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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第621页 > IXFR64N60P
PolarHV
TM
HiPerFET
功率MOSFET
（电隔离背面）
N沟道增强模式
额定雪崩
快速内在二极管
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
V
ISOL
T
L
F
C
重量
50/60赫兹， RMS 1分钟
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
安装力
ISOPLUS247
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25° C
T
C
= 25 ℃，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25° C
T
C
= 25° C
T
C
= 25° C
I
S
≤
I
DM
， di / dt的
≤
100 A / μs的，V
DD
≤
V
DSS
,
T
J
≤
150℃ ，R
G
= 2
T
C
= 25° C
IXFR 64N60P
V
DSS
I
D25
R
DS （ ON）
t
rr
=
=
≤
≤
600
V
36
A
105 m
200纳秒
最大额定值
600
600
±
30
±
40
36
150
64
80
3.5
20
360
-55 ... +150
150
-55 ... +150
2500
300
22..130/5..29
5
V
V
V
V
A
A
A
mJ
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
V~
°
C
N /磅
g
ISOPLUS247 （ IXFR ）
E153432
返回隔离
表面
G =门
S =源
D =漏
特点
l
对直接铜键合硅片
基板
- 高功率耗散
- 隔离安装面
- 2500V电气隔离
l
国际标准封装
l
非钳位感应开关（ UIS）
评级
l
低封装电感
- 易于驾驶和保护
优势
符号
测试条件
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 3毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 8毫安
V
GS
=
±
30 V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V，I
D
= I
T
注意1
T
J
= 125° C
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
600
3.0
5.0
±
200
25
1000
105
V
V
nA
A
A
m
l
l
l
易于安装
节省空间
高功率密度
2006 IXYS所有权利
DS99441E(01/06)
IXFR 64N60P
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
分钟。典型值。马克斯。
40
63
12
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
1150
80
28
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
T
R
G
= 1
（外部）
23
79
24
200
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
T
70
68
S
nF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.35
°
C / W
0.15
°
C / W
ISOPLUS247大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
THC
V
DS
= 20V;我
D
= I
T
注意1
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
I
F
= 25A ， -di / DT = 100 A / μs的
V
R
= 100V
特征值
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
分钟。典型值。马克斯。
64
150
1.5
200
0.6
6.0
A
A
V
ns
C
A
注意事项：
1.脉冲检验，t
≤
300
s,
占空比
≤
2 %;
2.测试电流I
T
= 32A.
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT均受4835592
一个或moreof以下美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
6,771,478 B2
IXFR 64N60P
图。 1.输出特性
@ 25C
65
60
55
50
45
V
GS
= 10V
8V
7V
160
140
120
V
GS
= 10V
8V
图。 2.扩展的输出特性
@ 25C
I
D
- 安培
I
D
- 安培
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
5V
6V
100
80
60
7V
6V
40
20
5V
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
图。 3.输出特性
@ 125C
65
60
55
50
45
V
GS
= 10V
7V
3.1
2.8
2.5
图。 4.
DS （ ON）
归到我
D
= 32A V秒。
结温
V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
- 归
I
D
- 安培
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
2
4
6
8
6V
2.2
1.9
1.6
1.3
1
0.7
0.4
I
D
= 64A
I
D
= 32A
5V
10
12
14
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
DS
- 伏特
T
J
- 摄氏
图。 5.
DS （ ON）
归到我
D
= 32A V秒。
漏电流
3.2
3
2.8
V
GS
= 10V
T
J
= 125C
33
30
27
24
图。 6，最大漏极电流与
外壳温度
R
DS （ ON）
- 归
2.6
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0
20
40
60
80
100
120
140
160
T
J
= 25C
I
D
- 安培
2.4
21
18
15
12
9
6
3
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
- 安培
T
J
- 摄氏
2006 IXYS所有权利
IXFR 64N60P
图。 7.输入导纳
100
90
80
70
130
120
110
100
图。 8.跨导
g
F小号
- 西门子
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
T
J
= - 40C
25C
125C
I
D
- 安培
60
50
40
30
20
10
0
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
T
J
= 125C
25C
- 40C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
V
GS
- 伏特
I
D
- 安培
图。 9.正向电压降
征二极管
140
120
100
10
9
8
7
V
DS
= 300V
I
D
= 32A
I
G
= 10毫安
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
V
GS
- 伏特
T
J
= 25C
0.8
0.9
1
1.1
1.2
80
60
T
J
= 125C
40
20
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
6
5
4
3
2
1
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
V
SD
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 11.电容
100,000
F = 1 MHz的
国际空间站
图。 12.正向偏置安全工作区
1,000
T
J
= 150C
T
C
= 25C
R
DS （ ON）
极限
电容 - 皮法
10,000
I
D
- 安培
100
25s
100s
10
1ms
1,000
OSS
100
RSS
10ms
DC
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
1000
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
图。 13.最大瞬态热阻
1.000
R
（日） JC
- C / W
0.100
0.010
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲W ID - 秒
2006 IXYS所有权利
查看更多IXFR64N60PPDF信息
推荐型号
IT18
ICS843002AKI-40T
IPB100N06S3L-04
IDT54FCT645DTEB
ISD17210EYIR01
IDT71V2578YSA133PFI
I6SA90NSB
IRKL57-16S90
ICS525R-07LFT
IRKKF180-12EK
IRKTF151-08DL
IRKTF72-06DK
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IS61C67-25N
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