【VCES低VCE （ SAT ）IGBT与二极管高速IGBT与二极管IXGH 17 N100U1IX】,IC型号IXGH17N100AU1,IXGH17N100AU1 PDF资料,IXGH17N100AU1经销商,ic,电子元器件-51电子网

V

CES

低V

CE （ SAT ）

IGBT与二极管

高速IGBT与二极管

IXGH 17 N100U1

IXGH 17 N100AU1

1000 V

I

C25

34 A

V

CE （ SAT ）

3.5 V

4.0 V

Combi机包

符号

V

CES

V

CGR

V

GES

V

创业板

I

C25

I

C90

I

CM

SSOA

（ RBSOA ）

P

C

T

J

T

JM

T

英镑

M

d

重量

测试条件

T

J

= 25 ℃至150 ℃的

T

J

= 25 ℃至150 ℃;

GE

= 1 M

连续

短暂

T

C

= 25°C

T

C

= 90°C

T

C

= 25 ° C， 1毫秒

V

GE

= 15 V ，T

VJ

= 125 ° C，R

G

= 82

钳位感性负载， L = 100

H

T

C

= 25°C

最大额定值

1000

±20

±30

34

17

68

I

CM

= 34

@ 0.8 V

CES

150

-55 ... +150

150

-55 ... +150

V

A

的TO- 247的AD

G

C

E

C =收藏家，

TAB =收藏家

G =门，

E =发射器，

特点

W

°C

l

安装扭矩（ M3 ）

1.13 / 10牛米/ lb.in 。

6

300

g

°C

最大无铅焊接温度的

从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）

l

国际标准套餐

JEDEC TO- 247 AD

IGBT和反并联FRED在一个

包

第二代HDMOS

TM

过程

低V

CE （ SAT ）

- 最低的通态传导

损失

MOS栅极导通

- 驱动器的简单

快速恢复外延二极管（ FRED ）

- 软恢复低我

RM

应用

符号

测试条件

特征值

(T

J

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

1000

2.5

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

5.5

500

8

±100

17N100U1

17N100AU1

3.5

4.0

V

A

mA

nA

V

l

BV

CES

V

GE （日）

I

CES

I

GES

V

CE （ SAT ）

I

C

I

C

= 4.5毫安， V

GE

= 0 V

= 500

A,

V

CE

= V

GE

l

交流电机调速

直流伺服和机器人的驱动器

直流斩波器

不间断电源（ UPS ）

开关模式和谐振模

电源

V

CE

= 0.8 V

CES

V

GE

= 0 V

V

CE

= 0 V, V

GE

=

±20

V

I

C

= I

C90

, V

GE

= 15 V

优势

l

保存在一个空间（两个设备

包）

易于安装（安装隔离

螺丝孔）

降低了装配时间和费用

91754D (3/96)

