IXFA4N100P
IXFP4N100P
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
g
fs
R
Gi
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
TO-220
0.50
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5
V
DSS
, I
D
=
0.5
I
D25
电阻开关时间
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 5Ω （外部）
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
DS
= 20V ，我
D
= 0.5
I
D25
注意1
门输入电阻
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
1.8
3.0
1.6
1456
90
16
24
36
37
50
26
9
12
S
Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.83
° C / W
° C / W
引脚：
1 - GATE
2 - 漏极
TO- 220 （ IXFP ）大纲
源极 - 漏极二极管
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM
Q
RM
V
GS
= 0V
重复，脉冲宽度为T有限公司
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0V ，说明1
I
F
= 2A ，V
GS
= 0V ， -di / DT = 100A / μs的
V
R
= 100V
5.30
0.34
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
4
16
1.3
300
A
A
V
ns
A
μC
TO- 263 （ IXFA ）大纲
注1 ：脉冲检验，t
≤
300μS ，占空比D
≤
2%.
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123B1
6,306,728B1
6,404,065B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
7,005,734B2
6,759,692
7,063,975B2
6,771,478B2 7,071,537
7,157,338B2
IXFA4N100P
IXFP4N100P
图。 7.输入导纳
5
4.5
4
3.5
T
J
= 125C
25C
- 40C
5
4.5
4
3.5
25C
T
J
= - 40C
图。 8.跨导
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
3.0
3.5
4.0
4.5
g
F小号
- 西门子
I
D
- 安培
3
125C
2.5
2
1.5
1
0.5
0
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
V
GS
- 伏特
I
D
- 安培
图。征二极管9.正向电压降
12
16
14
10
12
8
V
DS
= 500V
I
D
= 2A
I
G
= 10毫安
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
6
V
GS
- 伏特
T
J
= 125C
T
J
= 25C
10
8
6
4
4
2
2
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
V
SD
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 11.电容
10,000
1
图。 12.最大瞬态热阻抗
f
= 1兆赫
电容 - 皮法
西塞
1,000
Z
（日） JC
- C / W
20
25
30
35
40
0.1
科斯
100
CRSS
10
0
5
10
15
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V
DS
- 伏特
脉冲宽度 - 秒
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS REF ： F_4N100P （ 45-744 ） 08年10月8日
QQ：2880707522 复制
