PolarHV
TM
HiPerFET
功率MOSFET
IXFC 30N60P
IXFR 30N60P
电气隔离返回地面
N沟道增强模式
快恢复二极管
额定雪崩
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
V
ISOL
F
C
重量
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
50/60赫兹， RMS ，T = 1分钟，导致对标签
安装力
ISOPLUS220
ISOPLUS247
（ IXFC ）
（ IXFR ）
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 MΩ
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
≤
I
DM
， di / dt的
≤
100 A / μs的，V
DD
≤
V
DSS
,
T
J
≤
150℃ ，R
G
= 3
Ω
T
C
= 25°C
最大额定值
600
600
±30
±40
15
80
30
50
1.5
10
166
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
2500
11..65 / 2.5..15
20..120 / 4.5..25
2
5
V
V
V
V
V
DSS
= 600
V
I
D25
= 15
A
Ω
R
DS （ ON）
≤
250 mΩ
t
rr
≤
250纳秒
ISOPLUS220
TM
（ IXFC ）
E153432
G
A
A
A
mJ
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
V~
N /磅
N /磅
g
g
D
S
孤立的背面
ISOPLUS247
TM
（ IXFR ）
E153432
返回隔离
表面
G =门
S =源
D =漏
特点
对直接铜键合硅片
基板
- 高功率耗散
- 隔离安装面
- 2500V电气隔离
低漏片电容（ <30pF ）
应用
DC- DC转换器
电池充电器
开关模式和谐振模
电源
直流斩波器
交流电动机的控制
优势
组装方便
节省空间
高功率密度
DS99341E(03/06)
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
μA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
=
±30
V, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
T
J
= 125°C
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
600
3.0
5.0
±100
25
500
250
V
V
nA
μA
μA
mΩ
V
GS
= 10 V，I
D
= 15 A
脉冲测试，T
≤
300
μs,
占空比
≤
2 %
2006 IXYS所有权利
IXFC 30N60P
IXFR 30N60P
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
15
27
3820
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
360
28
22
V
GS
= 10 V, V
DS
= V
DSS
, I
D
= 15 A
R
G
= 3
Ω
（外部）
20
75
25
85
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 15 A
26
28
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.75
° C / W
0.21
° C / W
注意：
底部的散热片（引脚4）
从引脚电隔离
1,2，或3 。
ISOPLUS220 （ IXFC ）大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
V
DS
= 20V;我
D
= 15 A，脉冲测试
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM
Q
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复
特征值
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
30
80
1.5
200
8
0.6
A
A
V
ns
A
μC
IXYS有限公司0177 R0
ISOPLUS247 （ IXFR ）大纲
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300
μs,
占空比
≤
2 %
I
F
= 25A ， -di / DT = 100 A / μs的
V
R
= 100 V; V
GS
= 0 V
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT均受4835592
一个或moreof以下美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
6,771,478 B2
IXFC 30N60P
IXFR 30N60P
图。 1.输出煤焦ACTE r是抽动
@ 25
C
30
27
24
21
V
GS
= 10V
8V
7V
6.5V
60
55
50
45
40
V
GS
= 10V
8V
7V
图。 2. EXTE NDE D输出Characte r是抽动
@ 25
C
I
D
- 安培
18
15
12
9
6
3
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
5.5V
5V
6V
I
D
- 安培
6.5V
35
30
25
20
15
10
5
0
5.5V
5V
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
6V
V
S
- V OLTS
图。 3.输出煤焦ACTE RIS抽动
@ 125
C
30
27
24
V
GS
= 10V
7V
3.4
3.1
V
S
- V OLTS
图。 4.
DS （上
)
也不米艾莉婕d可我
D
= 15A
价值VS 。结テ米PE ATURE
V
GS
= 10V
I
D
- 安培
21
18
15
12
9
6
3
0
0
2
4
6
8
10
12
R
S（O N）
- 归
2.8
2.5
2.2
1.9
1.6
1.3
1
0.7
0.4
I
D
= 15A
I
D
= 30A
6V
5.5V
5V
4.5V
14
16
18
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
S
- V OLTS
图。 5.
DS （ ON）
也不米艾莉婕d可
I
D
= 15A价值VS 。艾因姜黄素博士鄂西北
3
2.8
2.6
V
GS
= 10V
T
J
= 125
C
16
14
12
T
J
- 摄氏
图。 6.医生艾因铜R R简吨VS 。 CAS ê
率T e米P·E·R ATU
R
S（O N）
- 归
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
T
J
= 25
C
I
D
- 安培
10
8
6
4
2
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
- 一个mperes
T
C
- 摄氏
2006 IXYS所有权利
IXFC 30N60P
IXFR 30N60P
图。 7.输入上将ittance
35
30
25
50
45
40
图。 8.跨导
- 西门子
35
30
25
20
15
10
5
0
T
J
= -40
C
25
C
125
C
I
D
- 安培
20
15
10
5
0
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
T
J
= 125
C
25
C
-40
C
g
fs
0
5
10
15
20
25
30
35
40
V
的s
- V OLTS
图。 9.酸CE姜黄素重新NT VS 。
酸味CE - 要漏V oltage
90
80
70
10
9
8
7
V
DS
= 300V
I
D
= 15A
I
G
=一千万
I
D
- 一个mperes
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
60
V
的s
- 伏特
T
J
= 25
C
0.8
0.9
1
1.1
6
5
4
3
2
1
0
50
40
30
20
10
0
0.4
0.5
0.6
0.7
T
J
= 125
C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
V
S.D。
- V OLTS
Q
G
- nanocoulombs
图。 11.电容
10000
F = 1MH
图。 12. M的Axim ü米牛逼一个s ，即N t个牛逼 é R M人
再s是棕褐色的CE
1. 00
电容 - 皮法
国际空间站
1000
R
T H， J·C
-
C / W
0. 10
OSS
100
RS s
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0. 01
0. 1
1
10
100
1000
V
S
- V OLTS
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
PULS ê宽度 - 米利斯EC哔声
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