IXGH 17N100U1

IXGH 17N100AU1

符号

测试条件

特征值

(T

J

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

6

15

1500

V

CE

= 25 V, V

GE

= 0 V ， F = 1兆赫

210

40

100

I

C

= I

C90

, V

GE

= 15 V, V

CE

= 0.5 V

CES

感性负载，T

J

= 25°C

°

I

C

= I

C90

, V

GE

= 15 V ， L = 300

H,

V

CE

= 0.8 V

CES

, R

G

= R

关闭

= 82

备注：开关时间

可能增加

对于V

CE

（钳） > 0.8 V

CES

,

更高的温度

J

或加强研究

G

感性负载，T

J

= 125°C

°

I

C

= I

C90

, V

GE

= 15 V ， L = 300

H

V

CE

= 0.8 V

CES

, R

G

= R

关闭

= 82

备注：开关时间

可能增加

对于V

CE

（钳） > 0.8 V

CES

,

更高的温度

J

或加强研究

G

17N100U1

17N100AU1

17N100U1

17N100AU1

17N100U1

17N100AU1

20

60

100

200

500

750

450

3

100

200

2.5

700

1200

750

8

6

1000

2000

1000

750

120

30

90

S

pF

nC

ns

mJ

ns

mJ

ns

mJ

0.83 K / W

0.25

K / W

1 - 门

2 =收藏家

3 =发射器

TAB =收藏家

的TO- 247的AD概要

g

fs

C

IES

C

OES

C

水库

Q

g

Q

ge

Q

gc

t

D（上）

t

ri

t

D（关闭）

t

fi

E

关闭

t

D（上）

t

ri

E

on

t

D（关闭）

t

fi

E

关闭

R

thJC

R

thCK

I

C

= I

C90

; V

CE

= 10 V,

脉冲测试，T

≤

300

s,

占空比

≤

2 %

反向二极管（ FRED ）

符号

V

F

I

RM

t

rr

R

thJC

测试条件

特征值

(T

J

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

2.5

16

120

35

18

50

V

A

ns

I

F

= I

C90

, V

GE

= 0 V,

脉冲测试，T

≤

300

s,

占空比

≤

2 %

I

F

= I

C90

, V

GE

= 0 V ， - 二

F

/ DT = 240 A / μs的

V

R

= 540 V

T

J

= 125°C

I

F

= 1 ; -di / DT = 100 A / μs的; V

R

= 30 V T，

J

= 25°C

1 K / W

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：

4,835,592

4,850,072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,486,715

5,381,025

IXGH 17N100U1

IXGH 17N100AU1

图。 1饱和特性

35

T

J

= 25°C

图。 2输出Characterstics

V

GE

= 15V

30

13V

11V

9V

150

T

J

= 25°C

V

GE

= 15V

13V

125

20

15

10

5

0

1

2

3

4

5

6

7

7V

I

C

- 安培

I

C

- 安培

25

100

75

50

9V

11V

25

7V

0

2

4

6

8

10 12 14 16 18 20

V

CE

- 伏特

V

CE

- 伏特

图。 3集电极 - 发射极电压

与栅极 - 发射极电压

10

9

8

7

T

J

= 25°C

图。 4温度依赖性

输出饱和电压

1.4

I

C

= 34A

1.3

V（坐） - 归

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

I

C

= 8.5A

I

C

= 17A

V

CE

- 伏特

6

5

4

3

2

1

0

5

6

7

8

9

10 11 12 13 14 15

I

C

= 34A

I

C

= 17A

I

C

= 8.5A

-50

-25

0

25

50

75

100 125 150

V

GE

- 伏特

T

J

- 摄氏度

图。 5输入导纳

35

V

CE

= 10V

图。 6温度依赖性

分解和阈值电压

1.2

V

GE （日）

I

C

= 250A

30

I

C

- 安培

25

20

15

10

5

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

T

J

= - 40°C

BV / V

（ TH ）

- 归

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

-50

BV

CES

I

C

= 3毫安

-25

0

25

50

75

100 125 150

V

CE

- 伏特

17N100G1 JNB

T

J

- 摄氏度

IXGH 17N100U1

IXGH 17N100AU1

图7栅极电荷

图8关断安全工作区

15

13

11

V

CE

= 800

I

C

= 17A

I

G

= 10毫安

100

10

I

C

- 安培

T

J

= 125°C

的dV / dt < 3V / ns的

V

GE

- 伏特

9

7

5

3

1

0.1

0.01

0

10 20 30 40 50 60 70 80 90 100

0

200

400

600

800

1000

栅极电荷 - （ NC ）

V

CE

- 伏特

图9电容曲线

2000

F = 1MHz的

1750

电容 - pF的

1500

1250

1000

750

500

250

0

5

10

15

20

25

C

水库

C

OES

C

IES

17N100g2.JNB

V

CE

- 伏特

图10瞬态热阻抗

1

D=0.5

D=0.2

Z

thJC

（K / W）

D=0.1

0.1

D=0.05

D=0.02

D=0.01

单脉冲

D =占空比

0.01

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

脉冲宽度 - 秒

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：

4,835,592

4,850,072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,486,715

5,381,025

IXGH 17N100U1

IXGH 17N100AU1

图11最大正向电压降

100

80

50

图12峰值正向电压V

FR

和

正向恢复时间t

FR

1000

T

J

= 125°C

I

F

=37A

V

FR

40

800

600

400

t

fr

电流 - 安培

60

T

J

= 100°C

30

20

10

0

40

T

J

= 150°C

20

0

0.5

T

J

= 25°C

200

0

600

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

0

100

200

300

400

500

电压降 - 伏

di

F

/ DT - A / μs的

图13结点温度依赖性

关我

RM

和Q

r

1.4

1.2

1.0

0.8

I

RM

图14反向恢复押

4

T

J

= 100°C

V

R

= 540V

马克斯。

I

F

= 30A

Q

r

- nanocoulombs

归一化我

RM

/Q

r

3

典型值。

I

F

= 60A

I

F

= 30A

I

F

= 15A

2

0.6

0.4

0.2

0.0

0

40

80

120

160

Q

r

1

0

1

10

100

1000

T

J

- 摄氏度

di

F

/ DT - A / μs的

图15峰值反向恢复电流

50

40

T

J

= 100°C

V

R

= 540V

图16反向恢复时间

0.8

马克斯。

I

F

= 30A

T

J

= 100°C

V

R

= 540V

马克斯。

I

F

= 30A

30

20

10

0

200

400

600

典型值。

I

F

= 60A

I

F

= 30A

I

F

= 15A

t

rr

- 纳秒

0.6

典型值。

I

F

= 60A

I

F

= 30A

I

F

= 15A

I

RM

- 安培

0.4

0.2

0.0

0

200

400

600

di

F

/ DT - A / μs的

di

F

/ DT - A / μs的

t

fr

- 纳秒

V

FR

- 伏特

V

CES

低V

CE （ SAT ）

IGBT与二极管

高速IGBT与二极管

IXGH 17 N100U1

IXGH 17 N100AU1

1000 V

I

C25

34 A

V

CE （ SAT ）

3.5 V

4.0 V

Combi机包

符号

V

CES

V

CGR

V

GES

V

创业板

I

C25

I

C90

I

CM

SSOA

（ RBSOA ）

P

C

T

J

T

JM

T

英镑

M

d

重量

测试条件

T

J

= 25 ℃至150 ℃的

T

J

= 25 ℃至150 ℃;

