【初步数据HiPerFerFASTHiPerFASTTMIGBTIXGH22N50BIXGH22N50】,IC型号IXGH22N50BS,IXGH22N50BS PDF资料,IXGH22N50BS经销商,ic,电子元器件-51电子网

初步数据

HiPerF

erFAST

HiPerFAST

IGBT

IXGH22N50B

IXGH22N50BS

CES

C(25)

CE （ SAT ）典型值

网络连接（典型值）

的TO- 247贴片*

= 500 V

= 44 A

= 2.1 V

= 55 ns的

符号

CES

CGR

GES

创业板

C25

C90

SSOA

（ RBSOA ）

英镑

测试条件

= 25 ℃至150 ℃的

= 25 ℃至150 ℃;

= 1 M

连续

短暂

= 25°C

= 90°C

= 25 ° C， 1毫秒

= 15 V ，T

= 125 ° C，R

= 22

钳位感性负载， L = 100

= 25°C

最大额定值

500

±20

±30

= 44 A

@ 0.8 V

CES

150

-55 ... +150

150

-55 ... +150

300

1.13/10

的TO- 247的AD

的TO- 247贴片

°C

纳米/ lb.in 。

C（ TAB ）

的TO- 247的AD

C（ TAB ）

G =门，

E =发射器，

C =收藏家，

TAB =收藏家

特点

国际标准封装

JEDEC TO-247 SMD表面

安装和JEDEC TO- 247 AD

最大无铅焊接温度的

从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）

重量

安装扭矩（ M3 ）

高频IGBT

高电流处理能力

HiPerFAST HDMOS过程

MOS栅极导通

- 驱动器的简单

应用

不间断电源（ UPS ）

开关模式和谐振模

符号

测试条件

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

500

2.5

= 25°C

= 125°C

±100

2.1

2.5

电源

CES

GE （日）

CES

GES

CE （ SAT ）

= 250

= 0 V

= 250

= V

交流电机调速

直流伺服和机器人的驱动器

直流斩波器

优势

200

= 0.8 V

CES

= 0 V

= 0 V, V

±20

= I

C90

, V

= 15 V

高功率密度

极低的开关损耗高

频率的应用

易于安装有1个螺丝， TO- 247

（绝缘安装螺丝孔）

96532A(12/96)

IXGH22N50B

符号

测试条件

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

1450

= 25 V, V

= 0 V ， F = 1兆赫

120

= I

C90

, V

= 15 V, V

= 0.5 V

CES

0.15

100

0.3

0.15

140

100

0.6

0.83 K / W

0.25

K / W

IXGH22N50BS

的TO- 247的AD概要

IES

OES

水库

D（上）

D（关闭）

关闭

D（上）

D（关闭）

关闭

thJC

thCK

= I

C90

; V

= 10 V,

脉冲测试，T

≤

300

占空比

≤

2 %

DIM 。

25°

感性负载，T

= 25

= I

C90

, V

= 15 V ， L = 100

= 0.8 V

CES

, R

= R

关闭

= 10

注1

125°

感性负载，T

= 125

= I

C90

, V

= 15 V ， L = 100

= 0.8 V

CES

, R

= R

关闭

= 10

注1

150

110

0.5

毫米

分钟。马克斯。

4.7

5.3

2.2

2.54

2.2

2.6

1.0

1.4

1.65

2.13

2.87

3.12

20.80 21.46

15.75 16.26

5.20

5.72

19.81 20.32

4.50

3.55

3.65

5.89

6.40

4.32

5.49

6.15 BSC

英寸

分钟。马克斯。

.185 .209

.087 .102

.059 .098

.040 .055

.065 .084

.113 .123

.016 .031

.819 .845

.610 .640

0.205 0.225

.780 .800

.177

.140 .144

0.232 0.252

.170 .216

242 BSC

的TO- 247贴片概要

注1 ：开关时间可能会增加V

（钳） > 0.8 V

CES

，更高的温度

加强研究

分钟。推荐足迹

（尺寸以英寸毫米）

1.门

2.收集

DIM 。

3.辐射源

4.收集

英寸

分钟。马克斯。

.190

.090

.075

.045

.075

.024

.819

.620

.215

.193

.106

.083

.00

.075

.140

.220

.170

.242

.205

.100

.085

.055

.084

.031

.840

.635

BSC

.201

.114

.091

.004

.083

.144

.244

.190

BSC

毫米

分钟。

马克斯。

4.83

2.29

1.91

1.14

1.91

0.61

20.80

15.75

5.45

4.90

2.70

2.10

0.00

1.90

3.55

5.59

4.32

6.15

5.21

2.54

2.16

1.40

2.13

0.80

21.34

16.13

BSC

5.10

2.90

2.30

0.10

2.10

3.65

6.20

4.83

BSC

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：

4,835,592

4,850,072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,486,715

5,381,025

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560

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