PD - 90388
重复性雪崩和dv / dt评分
HEXFET晶体管
直通孔（ TO- 205AF ）
产品概述
型号BVDSS
DS （ ON）
IRFF9110
-100V
1.2
I
D
-2.5A
IRFF9110
100V ， P- CHANNEL
该HEXFET技术是关键，国际
IR的先进线路的功率MOSFET晶体管。
高效的几何形状和这个最新独特的加工
“最先进的”设计实现：极低的通态电阻
tance结合高跨导。
该HEXFET晶体管还具有所有的井
MOSFET的既定优势，如电压
年龄控制，非常快速的切换，方便parelleling的
和温度的电气参数的稳定性。
它们非常适合用于诸如开关
荷兰国际集团的电源，电机控制，逆变器，斩波器
个人，音频放大器和高能量脉冲电路。
TO-39
产品特点：
n
n
n
n
n
重复雪崩额定值
动态的dv / dt额定值
密封式
简单的驱动要求
易于并联的
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = -10V ， TC = 25°C
连续漏电流
ID @ VGS = -10V ， TC = 100 ℃的连续漏电流
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
我AR
EAR
dv / dt的
TJ
TSTG
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度
重量
对于脚注参考最后一页
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）从案例10秒）
0.98(typical)
-2.5
-1.6
-10
15
0.12
±20
87
—
—
-5.5
-55到150
W
W / ℃，
单位
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
www.irf.com
1
01/23/01
IRFF9110
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
ΔBV
DSS / ΔTJ
RDS （ ON）
VGS （ TH）
政府飞行服务队
IDSS
漏极至源极击穿电压
分解温度系数
电压
静态漏 - 源极导通状态
阻力
栅极阈值电压
正向跨导
零栅极电压漏极电流
民
-100
—
—
—
-2.0
0.8
—
—
—
—
4.0
0.8
1.9
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
-0.10
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
7.0
—
—
1.2
1.38
-4.0
—
-25
-250
-100
100
9.8
1.8
4.3
30
60
40
40
—
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0V ，ID = -1.0mA
参考至25℃ ， n = -1.0mA
VGS = -10V ，ID = -1.6A
VGS = -10V ，ID = -2.5A
VDS = VGS ，ID = -250μA
VDS > -15V ， IDS = -1.6A
VDS = -80V ， VGS = 0V
VDS = -80V
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = -20V
VGS = 20V
VGS = -10V ，ID = -2.5A
VDS = -50V
VDD = -50V ， ID = -2.5A ，
RG = 7.5Ω
IGSS
IGSS
Qg
QGS
QGD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
nA
nC
ns
nH
从测得的漏极引线（6毫米/ 0.25英寸从
包）源铅（6毫米/ 0.25英寸从
包）
西塞
科斯
CRSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
200
85
30
—
—
pF
VGS = 0V ， VDS = -25V
F = 1.0MHz的
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
吨RR
QRR
T ON
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
-2.5
-10
-5.5
200
4.0
测试条件
A
V
nS
C
T
j
= 25°C ， IS = -2.5A ， VGS = 0V
TJ = 25°C ， IF = -2.5A ， di / dt的
≤
-100A/s
VDD
≤
-50V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
RthJA
结到外壳
结到环境
最小典型最大单位
—
—
—
—
8.3
175
° C / W
测试条件
典型的插座安装
注：对应的香料和军刀车型可在G&S网站。
对于脚注参考最后一页
2
www.irf.com
IRFF9110
尺寸以毫米（英寸） 。
8.64 (0.34)
9.40 (0.37)
8.01 (0.315)
9.01 (0.355)
4.06 (0.16)
4.57 (0.18)
P沟道MOSFET
IN A
密封TO39
金属包装。
12.70
(0.500)
分钟。
0.89最大。
(0.035)
0.41 (0.016)
0.53 (0.021)
DIA 。
P沟道MOSFET 。
5.08 (0.200)
典型值。
V
DSS
= 100V
2.54
(0.100)
2
1
0.74 (0.029)
1.14 (0.045)
0.71 (0.028)
0.53 (0.021)
I
D
= 2.5A
R
DS （ ON）
= 1.2
所有Semelab密封产品可以
在按照要求处理
BS ， CECC和JAN ， JANTX ， JANTXV和
JANS规范。
3
45°
TO39 （ TO205AF ）
引脚配置
1 - 来源
2 - 门
3 - 漏极
参数
V
DSS
I
D
P
D
R
DS （ ON）
C
国际空间站
Q
g
t
TD （上）
t
tr
t
TD （关闭）
t
f
漏极 - 源极击穿电压
连续漏电流
功耗
