IXGH25N250 IXGT25N250 IXGV25N250S
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
16
26
240
2310
75
23
I
C
= 50 A，V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
75
15
30
阻性负载
I
C
= 50 A，V
GE
= 15 V ，注1
V
CE
= 1250 V ，R
G
= 5
Ω
68
233
209
200
S
A
pF
pF
pF
nC
e
1
2
3
TO- 247 （ IXGH ）大纲
g
fs
I
C（ ON）
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
t
D（关闭）
t
fi
R
thJC
R
乡镇卫生院
I
C
= 50 A; V
CE
= 10 V ，注1
V
GE
= 15V, V
CE
= 20V ，注1
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V ， F = 1兆赫
P
nC
nC
ns
ns
ns
ns
0.5 ° C / W
端子： 1 - 门
2 - 漏极（集电极）
3 - 源（发射极）选项卡 - 漏极（集电极）
DIM 。
(TO-247)
0.25
° C / W
注：1 。
脉冲测试，T
≤
300
μs,
占空比D
≤
2 %
2.铅以铅电压的附加条款
隔离需要在V
CE
> 1200 V
PLUS220SMD （ IXGV_S ）大纲
毫米
分钟。马克斯。
A
4.7
5.3
2.2
2.54
A
1
A
2
2.2
2.6
b
1.0
1.4
b
1
1.65
2.13
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
TO- 268 （ IXGT ）纲要（ D3 -白）
初步技术信息
本文中所呈现的产品正在开发中。提供的技术规格
源自期间的初步工程很多客观的刻画收集的数据;但
也还可能包含在预生产设计评价提供了一些信息。 IXYS
保留更改限制，试验条件和尺寸，恕不另行通知。
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
由一个或moreof以下美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
参考文献： IXYS有限公司0052 RA
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
7,157,338B2
IXGH25N250 IXGT25N250 IXGV25N250S
图。 1.输出特性
@ 25C
150
135
120
105
V
GE
= 25V
20V
15V
250
225
200
175
V
GE
= 25V
20V
图。 2.扩展的输出特性
@ 25C
I
C
-
安培
I
C
- 安培
90
75
60
45
30
15
0
0
1
2
3
4
5
10V
150
125
100
75
50
25
0
15V
10V
6
7
8
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V
CE
- 伏特
V
CE
- 伏特
图。 3.输出特性
@ 125C
200
V
GE
= 25V
180
160
20V
2.2
2
2.4
图。 4.依赖的V
CE （ SAT ）
on
结温
V
GE
= 15V
V
CE （ SAT ）
- 归
140
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
I
C
= 150A
I
C
- 安培
120
100
80
60
40
20
0
0
2
4
6
8
15V
I
C
= 100A
10V
I
C
= 50A
10
12
14
16
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
CE
- 伏特
T
J
- 摄氏
图。 5.集电极 - 发射极电压
与门极 - 发射极电压
10
V
GE
= 15V
9
160
8
I
C
= 150A
140
200
180
图。 6.输入导纳
T
J
= - 40C
25C
125C
I
C
-
安培
17
V
CE
- 伏特
7
120
100
80
60
40
6
I
C
= 100A
5
4
I
C
= 50A
20
0
3
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
V
GE
- 伏特
V
GE
- 伏特
2007 IXYS公司，保留所有权利。
IXGH25N250 IXGT25N250 IXGV25N250S
图。 7.跨导
36
33
30
27
24
21
18
15
12
9
6
3
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
T
J
= - 40C
25C
125C
680
640
600
560
R
G
= 5Ω
V
GE
= 15V
V
CE
= 1250V
I
C
= 150A
图。 8.电阻导通上升时间
- 结温
t
r
- 纳秒
g
F小号
-
SIEMENS
520
480
440
400
360
320
280
240
200
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
I
C
= 50A
I
C
- 安培
T
J
- 摄氏
图。 9.电阻导通上升时间
与集电极电流
700
650
600
R
G
= 5Ω
V
GE
= 15V
V
CE
= 1250V
T
J
= 125C
700
680
660
640
图。 10.电阻导通开关时间
与栅极电阻
124
120
116
t
（O N）
- 纳秒
t
r
- 纳秒
t
r
- 纳秒
550
500
450
400
350
300
250
200
50
60
70
80
90
100
110
120
130
140
150
T
J
= 25C
I
C
= 150A
112
108
620
600
580
560
540
520
500
480
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I
C
= 50A
t
r
t
D（上）
- - - -
104
100
96
92
88
84
80
T
J
= 125°C ，V
GE
= 15V
V
CE
= 1250V
I
C
- 安培
R
G
- 欧姆
图。 11.电阻关断开关时间
- 结温
245
240
235
230
220
210
245
240
235
图。 12.电阻关断开关时间
与集电极电流
220
t
f
t
D（关闭）
- - - -
210
200
t
f
t
D（关闭）
- - - -
I
C
= 50A, 150A
200
R
G
= 5Ω, V
GE
= 15V
V
CE
= 1250V
t
（O F F ）
- 纳秒
t
（O F F ）
- 纳秒
t
f
- 纳秒
t
f
- 纳秒
R
G
= 5Ω, V
GE
= 15V
V
CE
= 1250V
190
180
170
160
I
C
= 150A, 50A
150
140
130
120
110
105 115 125
230
225
220
215
210
205
200
195
190
50
60
70
80
90
100 110 120
T
J
= 25C
T
J
= 125C
190
180
170
160
150
140
130
120
110
130 140 150
225
220
215
210
205
200
195
190
25
35
45
55
65
75
85
95
T
J
- 摄氏
I
C
- 安培
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXGH25N250 IXGT25N250 IXGV25N250S
图。 13.电阻关断开关时间
与栅极电阻
260
255
250
245
280
16
V
CE
= 1250V
14
250
I
C
= 50A
I
G
= 10毫安
图。 14.栅极电荷
265
t
f
t
D（关闭）
- - - -
T
J
= 125°C ，V
GE
= 15V
V
CE
= 1250V
t
（O F F ）
- 纳秒
235
220
205
190
I
C
= 150A, 50A
175
160
145
130
115
100
4
6
8
10
12
14
16
18
20
12
t
f
- 纳秒
240
235
230
225
220
215
210
205
200
V
GE
- 伏特
10
8
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
R
G
- 欧姆
Q
G
- nanocoulombs
图。 15.反向偏置安全工作区
280
10000
F = 1 MHz的
240
图。 16.电容
200
电容 - 皮法
I
C
- 安培
1000
IES
160
120
OES
100
80
T
J
= 125C
R
G
= 20Ω
的dV / dt < 10V / ns的
40
RES
0
250
500
750
1000
1250
1500
1750
2000
2250
2500
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
V
CE
- 伏特
V
CE
- 伏特
图。 17.最大瞬态热阻抗
1.00
Z
（T八） JC
- C / W
0.10
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度 - 秒
2007 IXYS公司，保留所有权利。
IXYS REF ： G_25N250 （ 5P - P528 ） 07年4月27日， D.xls
QQ：2880707522 复制
