PolarHV
TM
HiPerFET
功率MOSFET
N沟道增强模式
额定雪崩
快速内在二极管
IXFH 36N60P
IXFK 36N60P
IXFT 36N60P
V
DSS
= 600 V
I
D25
= 36 A
R
DS （ ON）
≤
190 m
t
rr
≤
200纳秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25° C
T
C
= 25 ℃，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25° C
T
C
= 25° C
T
C
= 25° C
I
S
≤
I
DM
， di / dt的
≤
100 A / μs的，V
DD
≤
V
DSS
,
T
J
≤
150℃ ，R
G
= 4
T
C
= 25° C
最大额定值
600
600
±30
±40
36
80
36
50
1.5
20
650
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
mJ
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
TO- 247 （ IXFH ）
G
D
S
D（ TAB ）
TO- 268 （ IXFT ）机箱样式
G
S
D（ TAB ）
TO- 264 AA （ IXFK ）
安装力矩（ TO- 247 & TO- 264 ）
TO-247
TO-268
TO-264
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
塑料机身10秒
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
6
5
10
300
260
g
g
g
°
C
°
C
G
D
S
（ TAB ）
T
L
T
出售
G =门
S =源
特点
l
l
l
D =漏
TAB =漏
符号
测试条件
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
=
±30
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
T
J
= 125° C
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
600
3.0
5.0
±200
100
1000
190
V
V
nA
A
A
m
l
国际标准封装
快恢复二极管
非钳位感应开关（ UIS）
评级
低封装电感
- 易于驾驶和保护
优势
l
l
l
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
易于安装
节省空间
高功率密度
DS99383E(02/06)
2006 IXYS所有权利
IXFH 36N60P IXFK 36N60P
IXFT 36N60P
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
分钟。典型值。马克斯。
25
39
5800
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
570
30
30
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 I
D25
R
G
=2
（外部）
25
80
22
102
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
34
36
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.19
°
C / W
TO-247
TO-264
0.21
0.15
°
C / W
°
C / W
DIM 。
毫米
分钟。马克斯。
A
4.7
5.3
A
1
2.2
2.54
A
2
2.2
2.6
b
1.0
1.4
1.65
2.13
b
1
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
1
2
3
AD TO- 247 （ IXFH ）大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
R
乡镇卫生院
V
DS
= 20V;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复
特征值
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
分钟。典型值。马克斯。
36
80
1.5
200
0.8
6.0
A
A
V
ns
C
A
TO- 264 （ IXFK ）大纲
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
I
F
= 25A ， -di / DT = 100 A / μs的
V
R
= 100V
TO- 268 （ IXFT ）大纲
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT均受4835592
一个或moreof以下美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
6,771,478 B2
QQ：2881677436 复制
