初步
FEMTOCLOCKS CRYSTAL - TO- LVDS
频率合成W /综合扇出缓冲器
ICS844256
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS844256是石英晶体的Cr至LVDS时钟
合成器/扇出缓冲器设计用于SONET
HiPerClockS
和千兆以太网络的应用程序，是一个
在HiPerClockS 系列高成员
来自IDT Perfor曼斯时钟解决方案。该
输出频率可以通过频率选择来设置
引脚和一个25MHz晶振用于以太网的频率，或
19.44MHz晶振为SONET 。低相位噪声character-
该ICS844256的istics使其成为这些理想时钟
苛刻的应用。
F
EATURES
六LVDS输出
晶体振荡器接口
输出频率范围：为的62.5MHz 622.08MHz的
晶振输入频率范围： 15.625MHz到25.5MHz
RMS相位抖动在125MHz ，使用25MHz晶体
（ 1.875MHz至20MHz ） ： 0.48ps （典型值）
全3.3V或3.3V核心， 2.5V输出电源模式
0 ° C至70 ° C的环境工作温度
可用两个标准（ RoHS指令5 ）和无铅（ RoHS指令6 ）
套餐
功能
IC
S
S
ELECT
F
油膏
T
ABLE
输入
FB_SEL
0
0
0
0
1
1
1
1
N_SEL1
0
0
1
1
0
0
1
1
N_SEL0
0
1
0
1
0
1
0
1
M鸿沟
25
25
25
25
32
32
32
32
DIVIDE
1
2
4
5
1
2
4
8
M / N
25
12.5
6.25
5
32
16
8
4
B
LOCK
D
IAGRAM
Q0
nQ0
PLL_BYPASS
上拉
P
IN
A
SSIGNMENT
V
DDO
V
DDO
nQ2
Q2
nQ1
Q1
nQ0
Q0
PLL_BYPASS
V
DDA
V
DD
FB_SEL
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
Q3
nQ3
Q4
nQ4
Q5
nQ5
N_SEL1
GND
GND
N_SEL0
XTAL_OUT
XTAL_IN
Q1
1
XTAL_IN
nQ1
OSC
XTAL_OUT
PLL
0
产量
分频器
Q2
nQ2
Q3
反馈
分频器
FB_SEL
N_SEL1
N_SEL0
下拉
上拉
上拉
ICS844256
24引脚TSSOP封装， E-垫
4.40毫米X 7.8毫米X 0.90毫米
体包
G封装
顶视图
nQ3
Q4
nQ4
Q5
nQ5
本文提供的初步信息代表了在预生产的产物。著名的特点是基于最初的产品特性
和/或资格。集成设备技术公司（ IDT ）保留更改任何电路或规格，恕不另行通知。
IDT
/ ICS
LVDS频率合成W /扇出缓冲器
1
ICS844256BG REV 。 B十一月
19,
2007
ICS844256
FEMTOCLOCKS CRYSTAL - TO- LVDS频率合成W /综合扇出缓冲器
初步
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
数
1, 2
3, 4
5, 6
7, 8
9
10
11
12
13,
14
15,
18
16, 17
19, 20
21, 22
23, 24
名字
V
DDO
NQ2 ， Q2
NQ1 ， Q1
nQ0 ， Q0
PLL_BYPASS
V
DDA
V
DD
FB_SEL
XTAL_IN ，
XTAL_OUT
N_SEL0
N_SEL1
GND
nQ5 ， Q5
nQ4 ， Q4
nQ3 ， Q3
动力
产量
产量
产量
输入
动力
动力
输入
输入
输入
上拉
TYPE
描述
输出电源引脚。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
PLL和晶体的输入作为输入给除法器之间进行选择。
当低，选择PLL 。当HIGH ，选择XTAL_IN ， XTAL_OUT 。
LVCMOS / LVTTL接口电平。
模拟电源引脚。
核心供电引脚。
下拉反馈频率选择引脚。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
晶体振荡器接口。 XTAL_IN是输入。
XTAL_OUT是输出。
上拉
输出频率选择引脚。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
电源接地。
产量
产量
产量
差分输出对。 LVDS接口的水平。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
注意：
上拉
和
下拉
是指内部输入电阻。见表2 ，引脚特性，为典型值。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
R
上拉
R
下拉
参数
输入电容
输入上拉电阻
输入下拉电阻
测试条件
最低
典型
4
51
51
最大
单位
pF
kΩ
kΩ
IDT
/ ICS
LVDS频率合成W /扇出缓冲器
2
ICS844256BG REV 。 B二○○七年十一月一十九日
ICS844256
FEMTOCLOCKS CRYSTAL - TO- LVDS频率合成W /综合扇出缓冲器
初步
C
RYSTAL
F
油膏
T
ABLE
输入
XTAL （兆赫）
20
20
20
20
21.25
24
24
24
24
25
25
25
25
25.5
15.625
18.5625
18.75
18.75
18.75
18.75
19.44
19.44
19.44
19.44
19.53125
19.53125
19.53125
19.53125
20
FB_SEL
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
N_SEL1
0
0
1
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
1
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
1
