GenX3
TM
1200V
IGBT的
高浪涌电流
超低甚小孔径终端PT型IGBT的
高达3kHz的切换
IXGA12N120A3
IXGP12N120A3
IXGH12N120A3
V
CES
= 1200V
= 12A
I
C90
V
CE （ SAT ）
≤
3.0V
TO- 263 AA （ IXGA ）
G
S
D（ TAB ）
符号
V
CES
V
CGR
V
GES
V
创业板
I
C25
I
C90
I
CM
SSOA
（ RBSOA ）
P
C
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
F
C
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25° C到150° C，R
GE
= 1MΩ
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
T
C
= 25 ° C， 1毫秒
V
GE
= 15V ，T
VJ
= 125 ° C，R
G
= 10Ω
钳位感性负载
T
C
= 25°C
最大额定值
1200
1200
±20
±30
22
12
60
I
CM
= 24
V
CE
≤
0.8
V
CES
100
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
°C
°C
°C
N /磅。
纳米/ lb.in 。
g
g
g
TO- 220AB （ IXGP ）
G
DS
D（ TAB ）
TO- 247 （ IXGH ）
G
D
S
D（ TAB ）
G =门
S =源
特点
D
=漏
TAB =漏
最大无铅焊接温度的
1.6毫米（ 0.062英寸）从案例10秒
安装力（ TO- 263 ）
安装扭矩（ TO- 220 & TO- 247 ）
TO-263
TO-220
TO-247
300
260
10..65 / 2.2..14.6
1.13 / 10
2.5
3.0
6.0
优化的低传导损耗
国际标准封装
优势
高功率密度
低栅极驱动要求
应用
符号
测试条件
(T
J
= 25℃ ，除非另有说明
BV
CES
V
GE （日）
I
CES
I
GES
V
CE （ SAT ）
I
C
I
C
= 250μA ，V
GE
= 0V
= 250μA ，V
CE
= V
GE
T
J
= 125°C
V
CE
= 0V, V
GE
=
±20V
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15V ，注1
T
J
= 125°C
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
1200
2.5
5.0
10
275
±100
2.40
2.75
3.0
V
V
μA
μA
nA
V
V
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
电源逆变器
UPS
电机驱动
SMPS
PFC电路
电池充电器
焊接机
灯镇流器
浪涌电流保护电路
2010 IXYS公司，版权所有
DS100212B(11/10)
IXGA12N120A3 IXGP12N120A3
IXGH12N120A3
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
g
fs
I
C（ ON）
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
R
thJC
R
乡镇卫生院
TO-247
TO-220
0.21
0.50
电阻开关时间，T
J
= 25°C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15V
V
CE
= 960V ，R
G
= 10Ω
电阻开关时间，T
J
= 125°C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15V
V
CE
= 960V ，R
G
= 10Ω
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15V, V
CE
= 600V
V
CE
= 25V, V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
I
C
= I
C90
, V
CE
= 10V ，注1
V
GE
= 10V, V
CE
= 10V ，注1
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
5.2
8.8
44
550
30
8
20.4
3.1
8.5
35
140
62
1035
35
167
70
1475
S
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1.25 ° C / W
° C / W
° C / W
1 - 门
2 =收藏家
3 =发射器
4 =集热器
TO- 263外形
记
1.脉冲检验，t
≤
300μS ，占空比D
≤
2%.
