【PD - 94340HEXFET功率MOSFET直通孔（ TO- 39 ）IRF7F370420V的】,IC型号IRF7F3704,IRF7F3704 PDF资料,IRF7F3704经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD - 94340

HEXFET

功率MOSFET

直通孔（ TO- 39 ）

IRF7F3704

20V的N通道

产品概述

产品型号

IRF7F3704

BVDSS

20V

DS （ ON）

0.05

12A*

第七代HEXFET

从功率MOSFET

国际整流器利用先进的加工

技术，以实现尽可能低的导通电阻

每个芯片单位面积。这样做的好处，并结合

开关速度快和坚固耐用的设备的设计

该HEXFET功率MOSFET是众所周知的，

为设计者提供了一个非常有效的装置

用于在多种应用中使用。

这些装置非常适合于应用程序，例如

如开关电源，马达控制， invert-

器，砍砸器，音频放大器和高能量脉冲

电路。

TO-39

产品特点：

低R

DS （ ON）

额定雪崩能量

动态的dv / dt额定值

简单的驱动要求

易于并联的

密封式

重量轻

绝对最大额定值

参数

ID @ VGS = 10V ， TC = 25°C

ID @ VGS = 10V ， TC = 100℃

IDM

PD @ TC = 25°C

VGS

EAS

IAR

EAR

dv / dt的

T英镑

连续漏电流

漏电流脉冲

马克斯。功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度

重量

*目前被封装的限制

对于脚注参考最后一页

300 （ 0.063英寸/ 1.6毫米从案例10秒）

0.98 （典型值）

12*

10.6

0.16

±20

190

2.0

0.5

-55到150

W / ℃，

单位

V / ns的

www.irf.com

11/02/01

IRF7F3704

电气特性

@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）

参数

BVDSS

漏极至源极击穿电压

ΔBV

细数DSS / ΔT 温度系数

电压

RDS （ ON）

静态漏 - 源极导通状态

阻力

VGS （ TH）

栅极阈值电压

政府飞行服务队

正向跨导

IDSS

零栅极电压漏极电流

民

—

1.0

—

典型值最大值单位

—

0.024

—

7.0

—

0.05

0.055

3.0

—

100

-100

5.0

255

6.0

—

V /°C的

S( )