N_SEL0
0
1
0
1
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
1
M
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
32
32
32
32
32
32
32
32
32
32
32
32
32
32
32
500
500
500
500
531.25
600
600
60 0
60 0
625
625
625
625
637.5
500
594
600
600
600
600
622.08
622.08
622.08
622.08
62 5
625
625
62 5
640
功能
VCO （兆赫）
N
1
2
4
5
5
1
2
4
5
1
2
4
5
4
8
8
1
2
4
8
1
2
4
8
1
2
4
8
8
输出（兆赫）
500
250
125
100
106.25
600
300
150
120
625
312.5
156.25
125
159.375
62.5
74.25
600
300
150
75
622.08
311.04
155.52
77.76
625
312.5
156.25
78.125
80
IDT
/ ICS
LVDS频率合成W /扇出缓冲器
3
ICS844256BG REV 。 B二○○七年十一月一十九日
ICS844256
FEMTOCLOCKS CRYSTAL - TO- LVDS频率合成W /综合扇出缓冲器
初步
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
DD
输入，V
I
输出，我
O
连续电流
浪涌电流
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5V
10mA
15mA
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。 OP-功能
产品的关合作在这些条件下或超出任何条件
在这些上市
DC特性
or
AC特性
不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件为前
往往还会影响产品的可靠性。
封装的热阻抗，
θ
JA
24引脚TSSOP ， EPAD
32.1 ℃/ W（ 0 MPS ）
贮藏温度，T
英镑
-65 ℃150 ℃的
T
ABLE
4A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDA
V
DDO
I
DD
I
DDA
I
DDO
参数
核心供电电压
模拟电源电压
输出电源电压
电源电流
模拟电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
3.135
V
DD
– 0.08
3.135
典型
3.3
3.3
3.3
132
8
120
最大
3.465
V
DD
3.465
单位
V
V
V
mA
mA
mA
T
ABLE
4B 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDA
V
DDO
I
DD
I
DDA
I
DDO
参数
核心供电电压
模拟电源电压
输出电源电压
电源电流
模拟电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
3.135
V
DD
– 0.07
2.375
典型
3.3
3.3
2.5
125
7
115
最大
3.465
V
DD
2.625
单位
V
V
V
mA
mA
mA
T
ABLE
4C 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 3.3V±5%
符号
V
IH
V
IL
I
IH
参数
输入高电压
输入低电压
输入高电流
FB_SEL
PLL_BYPASS ，
N_SEL0 ， N_SEL1
FB_SEL
PLL_BYPASS ，
N_SEL0 ， N_SEL1
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
测试条件
OR
2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
最低
2
-0.3
典型
最大
V
DD
+ 0.3
0.8
150
5
单位
V
V
A
A
A
A
-5
-150
I
IL
输入低电平电流
IDT
/ ICS
LVDS频率合成W /扇出缓冲器
4
ICS844256BG REV 。 B二○○七年十一月一十九日
ICS844256
FEMTOCLOCKS CRYSTAL - TO- LVDS频率合成W /综合扇出缓冲器
初步
T
ABLE
4D 。 LVDS DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ± 5 ％T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
OD
Δ
V
OD
V
OS
Δ
V
OS
参数
差分输出电压
V
OD
幅度变化
失调电压
V
OS
幅度变化
测试条件
最低
典型
350
40
1.25
50
最大
单位
mV
mV
V
mV
注：请参考参数测量信息的输出信息。
T
ABLE
4E 。 LVDS DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
OD
Δ
V
OD
V
OS
Δ
V
OS
参数
差分输出电压
V
OD
幅度变化
失调电压
V
OS
幅度变化
测试条件
最低
典型
350
40
1.25
50
最大
单位
mV
mV
V
mV
T
ABLE
5. C
RYSTAL
C
极特
参数
振荡模式
频率
等效串联电阻（ESR ）
旁路电容
驱动电平
注：使用一个18pF之并联谐振CR石英晶体特点。
15.625
测试条件
最低
典型的最大
25.5
50
7
1
单位
兆赫
Ω
pF
mW
基本
IDT
/ ICS
LVDS频率合成W /扇出缓冲器
5
ICS844256BG REV 。 B二○○七年十一月一十九日
QQ：2881677436 复制
