前
（ TTL输入）
CMOS待机
当前
（ CMOS输入）
测试条件
V
DD
=最大，
CE
= V
IL
I
OUT
= 0 mA时， F =最大值。
V
DD
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
≥
V
IH
， F =最大
V
DD
=最大，
CE
≥
V
DD
– 0.2V,
V
IN
≥
V
DD
- 0.2V ，或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
COM 。
IND 。
典型值。
(2)
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
典型值。
(2)
-8 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
65
50
30
-10 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
60
65
50
25
30
3
4
700
ISSI
单位
mA
I
SB
1
mA
I
SB
2
—
—
3
700
mA
mA
A
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
2.典型的值在V测量
DD
= 3.3V ，T
A
=25
0
C.未经100％测试。
电容
(1,2)
符号
C
IN
C
I / O
参数
输入电容
输入/输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
DD
= 3.3V.
4
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版本C
07/25/05
IS61LV2568L
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序和参考电平
输出负载
单位
0V至3.0V
3纳秒
1.5V
参见图1和2
ISSI
AC测试负载
319
Z
O
= 50
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
50
1.5V
3.3V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
图2
353
图1
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版本C
07/25/05
5
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