IXFR48N60P
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
分钟。典型值。马克斯。
35
53
8860
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
850
60
30
V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
T
, V
GS
= 10 V
R
G
= 2
（外部）
25
85
22
150
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
T
50
50
0.42
0.15
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
° C / W
° C / W
ISOPLUS247大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
V
DS
= 20V;我
D
= I
T
，注意事项1， 2
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V ，注1
I
F
= 20A ， -di / DT = 100 A / μs的
V
R
= 480V
特征值
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
分钟。典型值。马克斯。
32
110
1.5
200
0.8
6.0
A
A
V
ns
C
A
注意事项：
1.脉冲检验，t
≤
300
s,
占空比
≤
2 %;
2.测试电流I
T
= 24 A.
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT均受4835592
一个或moreof以下美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
6,771,478 B2
IXFR 48N60P
图。 1.输出Characte r是抽动
@ 25
C
50
45
40
35
V
GS
= 10V
8V
7V
120
100
V
GS
= 10V
8V
图。 2. EXTE NDE D输出Characte r是抽动
@ 25
C
I
D
- 安培
I
D
- 安培
30
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
6
5V
6V
80
60
40
7V
6V
20
5V
0
0
4
8
1
2
1
6
20
24
V
S
- V OLTS
图。 3.输出Characte r是抽动
@ 125
C
50
45
40
35
V
GS
= 10V
7V
3.1
2.8
V
GS
= 10V
V
S
- V OLTS
图。 4.
DS （上
)
规范艾莉婕d可我
D
= 24A
价值VS 。结テ米PE ATUR ê
R
S（O N）
- 归
2.5
2.2
1.9
1.6
1.3
1
0.7
0.4
I
D
= 48A
I
D
= 24A
I
D
- 安培
30
25
20
15
10
5
0
0
2
4
6V
5V
V
S
- V OLTS
6
8
10
12
14
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 摄氏
图。 5.
DS （ ON）
也不米艾莉婕d可
3.4
3.1
I
D
= 24A价值VS 。艾因姜黄素医生重新新台币
V
GS
= 10V
T
J
= 125C
图。 6.医生艾因 ú R R简吨VS 。 为e
率T e米P·E·R ATU
35
30
25
R
S（O N）
- 归
2.8
2.5
2.2
1.9
1.6
1.3
1
0.7
0
20
40
60
80
I
D
- 安培
T
J
= 25C
20
15
10
5
0
100
120
140
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
- 一个mperes
T
C
- 摄氏
2006 IXYS所有权利
IXFR48N60P
图。 7.输入上将ittance
80
70
60
100
90
80
图。 8.跨导
I
D
- 安培
50
40
30
20
10
0
4
4.5
- 西门子
70
60
50
40
30
20
10
0
T
J
= -40C
25C
125C
T
J
= 125C
25C
-40C
5
5.5
6
6.5
7
g
fs
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
V
的s
- V OLTS
图。 9.酸CE姜黄素重新NT VS 。
来源 - 要漏V oltage
160
140
120
10
9
8
7
V
DS
= 300V
I
D
= 24A
I
G
=一千万
I
D
- 一个mperes
图。 10.门戈字符
I
S
- 安培
V
的s
- 伏特
T
J
= 125C
T
J
= 25C
100
80
60
40
20
0
0.4
0.5
0.6
0.7
6
5
4
3
2
1
0
V
S.D。
- V OLTS
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Q
G
- nanocoulombs
图。 11.电容
100000
F = 1MH
图。 13 。 M A X IM ü米牛逼R A N s个，即N t个牛逼 é R M人
再s是吨A N CE
1.00
电容 - 皮法
C为S
10000
R
T H， J·C
-
C / W
40
0.10
1000
OS s
0.01
100
RS s
10
0
5
10
15
20
25
30
35
0.00
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V
S
- V OLTS
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
浦LS东西ID日 - 硒 0：N DS
QQ：2881677436 复制