GE

= 1 M

连续

短暂

T

C

= 25°C

T

C

= 90°C

T

C

= 25 ° C， 1毫秒

V

GE

= 15 V ，T

VJ

= 125 ° C，R

G

= 82

钳位感性负载， L = 100

H

T

C

= 25°C

最大额定值

1000

±20

±30

34

17

68

I

CM

= 34

@ 0.8 V

CES

150

-55 ... +150

150

-55 ... +150

V

A

的TO- 247的AD

G

C

E

C =收藏家，

TAB =收藏家

G =门，

E =发射器，

特点

W

°C

l

安装扭矩（ M3 ）

1.13 / 10牛米/ lb.in 。

6

300

g

°C

最大无铅焊接温度的

从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）

l

国际标准套餐

JEDEC TO- 247 AD

IGBT和反并联FRED在一个

包

第二代HDMOS

TM

过程

低V

CE （ SAT ）

- 最低的通态传导

损失

MOS栅极导通

- 驱动器的简单

快速恢复外延二极管（ FRED ）

- 软恢复低我

RM

应用

符号

测试条件

特征值

(T

J

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

1000

2.5

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

5.5

500

8

±100

17N100U1

17N100AU1

3.5

4.0

V

A

mA

nA

V

l

BV

CES

V

GE （日）

I

CES

I

GES

V

CE （ SAT ）

I

C

I

C

= 4.5毫安， V

GE

= 0 V

= 500

A,

V

CE

= V

GE

l

交流电机调速

直流伺服和机器人的驱动器

直流斩波器

不间断电源（ UPS ）

开关模式和谐振模

电源

V

CE

= 0.8 V

CES

V

GE

= 0 V

V

CE

= 0 V, V

GE

=

±20

V

I

C

= I

C90

, V

GE

= 15 V

优势

l

保存在一个空间（两个设备

包）

易于安装（安装隔离

螺丝孔）

降低了装配时间和费用

91754D (3/96)

