IC43R32400
引脚说明
IC43R32400表1.Pin详细
符号类型
CK ， CK ＃输入
描述
差分时钟：
CK，CK ＃ ，由系统时钟驱动。所有的SDRAM输入命令
采样CK的上升沿。无论CK和CK ＃增加内部突发计数器和
控制输出寄存器。
时钟使能：
CKE激活（ HIGH）和停用（ LOW ）的CK signal.If CKE变低同步的
nously用时钟，内部时钟从下一个时钟周期和输出的状态，暂停
和脉冲串地址被冻结，只要所述CKE保持low.When所有银行都处于空闲状态，
停用时钟控制进入掉电和自刷新模式。
银行选择：
BA0和BA1定义了该银行的BankActivate ，读，写，或BankPrecharge
命令被应用。他们还定义哪些模式寄存器或扩展模式寄存器是
一个模式寄存器设置命令时加载。
地址输入：
A0 - A10是在BankActivate指令周期内采样（行地址A0 -A11 ）
和读/写命令（列地址A0- A7与A8定义自动预充电），选择一个
位置出256K在各自bank.During预充电命令可用， A8是
采样，以确定是否所有的银行都被预充电（A8 =高）。该地址输入端也
在提供一个模式寄存器设置或扩展模式寄存器设置命令的操作码。
片选：
CS ＃使（采样为低电平）和禁用（采样HIGH ）命令decoder.All
当CS ＃采样HIGH.CS ＃为外部银行选择上的命令被屏蔽
多banks.It系统被认为是命令代码的一部分。
行地址选通：
在RAS ＃信号定义结合的操作命令与
CAS ＃和WE ＃信号，并锁定在CK.When RAS ＃和CS ＃正边缘
断言“LOW”和CAS ＃是断言“高”，无论是BankActivate命令或预充电
命令被选中的WE＃ signal.When在WE ＃被认定为“高”的BankActivate
命令被选中，由BS指定的银行接通到活动状态。当在
WE＃是断言“低”的预充电命令被选中，由BS指定的银行
在预充电操作之后，切换到空闲状态。
列地址选通：中
CAS ＃信号定义与配合操作命令
在RAS ＃和WE＃信号，并且被锁存在CK的上升沿。当RAS ＃举行
“高”和CS ＃是断言“低”栏目的访问是通过断言CAS ＃启动“低”。然后，
在读或写命令被选中WE＃置“高”或“低”。
写使能：该
WE＃信号的定义结合的操作命令与RAS ＃和
CAS＃信号，并锁存于CK.The WE＃的输入的上升沿被用于选择
BankActivate或预充电命令和读或写命令。
CKE
输入
BS0 ， BS1输入
A0 -A11输入
CS ＃
输入
RAS ＃
输入
CAS ＃
输入
WE＃
输入
DQS0 - DQS3输入/输出双向数据选通：
该DQSx信号被映射到后续的数据字节：
DQS0到DQ0 - DQ7 ， DQS1到DQ8 - DQ15 ， DQS2到DQ16 - DQ23 ， DQS3到DQ24 - DQ31 。
DM0 - DM3输入数据输入掩码：
DM0 - DM3是特定字节。当DM采样高输入数据被屏蔽
在写周期。 DM3口罩DQ31 - DQ24 ， DM2口罩DQ23DQ16 ， DM1口罩DQ15 - DQ8 ，
和DM0口罩DQ7 - DQ0 。
DQ0 - DQ31输入/输出数据I / O：在
DQ0 - DQ31输入和输出数据与的正边缘同步
CK和CK ＃ .The I / O是字节屏蔽期间，写操作。
V
DD
供应
电源：
电源输入缓冲器和核心逻辑。
集成电路解决方案公司
DDR003-0B 2004年11月10日
5
QQ：2880707522 复制