测试条件

VGS = 0V ，ID = 250μA

参考至25℃ ， n = 1.0毫安

VGS = 10V ，ID = 10.6A

VGS = 4.5V ，ID = 10.6A

VDS = VGS ，ID = 250μA

VDS = 10V ， IDS = 10.6A

VDS = 20V ， VGS = 0V

VDS = 16V ，

VGS = 0V ， TJ = 125°C

VGS = -20V

VGS = 4.5V ，ID = 12A

VDS = 10V

VDD = 10V ，ID = 12A ，

VGS = 4.5V ， RG = 1.8Ω

IGSS

Q GS

Q GD

（上）

（关闭）

LS + LD

西塞

OSS

RSS

栅极 - 源极漏进

栅极 - 源极漏反

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

—

1860

990

—

从漏极引线测量（6毫米/

0.25英寸从包中）源

铅（6毫米/ 0.25英寸从包中）

VGS = 0V ， VDS = 10V

F = 1.0MHz的

源极 - 漏极二极管额定值和特性

参数

ISM

VSD

吨RR

QRR

吨

连续源电流（体二极管）

脉冲源电流（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

最小典型最大单位

—

12*

1.4

测试条件

= 25 ℃， IS = 12A ，V GS = 0V

TJ = 25°C ， IF = 12A ， di / dt的

≤

100A/s

VDD

≤

16V

固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。

*目前被封装的限制

热阻

参数

thJC

RthJA

结到外壳

结到环境

最小典型最大单位

—

6.25

175

° C / W

测试条件

典型的插座安装

注：对应的香料和军刀车型可在G&S网站。

对于脚注参考最后一页

www.irf.com

IRF7F3704

100

VGS

顶部

10.0V

9.0V

8.0V

7.0V

6.0V

5.0V

4.5V

BOTTOM 3.5V

100

VGS

10.0V

9.00V

8.0V

7.0V

6.0V

5.0V

4.5V

BOTTOM 3.5V

顶部

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

3.5V

20μs的脉冲宽度

TJ = 25°C

0.1

100

0.1

20μs的脉冲宽度

TJ = 150℃

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100

2.0

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

= 12A

，漏极 - 源极电流（A ）

1.5

= 25

= 150

1.0

0.5

3.5

V DS = 15V

20μs的脉冲宽度

5.0

4.0

4.5

5.5

0.0

-60 -40 -20

= 10V

80 100 120 140 160

，栅 - 源极电压（ V）

，结温（

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

www.irf.com

IRF7F3704

2800

2400

，栅 - 源极电压（ V）

国际空间站

RSS

OSS

0V,

F = 1MHz的

+ C

GD ，

短

+ C

= 12A

= 16V

= 10V

C，电容（pF ）

2000

西塞

OSS

1600

1200

800

400

RSS

100

测试电路

见图13

，漏极至源极电压（ V）

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

= 150

= 25

100

在这一领域

限于由R DS （ ON）

，反向漏电流（ A）

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100s

1ms

0.1

0.4

= 0 V

0.8

1.2

1.6

2.0

2.4

2.8

3.2

TC = 25°C

TJ = 150℃

单脉冲

10ms

，源极到漏极电压（V ）

100

VDS ，漏toSource电压（V ）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

www.irf.com

IRF7F3704

不限按包

D.U.T.

，漏电流（ A）

脉冲宽度

≤ 1

占空比

≤ 0.1 %

图10A 。

开关时间测试电路

90%

100

125

150

，外壳温度（ ° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

10%

D（上）

D（关闭）

图10B 。

开关时间波形

热响应（Z

thJC

)

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

0.1

单脉冲

（热反应）

0.01

0.00001

注意事项：

1.负载因数D = T

/ t

2.峰值牛逼

= P

X Z

thJC

+ T

0.1

0.0001

0.001

0.01

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

www.irf.com

PD-94340B

HEXFET

功率MOSFET

直通孔（ TO- 39 ）

产品概述

产品型号

IRF7F3704

BVDSS

IRF7F3704

20V的N通道

20V

DS （ ON）

0.035

12A*

第七代HEXFET

从功率MOSFET

国际整流器利用先进的加工

技术，以实现尽可能低的导通电阻

每个芯片单位面积。这样做的好处，并结合

开关速度快和坚固耐用的设备的设计

该HEXFET功率MOSFET是众所周知的，

为设计者提供了一个非常有效的

装置，用于在各种各样的应用中使用。

这些装置非常适合于应用程序，例如

如开关电源，电机控制，逆变器，

斩波器，音频放大器和高能量脉冲

电路。

TO-39

产品特点：

低R

DS （ ON）

额定雪崩能量

动态的dv / dt额定值

简单的驱动要求

易于并联的

密封式

重量轻

绝对最大额定值

参数

ID @ VGS = 10V ， TC = 25°C

ID @ VGS = 10V ， TC = 100℃

IDM

PD @ TC = 25°C

VGS

EAS

IAR

EAR

dv / dt的

T英镑

连续漏电流

漏电流脉冲

马克斯。功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度

重量

*目前被封装的限制

对于脚注参考最后一页

12*

0.16

±16

190

2.0

0.5

-55到150

300 （ 0.063英寸/ 1.6毫米从案例10秒）

0.98 （典型值）

单位

W / ℃，

V / ns的

www.irf.com

10/10/05

IRF7F3704

电气特性

@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）

参数

BVDSS

漏极至源极击穿电压

ΔBV

细数DSS / ΔT 温度系数

电压

RDS （ ON）

静态漏 - 源极导通状态

阻力

VGS （ TH）

栅极阈值电压

克FS

正向跨导

IDSS

零栅极电压漏极电流

民

—

1.0

—

典型值最大值单位

—

0.024

—

7.0

—

0.035

0.04

3.0

—

100

-100

8.0

6.0

175

100

—

V /°C的

S( )

