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PD - 95213A
IRF7821PbF
HEXFET
功率MOSFET
应用
l
高频负载点的
同步降压转换器
在网络应用&
计算系统。
l
LEAD -FREE
好处
l
非常低R
DS （ ON）
在4.5V V
GS
l
低栅电荷
l
充分界定雪崩电压
和电流
V
DSS
30V
R
DS （ ON）
最大
9.1mW@V
GS
= 10V
Q
g
（典型值）。
9.3nC
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
A
A
D
D
D
D
6
5
顶视图
SO-8
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
T
J
T
英镑
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
马克斯。
30
± 20
13.6
11
100
2.5
1.6
0.02
-55 + 155
单位
V
f
功耗
f
功耗
c
A
W
W / ℃，
°C
线性降额因子
工作结
存储温度范围
热阻
R
θJL
R
θJA
g
结到环境
fg
结到漏极引线
参数
典型值。
–––
–––
马克斯。
20
50
单位
° C / W
笔记
通过
在第10页
www.irf.com
05/23/07
1
IRF7821PbF
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
BV
DSS
ΒV
DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
政府飞行服务队
Q
g
Q
gs1
Q
gs2
Q
gd
Q
godr
Q
sw
Q
OSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
栅极阈值电压系数
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
正向跨导
总栅极电荷
预Vth的栅极 - 源极充电
后Vth的栅极至源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电荷过载
切换电荷（Q
gs2
+ Q
gd
)
输出充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
参数
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
分钟。典型值。马克斯。单位
30
–––
–––
–––
1.0
–––
–––
–––
–––
–––
22
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.025
7.0
9.5
–––
- 4.9
–––
–––
–––
–––
–––
9.3
2.5
0.8
2.9
3.1
3.7
6.1
6.3
2.7
9.7
7.3
1010
360
110
–––
–––
9.1
12.5
–––
–––
1.0
150
100
-100
–––
14
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
–––
pF
nC
nC
V
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 13A
V
V
GS
= 4.5V ，我
D
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
e
= 10A
e
毫伏/°C的
μA V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
nA
S
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
DS
= 15V ，我
D
= 10A
V
DS
= 15V
V
GS
= 4.5V
I
D
= 10A
参照图16
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
V
DD
= 15V, V
GS
= 4.5V
ns
I
D
= 10A
钳位感性负载
V
GS
= 0V
V
DS
= 15V
= 1.0MHz的
马克斯。
44
10
e
雪崩特性
E
AS
I
AR
dh
单位
mJ
A
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
28
23
3.1
A
100
1.0
42
35
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 10A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 10A ，V
DD
= 20V
的di / dt = 100A / μs的
h
e
e
2
www.irf.com
IRF7821PbF
100
VGS
顶部
10V
4.5V
3.7V
3.5V
3.3V
3.0V
2.7V
BOTTOM 2.5V
100
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
10V
4.5V
3.7V
3.5V
3.3V
3.0V
2.7V
BOTTOM 2.5V
顶部
10
1
2.5V
2.5V
20μs的脉冲宽度
TJ = 25°C
0.1
0.1
1
10
100
20μs的脉冲宽度
TJ = 150℃
1
0.1
1
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100.0
2.0
TJ = 150℃
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
ID ，漏 - 源电流
(Α
)
ID = 13A
VGS = 10V
10.0
1.5
T J = 25°C
（归一化）
1.0
1.0
0.1
2.0
3.0
VDS = 15V
20μs的脉冲宽度
4.0
5.0
6.0
0.5
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
T J ，结温（ ° C）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3
IRF7821PbF
10000
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞= C GS + Cgd的，C DS短路
CRSS = Cgd的
COSS =硫化镉+ Cgd的
12
ID = 10A
10
8
6
4
2
0
VDS = 24V
VDS = 15V
C，电容（pF ）
1000
西塞
科斯
100
CRSS
10
1
10
100
0
5
10
15
20
VDS ，漏极至源极电压（ V）
Q g总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100.0
1000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
ISD ，反向漏电流（ A）
10.0
T J = 150℃
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
10
100sec
1msec
1.0
T J = 25°C
VGS = 0V
0.1
0.0
0.5
1.0
1.5
VSD ，源toDrain电压（ V）
1
TC = 25°C
TJ = 150℃
单脉冲
0.1
1.0
10.0
10msec
0.1
100.0
1000.0
VDS ，漏toSource电压（V ）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
www.irf.com
IRF7821PbF
14
12
2.6
VGS （ TH）栅极阈值电压（ V）
ID ，漏电流（ A）
10
8
6
4
2
0
25
50
75
100
125
150
2.2
1.8
ID = 250μA
1.4
1.0
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T J ，结温（ ° C）
T J ，温度（° C）
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10 。
阈值电压与温度的关系
100
D = 0.50
热响应（Z thJA ）
10
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
1
0.1
单脉冲
（热反应）
0.01
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结到环境
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5
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I3PT430
IDT7134LA35PI
IDT71V3579SA80BQGI
IL-Z-C3-A-15000
I2782A-08ST
IDT54FCT823CE
IMP8995B
ICS501MT
IXFR80N50P
ICL8211MTV
ISL83070E_07
IDT74FC240T
IRKNF131-04CM
IDT7142LA90CB
IDT54FCT162501ATPF
ISL6123
ISL28533EV2Z
IDT54FCT299ATSOB
II640GR
IXFH21N50Q
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    IRF7821TRPBF
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    -
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电话：15899765957 19573525995
联系人：朱小姐
地址：深圳市福田区华强北街道华航社区海外装饰大厦B座539
IRF7821TRPBF
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IRF7821TRPBF
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IRF7821TRPBF
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