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
总栅极电荷
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
分钟。
典型值。
马克斯。
100
2.5
15
1.2
单位
V
A
W
pF
nC
ns
ns
ns
ns
200
9.8
30
60
40
40
这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表，请联系
sales@semelab.co.uk 。
Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网址：
http://www.semelab.co.uk
产生
11-Oct-02
PD - 90388
重复性雪崩和dv / dt评分
HEXFET晶体管
直通孔（ TO- 205AF ）
产品概述
型号BVDSS
DS （ ON）
IRFF9110
-100V
1.2
I
D
-2.5A
IRFF9110
100V ， P- CHANNEL
该HEXFET技术是关键，国际
IR的先进线路的功率MOSFET晶体管。
高效的几何形状和这个最新独特的加工
“最先进的”设计实现：极低的通态电阻
tance结合高跨导。
该HEXFET晶体管还具有所有的井
MOSFET的既定优势，如电压
年龄控制，非常快速的切换，方便parelleling的
和温度的电气参数的稳定性。
它们非常适合用于诸如开关
荷兰国际集团的电源，电机控制，逆变器，斩波器
个人，音频放大器和高能量脉冲电路。
TO-39
产品特点：
n
n
n
n
n
重复雪崩额定值
动态的dv / dt额定值
密封式
简单的驱动要求
易于并联的
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = -10V ， TC = 25°C
连续漏电流
ID @ VGS = -10V ， TC = 100 ℃的连续漏电流
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
我AR
EAR
dv / dt的
TJ
TSTG
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度
重量
对于脚注参考最后一页
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）从案例10秒）
0.98(typical)
-2.5
-1.6
-10
15
0.12
±20
87
—
—
-5.5
-55到150
W
W / ℃，
单位
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
www.irf.com
1
01/23/01
IRFF9110
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
ΔBV
DSS / ΔTJ
RDS （ ON）
VGS （ TH）
政府飞行服务队
IDSS
漏极至源极击穿电压
分解温度系数
电压
静态漏 - 源极导通状态
阻力
栅极阈值电压
正向跨导
零栅极电压漏极电流
民
-100
—
—
—
-2.0
0.8
—
—
—
—
4.0
0.8
1.9
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
-0.10
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
7.0
—
—
1.2
1.38
-4.0
—
-25
-250
-100
100
9.8
1.8
4.3
30
60
40
40
—
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0V ，ID = -1.0mA
参考至25℃ ， n = -1.0mA
VGS = -10V ，ID = -1.6A
VGS = -10V ，ID = -2.5A
VDS = VGS ，ID = -250μA
VDS > -15V ， IDS = -1.6A
VDS = -80V ， VGS = 0V
VDS = -80V
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = -20V
VGS = 20V
VGS = -10V ，ID = -2.5A
VDS = -50V
VDD = -50V ， ID = -2.5A ，
RG = 7.5Ω
IGSS
IGSS
Qg
QGS
QGD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
nA
nC
ns
nH
从测得的漏极引线（6毫米/ 0.25英寸从
包）源铅（6毫米/ 0.25英寸从
包）
西塞
科斯
CRSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
200
85
30
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—
pF
VGS = 0V ， VDS = -25V
F = 1.0MHz的
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
吨RR
QRR
T ON
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
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—
-2.5
-10
-5.5
200
4.0
测试条件
A
V
nS
C
T
j
= 25°C ， IS = -2.5A ， VGS = 0V
TJ = 25°C ， IF = -2.5A ， di / dt的
≤
-100A/s
VDD
≤
-50V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
RthJA
结到外壳
结到环境
最小典型最大单位
—
—
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8.3
175
° C / W
测试条件
典型的插座安装
注：对应的香料和军刀车型可在G&S网站。
对于脚注参考最后一页
2
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