添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第281页 > IRF7492
PD - 94498
IRF7492
HEXFET
功率MOSFET
应用
l
高频DC- DC转换器
V
DSS
200V
R
DS （ ON）
最大
79
m
@V
GS
= 10V
I
D
3.7A
好处
l
低栅极到漏极电荷降低
开关损耗
l
充分界定电容含
有效的C
OSS
为简化设计， （见
应用程序。注AN1001 ）
l
充分界定雪崩电压
和电流
S
S
S
G
1
8
A
A
D
D
D
D
2
7
3
6
4
5
T O服务P V IE W
SO-8
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
dv / dt的
T
J
T
英镑
漏源电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗？
线性降额因子
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
马克斯。
200
± 20
3.7
3.0
30
2.5
0.02
9.5
-55到+ 150
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
V
V
A
W
W / ℃，
V / ns的
°C
热阻
符号
R
θJL
R
θJA
参数
结到漏极引线
结到环境
典型值。
–––
–––
马克斯。
20
50
单位
° C / W
笔记
通过
是第8页
www.irf.com
1
06/27/02
IRF7492
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
BV
（ BR ） DSS
漏极至源极击穿电压
V
（ BR ） DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
R
DS （ ON）
静态漏 - 源极导通电阻
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
I
DSS
I
GSS
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
分钟。
200
–––
–––
2.5
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.20
64
–––
–––
–––
–––
–––
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
79
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 2.2A
–––
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
1.0
V
DS
= 160V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 160V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
100
V
GS
= 20V
nA
-100
V
GS
= -20V
动态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。
7.9
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
39
9.2
15
15
13
27
14
1820
190
94
780
89
150
MAX 。单位
条件
–––
S
V
DS
= 50V ，我
D
= 3.7A
59
I
D
= 2.2A
–––
nC
V
DS
= 100V
–––
V
GS
= 10V
–––
V
DD
= 100V
–––
I
D
= 2.2A
ns
–––
R
G
= 6.5
–––
V
GS
= 10V
–––
V
GS
= 0V
–––
V
DS
= 25V
–––
pF
= 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 160V ， = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至160V
雪崩特性
参数
E
AS
I
AR
单脉冲雪崩能量？
雪崩电流？
典型值。
–––
–––
马克斯。
130
4.4
单位
mJ
A
二极管的特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
69
200
2.3
A
30
1.3
100
310
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
G
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 2.2A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 2.2A
的di / dt = 100A / μs的
D
S
2
www.irf.com
IRF7492
100
顶部
VGS
15V
12V
10V
8.0V
7.0V
6.5V
6.0V
5.5V
100
顶部
VGS
15V
12V
10V
8.0V
7.0V
6.5V
6.0V
5.5V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
底部
1
底部
5.5V
1
0.1
5.5V
0.01
20μs的脉冲宽度
TJ = 25°C
0.001
0.1
1
10
100
1000
0.1
0.1
1
20μs的脉冲宽度
TJ = 150℃
10
100
1000
VDS ，漏极至源极电压（ V）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100.00
3.0
I
D
= 3.7A

R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
ID ，漏 - 源电流
(Α
)
2.5
T J = 150℃
10.00
2.0
T J = 25°C
1.00
1.5
1.0
0.10
4.0
5.0
VDS = 50V
20μs的脉冲宽度
6.0
7.0
8.0
0.5
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
V
GS
= 10V

100
120
140
160
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
TJ ，结温（ ° C）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3
IRF7492
100000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞= C + Cgd的，C短路
gs
ds
CRSS = C
gd
COSS = C + C
ds
gd
12
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
ID = 2.2A
10
8
6
4
2
0
VDS = 160V
VDS = 100V
VDS = 40V
10000
C，电容（pF ）
国际空间站
1000
OSS
100
RSS
10
1
10
100
1000
0
10
20
30
40
50
VDS ，漏极至源极电压（ V）
QG总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
100
在这一领域
限于由R DS （ ON）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
I
SD
，反向漏电流（ A）
10
10
100sec

