IXFH12N120P IXFV12N120P
IXFV12N120PS
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
Gi
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
（TO- 247 ， PLUS 220）
0.21
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
门输入电阻
电阻开关时间
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 2Ω （外部）
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
DS
= 20V ，我
D
= 0.5 I
D25
注意1
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
5
9
5400
290
40
1.5
34
25
62
34
103
29
41
S
pF
pF
pF
Ω
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.23
° C / W
° C / W
PLUS220 （ IXFV ）大纲
源极 - 漏极二极管
T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
V
GS
= 0V
重复，脉冲宽度为T有限公司
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0V ，说明1
I
F
= 6A ， -di / DT = 100A / μs的
V
R
= 100V, V
GS
= 0V
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
12
48
1.5
A
A
V
TO- 247 （ IXFH ）大纲
300纳秒
0.5
6
μC
A
P
注1 ：脉冲检验，t
≤
300μS ;占空比D
≤
2%.
PLUS220SMD （ IXFV_S ）大纲
DIM 。
e
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
由一个或moreof以下美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
毫米
分钟。马克斯。
A
4.7
5.3
A
1
2.2
2.54
A
2
2.2
2.6
b
1.0
1.4
1.65
2.13
b
1
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
7,157,338B2
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
IXFH12N120P IXFV12N120P
IXFV12N120PS
图。 7.输入导纳
14
12
10
16
T
J
= - 40C
14
12
图。 8.跨导
I
D
- 安培
8
6
4
2
0
3.5
4.0
4.5
5.0
T
J
= 125C
25C
- 40C
g
F小号
- 西门子
25C
10
8
6
4
2
0
125C
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
V
GS
- 伏特
I
D
- 安培
图。 9.正向电压降
征二极管
40
35
8
30
7
10
9
V
DS
= 600V
I
D
= 6A
I
G
= 10毫安
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
25
20
15
T
J
= 125C
10
5
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
T
J
= 25C
V
GS
- 伏特
6
5
4
3
2
1
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
V
SD
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 11.电容
10,000
1.00
西塞
图。 12.最大瞬态热
阻抗
电容 - 皮法
Z
（日） JC
- C / W
1,000
0.10
科斯
100
f
= 1兆赫
10
0
5
10
15
20
25
30
CRSS
0.01
0.0001
35
40
0.001
0.01
0.1
1
10
V
DS
- 伏特
脉冲宽度 - 秒
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS REF ： F_12N120P （ 76 ） 08年4月1日-A
QQ：2880707522 复制
