【PolarHVTMHiPerFET功率MOSFETISOPLUS247TMN沟道增强模式额定雪崩快速】,IC型号IXFR80N50P,IXFR80N50P PDF资料,IXFR80N50P经销商,ic,电子元器件-51电子网

PolarHV

HiPerFET

功率MOSFET

ISOPLUS247

N沟道增强模式

额定雪崩

快速内在二极管

符号

DSS

DGR

GSM

D25

dv / dt的

英镑

ISOL

重量

测试条件

= 25 ℃至150 ℃的

= 25 ℃至150 ℃;

= 1 M

短暂

连续

IXFR 80N50P

DSS

D25

DS （ ON）

（电隔离背面）

= 500 V

= 45 A

≤

72 m

≤

200纳秒

最大额定值

500

200

3.5

360

-55 ... +150

150

-55 ... +150

V / ns的

°C

N /磅

ISOPLUS247 （ IXFR ）

E153432

= 25° C

= 25 ℃，脉冲宽度限制T

= 25° C

≤

， di / dt的

≤

100 A / μs的，V

≤

DSS

≤

150℃ ，R

= 2

= 25° C

（隔离TAB ）

D =漏

G =门

S =源

最大无铅焊接温度的

安装力

50/60赫兹， RMS 1分钟

300

20..120/4.5..25

2500

特点

对直接铜键合硅片

基板

- 高功率耗散

- 隔离安装面

- 2500V电气隔离

低漏片电容（ <30pF ）

低R

DS （ ON）

HDMOS

过程

坚固的多晶硅栅单元结构

额定松开感性负载

开关（ UIS ）

快速内在整流器

应用

DC- DC转换器

电池充电器

开关模式和谐振模

电源

直流斩波器

交流电动机的控制

符号

测试条件

= 25 ° C除非另有说明）

DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

DS （ ON）

= 0 V，I

= 500

= V

, I

= 8毫安

30 V

, V

= 0

= V

DSS

= 0 V

= 10 V，I

= 40 A

= 125° C

特征值

MIN 。 TYP 。

马克斯。

500

3.0

5.0

200

优势

组装方便

节省空间

高功率密度

2006 IXYS所有权利

DS99438E(03/06)

IXFR 80N50P

符号

测试条件

特征值

= 25 ° C除非另有说明）

分钟。

典型值。

马克斯。

12.7

= 0 V, V

= 25 V ， F = 1兆赫

1280

120

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= 40 A

= 1

（外部）

197

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= 40 A

0.35 ° C / W

0.15

C / W

ISOPLUS247

概要

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

G（ ON）的

thJC

乡镇卫生院

= 20V;我

= 40 A，I

D25

注意1

源极 - 漏极二极管

符号

注意事项：

测试条件

= 0 V

重复

= I

, V

= 0 V,

= 25 A， -di / DT = 100 A / μs的

= 100 V, V

= 0 V

特征值

= 25° C除非另有说明

分钟。

典型值。

马克斯。

200

1.5

200

0.6

1.脉冲检验，t

≤

300

占空比

≤

2 %

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT均受4835592

一个或moreof以下美国专利： 4850072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,381,025

5,486,715

6,162,665

6,259,123 B1

6,306,728 B1

6,404,065 B1

6,534,343

6,583,505

6,683,344

6,710,405B2

6,710,463

6,727,585

6,759,692

6,771,478 B2

IXFR 80N50P

图。 1.输出煤焦ACTE r是抽动

@ 25

GS =

10V

180

160

图。 2. EXTE NDE D输出Characte r是抽动

@ 25

= 10V

- 安培

140

120

100

- 安培

- V OLTS

图。 3.输出煤焦ACTE RIS抽动

@ 125

= 10V

3.4

3.1

= 10V

- V OLTS

图。 4.

DS （上

)

也不米艾莉婕d可我

= 40 A

价值VS 。结テ米PE ratur ê

S（O N）

- 归

2.8

2.5

2.2

1.9

1.6

1.3

0.7

0.4

= 40A

= 80A

- 安培

-50

-25

100

125

150

- V OLTS

图。 5.

DS （ ON）

也不米艾莉婕d可

3.2

2.8

- 摄氏

= 40 A价值VS 。我

= 10V

= 125

图。 6.艾因姜黄素博士鄂西北VS 。 CAS ê

TE米PE ATUR ê

S（O N）

- 归

2.6

2.2

1.8

1.6

1.4

1.2

0.8

100

120

140

160

180

= 25

- 安培

2.4

-50

-25

100

125

150

- 一个mperes

- 摄氏

2006 IXYS所有权利

IXFR 80N50P

图。 7.输入上将ittance

140

120

100

140

120

100

4.5

5.5

6.5

7.5

100

120

140

= -40

125

图。 8. Tr的导答

- 安培

= 125

-40

的s

- V OLTS

图。 9.源姜黄素鄂西北VS 。

酸味CE以诚医生艾因V oltage

250

200

= 250V

= 40A

=一千万

- 西门子

- 一个mperes

图。 10.门戈字符

- 安培

的s

- 伏特

= 125

= 25

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

1.6

150

100

100 120 140 160 180 200

S.D。

- V OLTS

图。 11.电容

100000

F = 1MH

- nanocoulombs

图。 12.瓦特AR D-偏置

安全Ope宇宙阿婷氩E A

1000

= 150

S（上）

LIM它

= 25

电容 - 皮法

10000

- 安培

国际空间站

100

25s

100s

1米s

10米s

1000

OS s

100

RS s

100

1000

- V OLTS

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

- V OLTS

IXFR 80N50P

图。 13.马克西姆嗯瞬态千卡人抵抗

1.00

T H， J·C

C / W

0.10

0.01

0.00

0.0001

0.001

0.01

0.1

脉冲宽度 - 秒

2006 IXYS所有权利

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