T
J
= 150
°
C
1

T
J
= 25
°
C
1
1msec
TC = 25°C
TJ = 150℃
单脉冲
1
10
100
0.1
0.2
0.4
0.6
V
GS
= 0 V

0.8
1.0
10msec
1000
0.1
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
www.irf.com
IRF7492
4.0
V
DS
V
GS
3.0
R
D
D.U.T.
+
R
G
-
V
DD
I
D
，漏电流（ A）
10V
2.0
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
1.0
图10A 。
开关时间测试电路
V
DS
90%
0.0
25
50
75
100
125
150
T
A
，环境温度（ ° C）
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图9 。
最大漏极电流比。
环境温度
图10B 。
开关时间波形
100
(Z
thJA
)
D = 0.50
10
0.20
0.10
热响应
0.05
0.02
1
0.01

单脉冲
（热反应）
0.1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1

注意事项：
1.占空比系数D =
2.峰值牛逼
t
1
/ t
2
J
= P
DM
X Z
thJA

P
DM
t
1
t
2
+T
A
100
10
1000
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
www.irf.com
5
PD - 94498
IRF7492
HEXFET
功率MOSFET
应用
l
高频DC- DC转换器
V
DSS
200V
R
DS （ ON）
最大
79
m
@V
GS
= 10V
I
D
3.7A
好处
l
低栅极到漏极电荷降低
开关损耗
l
充分界定电容含
有效的C
OSS
为简化设计， （见
应用程序。注AN1001 ）
l
充分界定雪崩电压
和电流
S
S
S
G
1
8
A
A
D
D
D
D
2
7
3
6
4
5
T O服务P V IE W
SO-8
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
dv / dt的
T
J
T
英镑
漏源电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗？
线性降额因子
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
马克斯。
200
± 20
3.7
3.0
30
2.5
0.02
9.5
-55到+ 150
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
V
V
A
W
W / ℃，
V / ns的
°C
热阻
符号
R
θJL
R
θJA
参数
结到漏极引线
结到环境
典型值。
–––
–––
马克斯。
20
50
单位
° C / W
笔记
通过
是第8页
www.irf.com
1
06/27/02
IRF7492
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
BV
（ BR ） DSS
漏极至源极击穿电压
V
（ BR ） DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
R
DS （ ON）
静态漏 - 源极导通电阻
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
I
DSS
I
GSS
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
分钟。
200
–––
–––
2.5
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.20
64
–––
–––
–––
–––
–––
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
79
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 2.2A
–––
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
1.0
V
DS
= 160V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 160V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
100
V
GS
= 20V
nA
-100
V
GS
= -20V
动态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。
7.9
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
39
9.2
15
15
13
27
14
1820
190
94
780
89
150
MAX 。单位
条件
–––
S
V
DS
= 50V ，我
D
= 3.7A
59
I
D
= 2.2A
–––
nC
V
DS
= 100V
–––
V
GS
= 10V
–––
V
DD
= 100V
–––
I
D
= 2.2A
ns
–––
R
G
= 6.5
–––
V
GS
= 10V
–––
V
GS
= 0V
–––
V
DS
= 25V
–––
pF
= 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 160V ， = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至160V
雪崩特性
参数
E
AS
I
AR
单脉冲雪崩能量？
雪崩电流？
典型值。
–––
–––
马克斯。
130
4.4
单位
mJ
A
二极管的特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
69
200
2.3
A
30
1.3
100
310
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
G
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 2.2A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 2.2A
的di / dt = 100A / μs的
D
S
2
www.irf.com
IRF7492
100
顶部
VGS
15V
12V
10V
8.0V
7.0V
6.5V
6.0V
5.5V
100
顶部
VGS
15V
12V
10V
8.0V
7.0V
6.5V
6.0V
5.5V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
底部
1
底部
5.5V
1
0.1
5.5V
0.01
20μs的脉冲宽度
TJ = 25°C
0.001
0.1
1
10
100
1000
0.1
0.1
1
20μs的脉冲宽度
TJ = 150℃
10
100
1000
VDS ，漏极至源极电压（ V）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100.00
3.0
I
D
= 3.7A

R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
ID ，漏 - 源电流
(Α
)
2.5
T J = 150℃
10.00
2.0
T J = 25°C
1.00
1.5
1.0
0.10
4.0
5.0
VDS = 50V
20μs的脉冲宽度
6.0
7.0
8.0
0.5
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
V
GS
= 10V