IXGH 17N100U1

IXGH 17N100AU1

符号

测试条件

特征值

(T

J

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

6

15

1500

V

CE

= 25 V, V

GE

= 0 V ， F = 1兆赫

210

40

100

I

C

= I

C90

, V

GE

= 15 V, V

CE

= 0.5 V

CES

感性负载，T

J

= 25°C

°

I

C

= I

C90

, V

GE

= 15 V ， L = 300

H,

V

CE

= 0.8 V

CES

, R

G

= R

关闭

= 82

备注：开关时间

可能增加

对于V

CE

（钳） > 0.8 V

CES

,

更高的温度

J

或加强研究

G

感性负载，T

J

= 125°C

°

I

C

= I

C90

, V

GE

= 15 V ， L = 300

H

V

CE

= 0.8 V

CES

, R

G

= R

关闭

= 82

备注：开关时间

可能增加

对于V

CE

（钳） > 0.8 V

CES

,

更高的温度

J

或加强研究

G

17N100U1

17N100AU1

17N100U1

17N100AU1

17N100U1

17N100AU1

20

60

100

200

500

750

450

3

100

200

2.5

700

1200

750

8

6

1000

2000

1000

750

120

30

90

S

pF

nC

ns

mJ

ns

mJ

ns

mJ

0.83 K / W

0.25

K / W

1 - 门

2 =收藏家

3 =发射器

TAB =收藏家

的TO- 247的AD概要

g

fs

C

IES

C

OES

C

水库

Q

g

Q

ge

Q

gc

t

D（上）

t

ri

t

D（关闭）

t

fi

E

关闭

t

D（上）

t

ri

E

on

t

D（关闭）

t

fi

E

关闭

R

thJC

R

thCK

I

C

= I

C90

; V

CE

= 10 V,

脉冲测试，T

≤

300

s,

占空比

≤

2 %

反向二极管（ FRED ）

符号

V

F

I

RM

t

rr

R

thJC

测试条件

特征值

(T

J

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

2.5

16

120

35

18

50

V

A

ns

I

F

= I

C90

, V

GE

= 0 V,

脉冲测试，T

≤

300

s,

占空比

≤

2 %

I

F

= I

C90

, V

GE

= 0 V ， - 二

F

/ DT = 240 A / μs的

V

R

= 540 V

T

J

= 125°C

I

F

= 1 ; -di / DT = 100 A / μs的; V

R

= 30 V T，

J

= 25°C

1 K / W

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：

4,835,592

4,850,072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,486,715

5,381,025

IXGH 17N100U1

IXGH 17N100AU1

图。 1饱和特性

35

T

J

= 25°C

图。 2输出Characterstics

V

GE

= 15V

30

13V

11V

9V

150

T

J

= 25°C

V

GE

= 15V

13V

125

20

15

10

5

0

1

2

3

4

5

6

7

7V

I

C

- 安培

I

C

- 安培

25

100

75

50

9V

11V

25

7V

0

2

4

6

8

10 12 14 16 18 20

V

CE

- 伏特

V

CE

- 伏特

图。 3集电极 - 发射极电压

与栅极 - 发射极电压

10

9

8

7

T

J

= 25°C

图。 4温度依赖性

输出饱和电压

1.4

I

C

= 34A

1.3

V（坐） - 归

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

I

C

= 8.5A

I

C

= 17A

V

CE

- 伏特

6

5

4

3

2

1

0

5

6

7

8

9

10 11 12 13 14 15

I

C

= 34A

I

C

= 17A

I

C

= 8.5A

-50

-25

0

25

50

75

100 125 150

V

GE

- 伏特

T

J

- 摄氏度

图。 5输入导纳

35

V

CE

= 10V

图。 6温度依赖性

分解和阈值电压

1.2

V

GE （日）

I

C

= 250A

30

I

C

- 安培

25

20

15

10

5

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

T

J

= - 40°C

BV / V

（ TH ）

- 归

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

-50

BV

CES

I

C

= 3毫安

-25

0

25

50

75

100 125 150

V

CE

- 伏特

17N100G1 JNB

T

J

- 摄氏度

IXGH 17N100U1

IXGH 17N100AU1

图7栅极电荷

图8关断安全工作区

15

13

11

V

CE

= 800

I

C

= 17A

I

G

= 10毫安

100

10

I

C

- 安培

T

J

= 125°C

的dV / dt < 3V / ns的

V

GE

- 伏特

9

7

5

3

1

0.1

0.01

0

10 20 30 40 50 60 70 80 90 100

0

200

400

600

800

1000

栅极电荷 - （ NC ）

V

CE

- 伏特

图9电容曲线

2000

F = 1MHz的

1750

电容 - pF的

1500

1250

1000

750

500

250

0

5

10

15

20

25

C

水库

C

OES

C

IES

17N100g2.JNB

V

CE

- 伏特

图10瞬态热阻抗

1

D=0.5

D=0.2

Z

thJC

（K / W）

D=0.1

0.1

D=0.05

D=0.02

D=0.01

单脉冲

D =占空比

0.01

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

脉冲宽度 - 秒

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：

4,835,592

4,850,072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,486,715

5,381,025

IXGH 17N100U1

IXGH 17N100AU1

图11最大正向电压降

100

80

50

图12峰值正向电压V

FR

和

正向恢复时间t

FR

1000

T

J

= 125°C

I

F

=37A

V

FR

40

800

600

400

t

fr

电流 - 安培

60

T

J

= 100°C

30

20

10

0

40

T

J

= 150°C

20

0

0.5

T

J

= 25°C

200

0

600

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

0

100

200

300

400

500

电压降 - 伏

di

F

/ DT - A / μs的

图13结点温度依赖性

关我

RM

和Q

r

1.4

1.2

1.0

0.8

I

RM

图14反向恢复押

4

T

J

= 100°C

V

R

= 540V

马克斯。

I

F

= 30A

Q

r

- nanocoulombs

归一化我

RM

/Q

r

3

典型值。

I

F

= 60A

I

F

= 30A

I

F

= 15A

2

0.6

0.4

0.2

0.0

0

40

80

120

160

Q

r

1

0

1

10

100

1000

T

J

- 摄氏度

di

F

/ DT - A / μs的

图15峰值反向恢复电流

50

40

T

J

= 100°C

V

R

= 540V

图16反向恢复时间

0.8

马克斯。

I

F

= 30A

T

J

= 100°C

V

R

= 540V

马克斯。

I

F

= 30A

30

20

10

0

200

400

600

典型值。

I

F

= 60A

I

F

= 30A

I

F

= 15A

t

rr

- 纳秒

0.6

典型值。

I

F

= 60A

I

F

= 30A

I

F

= 15A

I

RM

- 安培

0.4

0.2

0.0

0

200

400

600

di

F

/ DT - A / μs的

di

F

/ DT - A / μs的

t

fr

- 纳秒

V

FR

- 伏特