测试条件

VGS = 0V ，ID = 250μA

参考至25℃ ， n = 1.0毫安

VGS = 10V ，ID = 12A

V GS = 4.5V ，ID = 12A

VDS = VGS ，ID = 250μA

VDS = 10V ， IDS = 12A

VDS = 20V ， VGS = 0V

VDS = 16V ，

VGS = 0V ， TJ = 125°C

VGS = 16V

VGS = -16V

VGS = 4.5V ，ID = 12A

VDS = 10V

VDD = 10V ，ID = 12A ，

VGS = 4.5V ， RG = 1.8Ω

IGSS

Q GS

Q GD

（上）

（关闭）

LS + LD

西塞

OSS

RSS

栅极 - 源极漏进

栅极 - 源极漏反

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

—

1860

990

—

从漏极引线测量（6毫米/

0.25英寸从包中）源

铅（6毫米/ 0.25英寸从包中）

VGS = 0V ， VDS = 10V

F = 1.0MHz的

源极 - 漏极二极管额定值和特性

参数

ISM

VSD

TRR

QRR

吨

连续源电流（体二极管）

脉冲源电流（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

最小典型最大单位

—

12*

1.3

测试条件

= 25 ℃， IS = 12A ，V GS = 0V

TJ = 25°C ， IF = 12A ， di / dt的

≤

100A/s

VDD

≤

16V

固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。

*目前被封装的限制

热阻

参数

RthJC

RthJA

结到外壳

结到环境

最小典型最大单位

—

6.25

175

° C / W

测试条件

典型的插座安装

注：对应的香料和军刀车型可在国际整流器公司的网站。

对于脚注参考最后一页

www.irf.com

IRF7F3704

100

VGS

顶部

10.0V

9.0V

8.0V

7.0V

6.0V

5.0V

4.5V

BOTTOM 3.5V

100

VGS

10.0V

9.00V

8.0V

7.0V

6.0V

5.0V

4.5V

BOTTOM 3.5V

顶部

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

3.5V

0.1

20μs的脉冲宽度

TJ = 25°C

100

20μs的脉冲宽度

TJ = 150℃

0.1

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100

2.0

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

= 12A

，漏极 - 源极电流（A ）

1.5

= 25

= 150

1.0

0.5

3.5

V DS =

15V

20μs的脉冲宽度

4.0

4.5

5.0

5.5

0.0

-60 -40 -20

= 10V

80 100 120 140 160

，栅 - 源极电压（ V）

，结温（

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

www.irf.com

IRF7F3704

2800

2400

，栅 - 源极电压（ V）

= 0V,

F = 1MHz的

国际空间站

= C

+ C

GD ，

短

RSS

= C

OSS

= C

+ C

= 12A

= 16V

= 10V

C，电容（pF ）

2000

1600

1200

800

400

西塞

科斯

CRSS

100

测试电路

见图13

，漏极至源极电压（ V）

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

= 150

，反向漏电流（ A）

在这一领域

限于由R DS （ ON）

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

= 25

100s

1ms

0.1

0.4

= 0 V

0.8

1.2

1.6

2.0

2.4

2.8

3.2

TC = 25°C

TJ = 150℃

单脉冲

10ms

，源极到漏极电压（V ）

100

VDS ，漏toSource电压（V ）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

www.irf.com

IRF7F3704

不限按包

D.U.T.

，漏电流（ A）

脉冲宽度

≤ 1

占空比

≤ 0.1 %

图10A 。

开关时间测试电路

90%

，外壳温度（ ° C）

100

125

150

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

10%

D（上）

D（关闭）

图10B 。

开关时间波形

热响应（Z

thJC

)

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

0.1

注意事项：

1.负载因数D = T

/ t

2.峰值牛逼

= P

X Z

thJC

+ T

0.0001

0.001

0.01

0.1

单脉冲

（热反应）

0.01

0.00001

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