100
120
140
160
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
TJ ，结温（ ° C）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3
IRF7492
100000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞= C + Cgd的，C短路
gs
ds
CRSS = C
gd
COSS = C + C
ds
gd
12
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
ID = 2.2A
10
8
6
4
2
0
VDS = 160V
VDS = 100V
VDS = 40V
10000
C，电容（pF ）
国际空间站
1000
OSS
100
RSS
10
1
10
100
1000
0
10
20
30
40
50
VDS ，漏极至源极电压（ V）
QG总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
100
在这一领域
限于由R DS （ ON）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
I
SD
，反向漏电流（ A）
10
10
100sec

T
J
= 150
°
C
1

T
J
= 25
°
C
1
1msec
TC = 25°C
TJ = 150℃
单脉冲
1
10
100
0.1
0.2
0.4
0.6
V
GS
= 0 V

0.8
1.0
10msec
1000
0.1
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
www.irf.com
IRF7492
4.0
V
DS
V
GS
3.0
R
D
D.U.T.
+
R
G
-
V
DD
I
D
，漏电流（ A）
10V
2.0
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
1.0
图10A 。
开关时间测试电路
V
DS
90%
0.0
25
50
75
100
125
150
T
A
，环境温度（ ° C）
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图9 。
最大漏极电流比。
环境温度
图10B 。
开关时间波形
100
(Z
thJA
)
D = 0.50
10
0.20
0.10
热响应
0.05
0.02
1
0.01

单脉冲
（热反应）
0.1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1

注意事项：
1.占空比系数D =
2.峰值牛逼
t
1
/ t
2
J
= P
DM
X Z
thJA

P
DM
t
1
t
2
+T
A
100
10
1000
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
www.irf.com
5
查看更多IRF7492PDF信息
推荐型号
IC41LV16100S-45TG
ISL41387IRZ-T
ICL7129_00
IXFR30N60P
IL233-1.5
ISL65426_07
IRKT210-14
IDTQS3384QG
IDT29FCT520CSOB
IDT74FCT3245
IXF6048
ISL90460WIE527-TK
IRKKF111-08GN
IRKKF81-08CK
IDT7025L70JB
IXFN56N90P
IDQS34X245Q3G
ID82C84A
IPP50CN10NG
IS28F010-70PL
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IRF7492
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
江苏芯钻时代电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1316996791 复制

电话：18913062888
联系人：陈先生
地址：江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
IRF7492
Infineon Technologies
24+
5000
8-SOIC (0.154\
原装正品现货
深圳市银芯龙科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1184826453 复制

电话：13510131896
联系人：欧阳
地址：龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
IRF7492
IR
20+
5000
SOP-8
全新原装现货
深圳市源丰诚电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1965785011 复制

电话：0755-23919407
联系人：朱先生
地址：深圳市福田区振兴路华康大厦二栋5楼518
IRF7492
IOR
17+
9600
ZIP
进口原装正品现货
深圳市鑫远鹏科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2885741998 复制 点击这里给我发消息 QQ：2885742022 复制
电话：15112667855
联系人：谌小姐
地址：深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
IRF7492
IR
18+
16000
SOP8
深圳市晶美隆科技有限公司销售一部
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2885348317 复制 点击这里给我发消息 QQ：2885348339 复制

电话：0755-83209630 82519391
联系人：许小姐
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
IRF7492
IOR
24+
11880
SOP8
优势现货，只做原装正品
深圳市晶美隆科技有限公司销售一部
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2885348317 复制 点击这里给我发消息 QQ：2885348339 复制

电话：0755-83209630 82519391
联系人：许小姐
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
IRF7492
IR
24+
15372
SOP8
全新原装正品现货热卖
深圳市芯泽盛世科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881147140 复制

电话：0755-89697985
联系人：李
地址：深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
IRF7492
Infineon Technologies
24+
10000
8-SO
原厂一级代理，原装现货
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
IRF7492
IR
2443+
23000
SO-8
一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳市诺洋电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
IRF7492
IR
24+
12300
SOP8
全新原装现货，原厂代理。
深圳市华斯顿电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ：515102657 复制
电话：0755-83777708/83777607/82799993
联系人：朱咸华
地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
IRF7492
IR
25+23+
33500
SOP
绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
查询更多IRF7492供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！