【PolarHTTMHiPerFET功率MOSFETN沟道增强模式快恢复二极管，雪崩评级初步数据表IX】,IC型号IXFV74N20P,IXFV74N20P PDF资料,IXFV74N20P经销商,ic,电子元器件-51电子网

PolarHT

HiPerFET

功率MOSFET

N沟道增强模式

快恢复二极管，雪崩

评级

初步数据表

IXFH 74N20P

IXFV 74N20P

IXFV 74N20PS

DSS

D25

DS （ ON）

≤

200

符号

DSS

DGR

GSM

D25

dv / dt的

英镑

重量

测试条件

= 25 ℃至175 ℃的

= 25 ℃175 ℃;

= 1 M

连续

短暂

= 25°C

= 25 ° C，脉冲宽度限制T

= 25°C

≤

， di / dt的

≤

100 A / μs的，V

≤

DSS

≤

150℃ ，R

= 4

= 25°C

最大额定值

200

±20

±30

200

1.0

480

-55 ... +175

175

-55 ... +150

V / ns的

TO- 247 （ IXFH ）

D（ TAB ）

PLUS220 （ IXFV ）

°C

D（ TAB ）

PLUS220SMD （ IXFV -PS ）

从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）

塑料机身10秒

安装力

安装力矩

TO-247

PLUS220

(PLUS220)

(TO-247)

300

250

1.13 / 10牛米/ lb.in 。

6.0

4.0

G =门

S =源

D =漏

TAB =漏

D（ TAB ）

特点

符号

测试条件

= 25 ° C，除非另有规定编）

DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

DS （ ON）

= 0 V，I

= 250

= V

, I

= 250A

±20

, V

= 0

= V

DSS

= 0 V

= 125°C

特征值

MIN 。 TYP 。

马克斯。

200

2.5

5.0

±100

250

优势

易于安装

节省空间

高功率密度

DS99209(09/04)

国际标准封装

非钳位感应开关（ UIS）

评级

低封装电感

- 易于驾驶和保护

= 10 V，I

= 0.5 I

D25

脉冲测试，T

≤

300

占空比

≤

2 %

IXFH 74N20P IXFV 74N20P

IXFV 74N20PS

符号

测试条件

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。

典型值。

马克斯。

3300

= 0 V, V

= 25 V ， F = 1兆赫

800

190

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= I

D25

= 4

（外部）

107

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= 0.5 I

D25

0.31 K / W

（TO- 247 ， PLUS220 ）

0.21

K / W

端子： 1 - 门

2 - 漏极

TO- 247 （ IXFH ）大纲

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

G（ ON）的

thJC

thCK

= 10 V ;我

= 0.5 I

D25

，脉冲测试

DIM 。

源极 - 漏极二极管

符号

PLUS220SMD （ IXFV -PS ）大纲

测试条件

= 0 V

重复

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。

典型值。

马克斯。

180

1.5

120

0.4

毫米

分钟。

马克斯。

4.7

5.3

2.2

2.54

2.2

2.6

1.0

1.4

1.65

2.13

2.87

3.12

20.80 21.46

15.75 16.26

5.20

5.72

19.81 20.32

4.50

3.55

3.65

5.89

6.40

4.32

5.49

6.15 BSC

英寸

分钟。马克斯。

.185 .209

.087 .102

.059 .098

.040 .055

.065 .084

.113 .123

.016 .031

.819 .845

.610 .640

0.205 0.225

.780 .800

.177

.140 .144

0.232 0.252

.170 .216

242 BSC

= I

, V

= 0 V,

脉冲测试，T

≤

300

占空比

≤

2 %

= 25 A， -di / DT = 100 A / μs的

= 100 V

PLUS220 （ IXFV ）大纲

200纳秒

2个ê

3X B

端子： 1门2漏

2个B

端子： 1门2漏

5,237,481

5,381,025

5,486,715

6,162,665

6,259,123 B1

6,306,728 B1

6,404,065 B1

6,534,343

6,583,505

6,683,344

6,710,405B2

6,710,463

6,727,585

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT被覆盖

一个或moreof以下美国专利：

4,835,592

4,850,072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

IXFH 74N20P IXFV 74N20P

IXFV 74N20PS

图。 1.输出特性

@ 25

= 10V

200

180

160

140

= 10V

图。 2.扩展的输出特性

@ 25

- 安培

0.5

1.5

- 安培

120

100

2.5

3.5

- 伏特

图。 3.输出特性

@ 150

= 10V

2.6

- 伏特

图。 4.

DS （上

)

规范alized 0.5我

D25

值与结tem温度

S（O N）

- 归

- 安培

2.2

1.8

1.4

0.6

= 74A

= 37A

-50

-25

100

125

150

175

- 伏特

图。 5.

DS （ ON）

规范alized到

4.5

- 摄氏

图。 6.漏电流与案例

tem温度

0.5 I

D25

价值与我

= 10V

= 175C

S（O N）

- 归

3.5

2.5

1.5

0.5

= 15V

- 安培

= 10V

= 25C

100 120 140 160 180 200

- 安培

-50

-25

- 摄氏

100

125

150

175

IXFH 74N20P IXFV 74N20P

IXFV 74N20PS

图。 7.输入上将ittance

100

= -40C

25C

150C

图。 8.跨导

3.5

4.5

5.5

6.5

= 150C

25C

-40C

F小号

- 西门子

- 安培

100

120

的s

- 伏特

图。 9.源电流和

源 - 漏电压

200

180

160

- 安培

图。 10.栅极电荷

= 100V

= 37A

= 10毫安

- 安培

140

的s

- 伏特

= 150C

= 25C

120

100

0.4

0.6

0.8

S.D。

- 伏特

1.2

1.4

90 100 110

- nanocoulombs

图。 12. FORW ARD偏置

安全工作区

1000

国际空间站

= 175C

DS （ ON）

极限

= 25C

25s

100s

1ms

RSS

10ms

图。 11.电容

10000

F = 1MHz的

电容 - 皮法

- 安培

100

1000

OSS

100

- 伏特

100

1000

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXFH 74N20P IXFV 74N20P

IXFV 74N20PS

图。 13. M的Axim嗯牛逼一个S即NT牛逼赫姆人再s是棕褐色的CE

1.00

T H， J·C

- C / W

0.10

0.01

100

1000

PULS东西ID - 米利斯EC哔声

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