的TO-220概要
的TO- 247概要
DIM 。
1
2
3
P
e
端子： 1 - 门
3 - 发射的
2 - 集电极
毫米
分钟。马克斯。
A
4.7
5.3
2.2
2.54
A
1
A
2
2.2
2.6
b
1.0
1.4
1.65
2.13
b
1
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
1 - 门
2 =收藏家
引脚：
3 =发射1 - 门
2 - 漏极
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
7,157,338B2
IXGA12N120A3 IXGP12N120A3
IXGH12N120A3
图。 1.输出特性@ T
J
= 25C
24
V
GE
= 15V
13V
11V
10V
9V
70
60
8V
50
V
GE
= 15V
图。 2.扩展的输出特性@ T
J
= 25C
20
13V
11V
16
I
C
- 安培
I
C
-
安培
12
7V
40
30
20
10V
9V
8V
7V
8
6V
4
5V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
10
0
0
5
10
15
20
25
30
6V
5V
V
CE
- 伏特
V
CE
- 伏特
图。 3.输出特性@ T
J
= 125C
24
V
GE
= 15V
13V
11V
10V
9V
1.8
V
GE
= 15V
1.6
图。 4.依赖的V
CE （ SAT ）
on
结温
I
= 24A
20
C
I
C
- 安培
16
7V
12
V
CE （ SAT ）
- 归
8V
1.4
1.2
I
C
= 12A
8
6V
4
5V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
1.0
0.8
I
C
= 6A
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
CE
- 伏特
T
J
- 摄氏
图。 5.集电极 - 发射极电压
与门极 - 发射极电压
6.5
6.0
5.5
5.0
25
I
C
图。 6.输入导纳
35
T
J
= 25C
30
T
J
= - 40C
25C
125C
V
CE
- 伏特
4.5
4.0
3.5
12A
3.0
2.5
2.0
1.5
5
6
7
8
6A
= 24A
I
C
-
安培
20
15
10
5
0
9
10
11
12
13
14
15
3
4
5
6
7
8
9
V
GE
- 伏特
V
GE
- 伏特
2010 IXYS公司，版权所有
IXGA12N120A3 IXGP12N120A3
IXGH12N120A3
图。 7.跨导
12
T
J
= - 40C
10
25C
14
12
10
8
6
4
2
2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
16
V
CE
= 600V
I
C
= 12A
I
G
= 10毫安
图。 8.栅极电荷
g
F小号
-
SIEMENS
8
6
4
0
I
C
- 安培
V
GE
- 伏特
125C
Q
G
- nanocoulombs
图。 9.反向偏置安全工作区
28
24
20
1,000
图。 10.电容
资本投资者入境计划
电容 - 皮法
I
C
- 安培
100
卓越中心
16
12
8
T
J
= 125C
4
0
200
R
G
= 10
的dV / dt < 10V / ns的
10
CRES
f
= 1兆赫
1
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
0
5
10
15
20
25
30
35
40
300
400
V
CE
- 伏特
10.00
图。 11.最大瞬态热阻抗
V
CE
- 伏特
图。 11.最大瞬态热阻抗
3.00
aaaaaa
1.00
Z
（日） JC
- C / W
0.10
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
脉冲宽度 - 二
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXGA12N120A3 IXGP12N120A3
IXGH12N120A3
图。 12.电阻导通上升时间
- 结温
240
220
200
I
180
160
I
140
120
100
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
C
C
图。 13.电阻导通上升时间
与集电极电流
240
R
G
= 10 , V
GE
= 15V
V
CE
= 960V
R
G
= 10 , V
GE
= 15V
V
CE
= 960V
220
200
180
160
140
120
100
6
t
r
- 纳秒
t
r
- 纳秒
= 24A
T
J
= 125C
= 12A
T
J
= 25C
8
10
12
14
16
18
20
22
24
T
J
- 摄氏
I
C
- 安培
图。 14.电阻导通开关时间
与栅极电阻
260
140
1600
1500
1400
图。 15.电阻关断开关时间
- 结温
100
t
r
240
V
CE
= 960V
t
D（上）
- - - -
120
t
f
V
CE
= 960V
t
D（关闭）
- - - -
T
J
= 125°C ，V
GE
= 15V
R
G
= 10, V
GE
= 15V
90
80
70
t
D（关闭）
- 纳秒
t
D（上）
- 纳秒
t
r
- 纳秒
220
100
t
f
- 纳秒
1300
I
C
= 12A
1200
1100
1000
900
I
C
= 24A
200
I
C
= 24A
I
C
= 12A
80
60
50
40
30
20
125
180
60
160
40
140
0
30
60
90
120
150
180
210
240
270
20
300
800
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
R
G
- 欧姆
T
J
- 摄氏
图。 16.电阻关断开关时间
与集电极电流
2200
2000
1800
110
1800
1700
1600
图。 17.电阻关断开关时间
与栅极电阻
700
t
f
V
CE
= 960V
T
J
= 125C
t
D（关
)
- - - -
100
90
80
70
t
f
V
CE
= 960V
t
D（关闭）
- - - -
R
G
= 10, V
GE
= 15V
T
J
= 125°C ，V
GE
= 15V
600
t
D（关闭）
- 纳秒
t
D（关闭）
- 纳秒
t
f
- 纳秒
t
f
- 纳秒
I
1600
1400
1200
1000
800
600
6
8
10
T
J
= 25C
C
= 12A
500
400
300
I
C
= 24A
200
100
0
300
1500
1400
1300
1200
1100
0
30
60
90
120
150
180
210
240
270
60
50
40
30
12
14
16
18
20
22
24
I
C
- 安培
R
G
- 欧姆
2010 IXYS公司，版权所有
IXYS REF ： G_12N120A3 （ 2M ） 10年2月11日
QQ：2880707522 复制
