IXFH 14N80P IXFQ 14N80P
IXFT 14N80P IXFV 14N80P IXFV 14N80PS
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。
马克斯。
8
15
3900
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
250
19
26
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
D25
R
G
= 5
Ω
（外部）
29
62
27
61
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
18
20
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.31
° C / W
（TO- 247 ，TO- 3P）
0.21
° C / W
端子： 1 - 门
3 - 来源
2 - 漏极
标签 - 漏
1
2
3
TO- 247 （ IXFH ）大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
V
DS
= 20V;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
DIM 。
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。
马克斯。
14
40
1.5
A
A
V
毫米
分钟。马克斯。
A
4.7
5.3
2.2
2.54
A
1
A
2
2.2
2.6
b
1.0
1.4
1.65
2.13
b
1
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
TO- 268 （ IXFT ）大纲
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300
μs,
占空比
≤
2 %
I
F
= 25A,
-di / DT = 100 A / μs的
V
R
= 100V
0.4
5
250
ns
μC
A
PLUS220SMD （ IXFV_S ）大纲
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT均受4835592
一个或moreof以下美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
IXFH 14N80P IXFQ 14N80P
IXFT 14N80P IXFV 14N80P IXFV 14N80PS
图。 1.输出特性
@ 25C
14
V
GS
= 10V
7V
27
24
21
10
V
GS
= 10V
7V
图。 2.扩展的输出特性
@ 25C
12
I
D
- 安培
8
6
I
D
- 安培
6V
18
15
12
9
6V
4
5V
2
6
3
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
5V
0
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
图。 3.输出特性
@ 125C
14
V
GS
= 10V
12
6V
10
2.8
2.5
3.1
图。 4.
DS （ ON）
归到我
D
= 7A与价值
结温
V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
- 归
I
D
- 安培
2.2
1.9
1.6
1.3
1
I
D
= 14A
8
5V
6
I
D
= 7A
4
2
0.7
0.4
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
V
DS
- 伏特
T
J
- 摄氏
图。 5.
DS （ ON）
归到我
D
= 7A与价值
漏电流
2.8
2.6
2.4
V
GS
= 10V
T
J
= 125C
16
14
12
2.2
图。 6，最大漏极电流与
外壳温度
R
DS （ ON）
- 归
I
D
- 安培
T
J
= 25C
0
4
8
12
16
20
24
28
2
1.8
1.6
1.4
10
8
6
4
1.2
1
0.8
2
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
- 安培
T
C
- 摄氏
2006 IXYS所有权利
IXFH 14N80P IXFQ 14N80P
IXFT 14N80P IXFV 14N80P IXFV 14N80PS
图。 7.输入导纳
20
18
16
14
30
27
24
图。 8.跨导
g
F小号
- 西门子
21
18
15
12
9
6
3
0
T
J
= - 40C
25C
125C
I
D
- 安培
12
10
8
6
4
2
0
3.5
4
T
J
= 125C
25C
- 40C
4.5
5
5.5
6
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V
GS
- 伏特
I
D
- 安培
图。 9.正向电压降
征二极管
45
40
35
10
9
8
7
V
DS
=400V
I
D
= 7A
I
G
= 10毫安
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
30
V
GS
- 伏特
T
J
= 25C
6
5
4
3
2
1
0
25
T
J
= 125C
20
15
10
5
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
0
10
20
30
40
50
60
V
SD
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 11.电容
10,000
F = 1 MHz的
1.000
图。 13.最大瞬态热
阻力
电容 - 皮法
国际空间站
R
（日） JC
- C / W
1,000
0.100
OSS
100
RSS
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.010
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V
DS
- 伏特
脉冲宽度 - 秒
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS REF ： F_14N80P （ 6J ） 5-02-06.xls
IXFH 14N80P IXFQ 14N80P
IXFT 14N80P IXFV 14N80P IXFV 14N80PS
TO- 3P -3L封装外形
PLUS220 （ IXFV ）大纲
1.门
2.漏极（集电极）
3.信号源（发射器）
4.漏极（集电极）
全金属的面积有锡电镀。
参考文献： IXYS有限公司0170 RA
2006 IXYS所有权利
QQ：2880707522 复制
